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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHF12N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
10+4.52 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+3.42 EUR
100+3.09 EUR
500+2.51 EUR
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SIHF12N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.19 EUR
50+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 70nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF12N65E-GE3Vishay SiliconixSIHF12N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF12N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.15 EUR
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SIHF15N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF15N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI71
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SiHF15N60E-E3
Produktcode: 117209
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SIHF15N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 15A TO-220FP Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF15N60E-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
10+5.27 EUR
50+4.08 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 39A
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+4.02 EUR
100+3.64 EUR
500+3 EUR
1000+2.98 EUR
2000+2.93 EUR
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SIHF15N60E-GE3
Produktcode: 127335
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 96nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF16N50C-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF16N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF16N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50DVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50DVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.58 EUR
100+3.36 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.53 EUR
2000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 18A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3
Produktcode: 188008
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 В
Drain-Strom Idd, A: 18 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/38
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.22 EUR
10+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.38 EUR
47+5.03 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4
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SIHF22N60E-E3
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SIHF22N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHF22N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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1+9.57 EUR
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SIHF22N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
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21+12.22 EUR
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SIHF22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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23+7.83 EUR
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SIHF22N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
auf Bestellung 5126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.76 EUR
10+6.49 EUR
50+5.07 EUR
100+4.62 EUR
500+3.82 EUR
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SIHF22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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SIHF22N60S-E3
auf Bestellung 82 Stücke:
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SIHF22N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
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SIHF22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
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SIHF22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHF23N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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1+8.88 EUR
10+5.82 EUR
100+4.33 EUR
500+3.64 EUR
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2000+3.25 EUR
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SIHF23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
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SIHF23N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHF28N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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1+13.7 EUR
10+9.17 EUR
100+7.39 EUR
500+6.56 EUR
1000+6.37 EUR
2000+6.15 EUR
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SIHF28N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF2X0.5
Produktcode: 108027
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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel
Gruppe: Leistung
Typ: SIHF
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SIHF30N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SiHF30N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.104Ω
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SiHF30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SiHF30N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
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SIHF30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.95 EUR
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SIHF30N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+7 EUR
100+6.39 EUR
500+6.06 EUR
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SIHF30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.01 EUR
10+8.76 EUR
50+6.95 EUR
100+6.37 EUR
500+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.2 EUR
250+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIHF30N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 676A
Kind of package: tube
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHF30N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.99 EUR
23+10.14 EUR
100+8.44 EUR
500+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SIHF35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60E-GE3VishaySIHF35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.52 EUR
10+9.23 EUR
100+7.44 EUR
500+6.95 EUR
1000+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF3X0.5
Produktcode: 123726
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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF3X0.75
Produktcode: 104161
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HELUKABELKabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel
Gruppe: Leistung
Typ: SIHF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF3X0.75 23002HELUKABELПровід монтажний, К-сть жил = 3, Uживл, В = 300/500, Колір = коричнево-червоний , Переріз = 3 x 0,75, Тип ізоляції = силіконовий каучук,... Проводи і кабелі Корпус: 3x0.75 mm2 Од. вим: м
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF4X0.5
Produktcode: 115638
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel
Gruppe: Leistung
Typ: SIHF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF510S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF510STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF510STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHF520S-E3Vishay SiliconixSiHF520S-E3 IRF520SPBF HEXFET N-CH 100V 9.2 A D2PAK=TO-263 Транзистори
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SIHF520S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100V
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.15 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.77 EUR
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SIHF520STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF520STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHF520STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHF520STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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SiHF530Vishay SiliconixSiHF530 IRF530 TO-220AB Транзистори
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SIHF530-E3Vishay SiliconixSiHF530-E3 100 В 14 А (TO-220) N-CH 100V 14A TO-220AB Транзистори
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SIHF530-E3VishayMOSFETs
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SIHF530-GE3VishaySurface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
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SIHF530-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
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SIHF530-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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SIHF530-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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