Produkte > F3L
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| F3L030E07-F-W2 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools Eval Driver Board for 650V Easy2B | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 117A 300W 14-Pin EASY2B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 117A 300W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 117 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 300 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 100A | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Produktreihe EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 32 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 650 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L100R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 375W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 375 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Enhancement IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK CoolSic Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L11MR12W2M1C01BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IC SIC MOSFET LOW POWER | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Part Status: Active | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1H_B19 Alpitronic | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET EASY STANDARD | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L11MR12W2M1H_B19 | Infineon Technologies | Eng. Samples | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1PB65BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1PB65BPSA1 | Infineon Technologies | SP001663910 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 335000mW 20-Pin EASY2B-2 Tray | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 335W euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 150A 335W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP001064170 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 150 A, 1.68 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Produktreihe EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.4 nF @ 650 V | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | EasyPACK module with active"NeutralPointClamp2" topology and PressFIT/NTC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 500W euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.7 nF @ 25 V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | EasyPACK module with active"NeutralPointClamp2" topology and PressFIT/NTC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L150R12W2H3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: F3L150R12W2H3B - IGBT | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | 1200 V Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | 1200 V Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 145 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V | auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 145 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 650V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 3432 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 680000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 680W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | SP003078298 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L200R07W2S5FB11BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 /CoolSiC-Schottky-Diode Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.38V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | High Speed IGBT Module Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2-8 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | High Speed IGBT Module Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules Medium Power | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 600W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1200V EASY2B-2 Packaging: Tray Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP001632282 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L200R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 700V EASY2B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 85A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L225R12W3H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.07V Dauer-Kollektorstrom: 175A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13100 pF @ 25 V | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 53-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 215W euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 19Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Max. off-state voltage: 650V Collector current: 300A Case: AG-ECONO4-1 Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 940W Technology: EconoPACK™ 4 Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Max. off-state voltage: 650V Collector current: 300A Case: AG-ECONO4-1 Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 940W Technology: EconoPACK™ 4 Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 650V | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940000mW 21-Pin ECONO4-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 300A 940W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 940 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 300A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 280A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT/NTC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | EconoPACK™4 module with Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT/NTC | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L300R12ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Econo Dual 3 Modul With Trench/Field Stopp IGBT4 Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L300R12ME4_B23 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12MT4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12MT4B22BOSA1 | Infineon Technologies | EconoPIM 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12MT4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12MT4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12MT4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12MT4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12MT4PB23BPSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface Material | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12PT4B26COSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A 1650000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12PT4B26COSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 460A 1650W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 460 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1650 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1 | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L300R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L300R12PT4_B26 | Infineon Technologies | IGBT Modules | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 600V 30A | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L400R07ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Econo Dual 3 Modul With Trench/Field Stopp IGBT4 Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07ME4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 400A 650V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L400R07ME4_B23 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 400A 650V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP003330346 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-1 Packaging: Tray Part Status: Not For New Designs | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | Infineon Technologies | SP005556646 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-7011 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.13V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY3B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 255 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 19 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R07W3S5B59BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.17 V, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench Stop 5 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17 Dauer-Kollektorstrom: 200 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 IGBT-Konfiguration: Sechserpack DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD PLUS | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R10W3S7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 235 A, 1.61 V, 20 mW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.61V Dauer-Kollektorstrom: 235A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 523-537 Tag (e) |
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| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | 3-Level IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD PLUS | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY3B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 220 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 71 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.2 nF @ 25 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R10W3S7FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 220 A, 1.4 V, 150 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950 Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter DC-Kollektorstrom: 220 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2150000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A 2150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2150 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2150000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 800A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | EconoPACK4 module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 800A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L400R12PT4_B26 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 154-168 Tag (e) |
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| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 75A 175W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 600V 50A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 600V 50A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY4B-7011 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY4B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.2 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L600R10W4S7FC22BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.63 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Schraub rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L600R10W4S7FH11BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 95A 250W 14-Pin EASY2B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 95A 250000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 95A 250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 75A | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 275 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors EASY STANDARD | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275000mW 22-Pin EASY1B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 275 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | SP005728116 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | F3L75R12W1H3BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311 Packaging: Tray | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311 Packaging: Tray Part Status: Active | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005679258 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L75R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA Supplier Device Package: AG-EASY2B Part Status: Active | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005562921 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| F3L9MR12W2M1F_B11 | Infineon Technologies | F3L9MR12W2M1F_B11 ***OPN not given yet*** | Produkt ist nicht verfügbar |