Produkte > SQJ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SQJ858AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1_JB3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_JB3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_NE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ858EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ860EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 61751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 50755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 19814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 19814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 126256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ886EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 50696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 8429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ910AEP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 48W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 9834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ910EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 40630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | auf Bestellung 5369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ912AEP-T2_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) | auf Bestellung 2159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ912BEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 14003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912DEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912DEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE | auf Bestellung 6231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912DEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 13162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 55702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 Produktcode: 180512
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| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ941EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 55W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ942EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15A/45A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ942EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ942EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 1699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ942EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 27W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 7288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 27W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ946EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 7288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 56W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V | auf Bestellung 43259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 56W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 16979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 56W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ952EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE | auf Bestellung 5753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |