Produkte > GD4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|
| GD40014 | auf Bestellung 14038 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4001B | auf Bestellung 18700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4001BD | auf Bestellung 3781 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4002B | GS | 90+ DIP | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4007UB | LG | 90+ DIP | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4007UBD | SOP 0140+ | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4007UBD | GS SOP | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD400CLY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400CLY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 630A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 2.083kW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400CLY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400CLY120C2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400CUY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400CUY120C2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400CUY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400CUY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 630A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 2.083kW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400HFU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 660 A, 3.1 V, 2.66 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 660A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 2.66kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.66kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 660A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Case: C2 62mm Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Case: C2 62mm Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Case: C2 62mm Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Technology: Trench FS IGBT Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1700V Collector current: 400A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX170C2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400HFX170C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 648 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 2.38 Verlustleistung: 2.38 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 648 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400HFX65C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX65C2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400HFX65C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Dauer-Kollektorstrom: 509 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 1.26 Verlustleistung: 1.26 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 509 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400HFY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 2.083 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 630 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGU120C2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 549 A, 2.9 V, 2.659 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 Dauer-Kollektorstrom: 549 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9 Verlustleistung Pd: 2.659 Verlustleistung: 2.659 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 549 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGX170C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 648 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 2.38 Verlustleistung: 2.38 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 648 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD400SGX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: single transistor Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: single transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: single transistor Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1200V Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1200V Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD400SGY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65 Verlustleistung Pd: 2.083 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 630 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD4011BD | auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4012B | DIP | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4013B | LG | 00+ DIP | auf Bestellung 50030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4013B | N/A | auf Bestellung 1878 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD40163B | auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4017 | GOLDSTAR | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4019B | 90 | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4019B | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4020B | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4021B | 96 | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4021B | DIP | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4021BD | GS | SOP16 | auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4024B | LG | 94+ | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4025B | 91 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4025B | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4027B | GOLDSTAR | 1993 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4027B | GS | auf Bestellung 1099 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4028B | LG | 92+ DIP | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4030352ZA6N | KYOCERA AVX | Description: MICRO-W SLC Tolerance: -20%, +80% Packaging: Tray Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.040" L x 0.040" W (1.02mm x 1.02mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.007" (0.18mm) Capacitance: 3500 pF | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD4030B | GOLDALLASTAR | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4040B | DIP | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4040B | 93 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4049B | General Semiconductor | Description: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD4051B | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4053BD | auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4066BD | N/A | 96+ SOP | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4066BD | GS | 9030 | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4067B | GS | 06+ PLCC | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4069B | GS | DIP | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4069UB | GS | DIP | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4070B | GS | 03+ DIP14 | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4071B | auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4093B | DIP | auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD40PIY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD40PIY120C5S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD40PIY120C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 72 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 280 Verlustleistung: 280 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM DC-Kollektorstrom: 72 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD450HFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFX170C6S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HFX170C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD450HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 706 A, 1.85 V, 2.542 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 706A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 2.542kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.542kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 706A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD450HFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFX65C6S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C2 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C2 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HFY120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Dauer-Kollektorstrom: 680 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 2.173 Verlustleistung: 2.173 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 680 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HTX170C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 450A Case: C7 Electrical mounting: Press-in PCB; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HTX170C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 450A Case: C7 Electrical mounting: Press-in PCB; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HTY120C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 450A Case: C7 Electrical mounting: Press-in PCB; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 8 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD450HTY120C7S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 2.173 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 29 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 680 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |
| GD450HTY120C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7 Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 450A Case: C7 Electrical mounting: Press-in PCB; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |
| GD4510B | GS | 93+ DIP | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4511BD | auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4528B | 92 | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||
| GD4528BD | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4703B | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4723BJ | Rochester Electronics, LLC | Description: GD4723BJ | auf Bestellung 5565 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |
| GD4725 | auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4725B | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
| GD4731B | DIP | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |