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NDS9952A-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
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NDS9952A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
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NDS9952DYT1FAI07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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NDS9952NLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
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NDS9952_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
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NDS9953NSSOP-8
auf Bestellung 27500 Stücke:
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NDS99532
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 257016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
485+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
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NDS9953A-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9953A_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9953DYFAI07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9953_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
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NDS9955NSSOP-8
auf Bestellung 22850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
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NDS9955-NL
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956NSSOP-8
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956-NL
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9956AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956Aonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDS9956A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V DUAL N-CH. FET, 80 MO, SO8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A_Qonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
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NDS9956Q
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957FAI07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
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NDS9957-NL
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958NSSOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958-NL
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958AFAISO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959Fairchild
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959-NL
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959AFAISO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959NLFAIRCHILD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959_NL
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959_NLonsemi / FairchildMOSFET 50V DUAL N-CH. FET, 300 MO, SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9977NS09+ SOP8
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9986NSSOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9999ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSC-200002+
auf Bestellung 9910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+7.96 EUR
120+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 680pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+7.98 EUR
450+4.9 EUR
900+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 10A TO247
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.17 EUR
10+11.47 EUR
120+10.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.95 EUR
10+15.37 EUR
450+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10170AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 16A; TO247-2; tube
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 16A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120ConsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.68 EUR
10+16.01 EUR
100+14.53 EUR
250+11.79 EUR
450+11.77 EUR
900+10.58 EUR
2700+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120ConsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120CON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120CONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.56 EUR
16+15.34 EUR
19+11.54 EUR
50+10.63 EUR
100+9.58 EUR
250+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.31 EUR
14+17.47 EUR
17+13.11 EUR
50+12.36 EUR
100+11.61 EUR
250+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120C-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.8 EUR
10+14.36 EUR
100+11.98 EUR
250+11.5 EUR
450+10.58 EUR
900+9.51 EUR
2700+9.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.67 EUR
10+15.05 EUR
25+14.36 EUR
100+12.47 EUR
450+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.39 EUR
10+10.39 EUR
510+10.08 EUR
1020+9.9 EUR
2520+9.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.96 EUR
7+37.57 EUR
10+33.39 EUR
50+32.13 EUR
100+30.84 EUR
250+29.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 35A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AOn SemiconductorNDSH25170A SiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.17 EUR
30+19.35 EUR
120+16.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH30120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 9450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.29 EUR
10+20.13 EUR
25+19.19 EUR
100+16.66 EUR
450+14.52 EUR
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NDSH30120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.54 EUR
10+15.73 EUR
120+13.61 EUR
510+13.59 EUR
1020+13.11 EUR
2520+12.67 EUR
5010+12.52 EUR
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NDSH30120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.19 EUR
11+22.4 EUR
13+17.16 EUR
50+15.12 EUR
100+13.97 EUR
250+12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NDSH30120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.96 EUR
10+12.38 EUR
510+11.65 EUR
1020+11.35 EUR
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NDSH40120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH40120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.14 EUR
9+26.62 EUR
12+19 EUR
50+18.98 EUR
100+16.23 EUR
250+15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH40120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 46A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2840pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 46A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.12 EUR
10+19.1 EUR
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NDSH40120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.23 EUR
10+19.21 EUR
100+18.71 EUR
450+16.26 EUR
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NDSH40120CDNONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH40120CDNonsemiDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 50198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.76 EUR
10+21.07 EUR
450+15.93 EUR
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NDSH40120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.94 EUR
10+18.85 EUR
120+18.55 EUR
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NDSH40120CDNONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 95nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.6 EUR
9+28.1 EUR
11+21.36 EUR
50+19.65 EUR
100+17.33 EUR
250+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH50120CONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.51 EUR
7+33.74 EUR
10+25.83 EUR
50+23.78 EUR
100+23.24 EUR
250+22.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NDSH50120CONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH50120ConsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.46 EUR
30+23.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH50120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.32 EUR
10+38.91 EUR
120+34.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH50120C-F155ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH50120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.76 EUR
10+38.92 EUR
25+35.06 EUR
100+33.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-01VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
50+2.18 EUR
120+1.98 EUR
600+1.78 EUR
1080+1.64 EUR
2040+1.45 EUR
5040+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-02VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
50+2.68 EUR
72+2.43 EUR
504+2.23 EUR
1008+2.05 EUR
2016+1.82 EUR
5040+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-03VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-04VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
40+3.22 EUR
120+2.93 EUR
520+2.67 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.15 EUR
5000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-05VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-06VDiptronicsDIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSR-07VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH