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BID-60D9PBellnixBID-60D9P
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BID000ZBalluffDescription: APPROVAL/CONFORMITY=CE, CULUS, T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: BID R03K
Accessory Type: Actuator
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
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BIDD05N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BIDD05N60TBournsIGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
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15+3.64 EUR
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500+ 1.96 EUR
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2500+ 1.5 EUR
5000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.49 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
auf Bestellung 9959 Stücke:
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8+3.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
BIDD05N60T-XBournsBourns
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BIDNW30N60H3
Produktcode: 189125		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BIDNW30N60H3BournsIGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
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250+ 5.49 EUR
600+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BIDNW30N60H3Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247NL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9 EUR
30+ 7.13 EUR
120+ 6.11 EUR
510+ 5.43 EUR
1020+ 4.65 EUR
2010+ 4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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32+4.97 EUR
35+ 4.42 EUR
36+ 4.05 EUR
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500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BIDNW30N60H3BOURNSDescription: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BIDW20N60TBournsIGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7097 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.11 EUR
10+ 6.79 EUR
25+ 6.6 EUR
100+ 5.51 EUR
250+ 4.89 EUR
600+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BIDW20N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/48ns
Switching Energy: 1mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 192 W
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.03 EUR
30+ 6.37 EUR
120+ 5.46 EUR
510+ 4.85 EUR
1020+ 4.15 EUR
2010+ 3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BIDW20N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 192mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BIDW20N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW20N60T - IGBT, 40 A, 1.7 V, 192 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BIDW20N60T-XBournsBourns
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BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.27 EUR
150+ 3.09 EUR
300+ 2.92 EUR
600+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 48
BIDW30N60TBournsIGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.04 EUR
10+ 8.45 EUR
25+ 8.16 EUR
100+ 6.81 EUR
250+ 6.06 EUR
600+ 5.2 EUR
1200+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BIDW30N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.96 EUR
30+ 7.89 EUR
120+ 6.77 EUR
510+ 6.01 EUR
1020+ 5.15 EUR
2010+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.62 EUR
38+ 4.05 EUR
39+ 3.79 EUR
50+ 3.61 EUR
100+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BIDW30N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.62 EUR
38+ 4.05 EUR
39+ 3.79 EUR
50+ 3.61 EUR
100+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BIDW30N60T-XBournsBourns
Produkt ist nicht verfügbar
BIDW40N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.57 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 7.86 EUR
510+ 6.98 EUR
1020+ 5.98 EUR
2010+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BIDW40N65ES5BournsIGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.62 EUR
10+ 9.78 EUR
25+ 9.2 EUR
100+ 7.9 EUR
250+ 7.46 EUR
600+ 7.02 EUR
1200+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BIDW40N65H5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 111 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.57 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 7.86 EUR
510+ 6.98 EUR
1020+ 5.98 EUR
2010+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BIDW40N65H5BournsIGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.62 EUR
10+ 9.78 EUR
25+ 9.2 EUR
100+ 7.9 EUR
250+ 7.46 EUR
600+ 7.02 EUR
1200+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BIDW50N65TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 2883 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.84 EUR
30+ 10.18 EUR
120+ 8.73 EUR
510+ 7.76 EUR
1020+ 6.64 EUR
2010+ 6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BIDW50N65TBournsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BIDW50N65TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW50N65T - IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Verlustleistung: 416
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BIDW50N65TBournsIGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.95 EUR
10+ 10.89 EUR
25+ 10.87 EUR
100+ 8.81 EUR
250+ 7.83 EUR
600+ 6.71 EUR
1200+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BIDW50N65T-XBournsBourns
Produkt ist nicht verfügbar
BIDW75N65EH5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15 EUR
30+ 11.98 EUR
120+ 10.72 EUR
510+ 9.46 EUR
1020+ 8.51 EUR
2010+ 7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BIDW75N65EH5BournsIGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.11 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 11.73 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.17 EUR
600+ 9.49 EUR
1200+ 8.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BIDW75N65ES5BournsIGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.11 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 11.73 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.17 EUR
600+ 9.49 EUR
1200+ 8.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BIDW75N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
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