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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
BID-60D9PBellnixBID-60D9P
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.49 EUR
25+17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BID000ZBalluffDescription: APPROVAL/CONFORMITY=CE, CULUS, T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: BID R03K
Accessory Type: Actuator
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+194.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
auf Bestellung 9955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+2.07 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
auf Bestellung 24257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+2.08 EUR
100+1.31 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDD05N60T-XBournsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3
Produktcode: 189125
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3BournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.86 EUR
30+3.26 EUR
120+2.69 EUR
510+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.59 EUR
35+4.09 EUR
36+3.75 EUR
50+3.4 EUR
100+3.07 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3BOURNSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+3.27 EUR
200+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3BOURNSDescription: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 192mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+5.1 EUR
100+4.21 EUR
600+3.94 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/48ns
Switching Energy: 1mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 192 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW20N60T - IGBT, 40 A, 1.7 V, 192 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T-XBournsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.27 EUR
38+3.75 EUR
39+3.51 EUR
50+3.34 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.02 EUR
150+2.86 EUR
300+2.7 EUR
600+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.32 EUR
10+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBOURNSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+3.62 EUR
150+3.2 EUR
300+3.15 EUR
600+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.3 EUR
30+3.54 EUR
120+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.27 EUR
38+3.75 EUR
39+3.51 EUR
50+3.34 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T-XBournsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW40N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.47 EUR
30+5.36 EUR
120+4.45 EUR
510+3.79 EUR
1020+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW40N65ES5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.8 EUR
10+5 EUR
100+4.17 EUR
600+3.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW40N65H5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 111 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.47 EUR
30+5.36 EUR
120+4.45 EUR
510+3.79 EUR
1020+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW40N65H5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.97 EUR
10+5 EUR
100+4.17 EUR
600+3.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW40N65H5BOURNSDescription: BOURNS - BIDW40N65H5 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65TBournsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW50N65T - IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Verlustleistung: 416
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
30+4.28 EUR
120+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65TBournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T-XBournsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW75N65EH5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 5927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+7.06 EUR
100+5.93 EUR
600+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW75N65EH5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
30+7.22 EUR
120+6.06 EUR
510+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BIDW75N65ES5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 2823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
10+9.38 EUR
25+6.76 EUR
100+5.77 EUR
600+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW75N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
30+7.22 EUR
120+6.06 EUR
510+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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