Produkte > mmb
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MMBT6429LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6429LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6429LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6429LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6429LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6514LT1G | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6515 | fsc | auf Bestellung 204000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6515 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23 | auf Bestellung 262624000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6515 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6515 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6515 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23 | auf Bestellung 262624000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6515LT1G | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6517 | MOT | SOT-23 | auf Bestellung 1649 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517 BEC | EIC | MMBT6517 BEC | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6517 BEC | EIC | MMBT6517 BEC | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6517/1Z | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1 Produktcode: 85592
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1 | ON | 0824+ | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23 | auf Bestellung 41079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23 | auf Bestellung 41079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT1G 1Z. | ON-Semiconductor | NPN 100mA 350V 225mW 200MHz MMBT6517LT1G TMMBT6517 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT6517LT3 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT3G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23 | auf Bestellung 2893810000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT3G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23 | auf Bestellung 2000010000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6517LT3G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23 | auf Bestellung 2893810000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6519LT1G | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6520 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6520 Produktcode: 30768
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6520-2Z | ON | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6520LT1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6520LT1(2Z1) | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6520LT1/2Z | MOTO | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP | auf Bestellung 172826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G Produktcode: 147958
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | On Semiconductor | TRANS PNP 350V 0.5A SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6520LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 13773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6520LT3 | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6520LT3 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6520LT3(2Z1) | auf Bestellung 13037 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6520LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6520XLT1 | auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6521LT1 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6521LT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6521LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6521LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN | auf Bestellung 8998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6521LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN | auf Bestellung 5918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6543 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6543(3F) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6589 | MOTO | auf Bestellung 2879 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT6589LT1 | auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT6589T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT High Current Surface Mount PNP Switching Transistor for Load Management in Portable Applications | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6589T1 | ON | 02+ SOT-163 | auf Bestellung 498000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6589T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 540 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT6589T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP Power - Max: 540 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: 6-TSOP Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT6589T1G | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT7000 | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT7001K-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002-ML | MOSLEADER | Description: 0.2W 60V 0.12A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT7002CK-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002CK-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SOT-23 N 60V 0.3A 2OHM Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002CK-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 350mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.35W Gate charge: 1.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 1592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002DW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7.5Ω Pulsed drain current: 0.8A Drain current: 0.115A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002DW | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | auf Bestellung 1564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | auf Bestellung 4181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N | auf Bestellung 6718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT7002K | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002K | DIOTEC | Transistor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,3A; 0,35W; N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate MMBT7002K DIOTEC TMMBT7002k Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT7002K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 0.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω | auf Bestellung 4725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT7002K-AQ | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002K-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT7002K-AQ | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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