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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NDS9948ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948
Produktcode: 100660
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 250 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 394/9
Montage: SMD
auf Bestellung 47 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain current: -2A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
78+1.09 EUR
88+0.98 EUR
117+0.73 EUR
134+0.64 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1175+0.56 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948NLFAIRCHILD
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9948_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952NSSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952AONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
627+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 627 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952A-F011onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952A-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952DYT1FAI07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952NLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9952_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953NSSOP-8
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS99532NDS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 257016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
485+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953A-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953A_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953DYFAI07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9953_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955NSSOP-8
auf Bestellung 22850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955-NL
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9955_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956NSSOP-8
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956-NL
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956Aonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V DUAL N-CH. FET, 80 MO, SO8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956A_Qonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9956Q
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957FAI07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9957-NL
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958NSSOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958-NL
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9958AFAISO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959Fairchild
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959-NL
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959AFAISO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959NLFAIRCHILD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959_NL
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959_NLonsemi / FairchildMOSFET 50V DUAL N-CH. FET, 300 MO, SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9959_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9977NS09+ SOP8
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9986NSSOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9999ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSC-200002+
auf Bestellung 9910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 680pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+7.98 EUR
450+4.9 EUR
900+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+7.96 EUR
120+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 10A TO247
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.84 EUR
10+13.86 EUR
120+9.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH10170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.95 EUR
10+15.37 EUR
450+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120ConsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.68 EUR
10+16.01 EUR
100+14.53 EUR
250+11.79 EUR
450+11.77 EUR
900+10.58 EUR
2700+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120CON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120ConsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120CONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120C-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.8 EUR
10+14.36 EUR
100+11.98 EUR
250+11.5 EUR
450+10.58 EUR
900+9.51 EUR
2700+9.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.67 EUR
10+15.05 EUR
25+14.36 EUR
100+12.47 EUR
450+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH20120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.39 EUR
10+10.39 EUR
510+10.08 EUR
1020+9.9 EUR
2520+9.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AON Semiconductor
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 35A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.17 EUR
30+19.35 EUR
120+16.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AOn SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH25170AONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH30120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 38A
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 9450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.29 EUR
10+20.13 EUR
25+19.19 EUR
100+16.66 EUR
450+14.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH30120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.54 EUR
10+15.73 EUR
120+13.61 EUR
510+13.59 EUR
1020+13.11 EUR
2520+12.67 EUR
5010+12.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH30120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH30120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.96 EUR
10+12.38 EUR
510+11.65 EUR
1020+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH40120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH40120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDSH40120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.23 EUR
10+19.21 EUR
100+18.71 EUR
450+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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