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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
690+0.33 EUR
1103+0.19 EUR
1495+0.14 EUR
1690+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorSMD MOSFET
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1108+0.15 EUR
1292+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
690+0.33 EUR
1103+0.19 EUR
1495+0.14 EUR
1690+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
391+0.21 EUR
635+0.13 EUR
911+0.094 EUR
1062+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
532+0.15 EUR
830+0.1 EUR
1092+0.077 EUR
1211+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 7273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.35 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
553+0.42 EUR
658+0.32 EUR
827+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMMBT7002KDW-AQ
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1684+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1684 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, N, 0.25W Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2115+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 2115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-323 N 60V 0.3A 1.6 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-323 N 60V 0.3A 1.6 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.3W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
516+0.17 EUR
915+0.093 EUR
1417+0.06 EUR
1613+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
12+0.29 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT7002LT1GON2005 SOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT733
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT733LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT733PST
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050ST06+ SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050(GD)
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050(HY1C)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050-HY1C
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: NPN SIGNAL TRANSISTOR,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050/855008+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050/D9D/SS8050ST05+ SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT80509(J3y)
auf Bestellung 900000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050C
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050CBEC
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050CLT1G
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050CY1
auf Bestellung 612000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DSEMTECK10+ SOT23
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D(0.6A)
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D(S8050D)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D1.5A
auf Bestellung 711000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050D1.5AY5
auf Bestellung 636000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DBEC
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DD9D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DLT1STSOT23
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050DLT1GD9D
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LT1
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LT1GON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LTI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050LTIG
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8050Y1
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8051J3Y
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099Lonsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099L
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT8099LT1GNXP/Nexperia/We-EnТранзистор NPN (Uce=80V, Ic=0.5A, P=250mW, hfe>40 , f>400MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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MMBT8099LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
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MMBT8099LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1240+0.14 EUR
1598+0.11 EUR
1796+0.093 EUR
3301+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1240 Stücke
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MMBT8099LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
auf Bestellung 5558 Stücke:
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8+0.45 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
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455+0.38 EUR
792+0.21 EUR
854+0.19 EUR
1240+0.13 EUR
1252+0.12 EUR
1598+0.09 EUR
1796+0.077 EUR
3301+0.042 EUR
6000+0.04 EUR
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MMBT8099LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.082 EUR
15000+0.076 EUR
21000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3832+0.046 EUR
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MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3704+0.048 EUR
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MMBT8099LT1G
Produktcode: 95963
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MMBT8099LT1GONS/FAITRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 Транзистори
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MMBT8099LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
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MMBT8099LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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3145+0.056 EUR
6000+0.054 EUR
12000+0.051 EUR
27000+0.05 EUR
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MMBT8550PHILIPS06+ SOT23
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MMBT8550 SOT23-EAO 2SA19FAIRCHIL
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MMBT8550(0.8A)ONSOT-23
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MMBT8550CSTSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMBT8550DSEMTECK10+ SOT23
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MMBT8550DGOODWORKDescription: PNP 500mA 25V 300mW SOT-23
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3000+0.014 EUR
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MMBT8550D(1.5A)GOODWORKDescription: 1.5A 25V 200mW SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT8550D(S8550D)
auf Bestellung 36000 Stücke:
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MMBT8550DB9D160-400BEC
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MMBT8550DLT1GB9D
auf Bestellung 300000 Stücke:
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MMBT8550LT1ONSOT23-EAO 2SA198
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT8550LT1 SOT23-EAO 2SON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT8550LT1/SOT-23
auf Bestellung 10 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8550LT1G*1HD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT8550LT1SOT23-EAO2SA1981SFO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT8550SOT23-EAO2SA1981SFO
auf Bestellung 15200 Stücke:
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MMBT856ALT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT8598
auf Bestellung 15000 Stücke:
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MMBT8599
auf Bestellung 15000 Stücke:
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MMBT8599LT1G
auf Bestellung 180000 Stücke:
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MMBT9011LT1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT9011LT1G
auf Bestellung 300000 Stücke:
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MMBT9012ON10 SOT-23
auf Bestellung 206000 Stücke:
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MMBT9012 SOT23-CAY PB-FRFAIRCHIL
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MMBT9012/901308+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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MMBT9012CT1
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT9012GSOT-23T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MMBT9012HST10+
auf Bestellung 90000 Stücke:
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MMBT9012H/MMBT9013
auf Bestellung 60000 Stücke:
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