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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
GD50AltechRelay Sockets & Fixings Relay socket, dr, for PCB
auf Bestellung 41 Stücke:
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GD50Altech CorporationDescription: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
GD50
Produktcode: 132797		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; RMB841,RMB851; PCB; for PCB; -40÷70°C
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Leads: for PCB
Related items: RMB841; RMB851
OEM number: 2613510
Number of pins: 8
Current rating: 8A
Type of relays accessories: socket
Rated voltage: 300V AC
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
30+ 2.39 EUR
40+ 1.82 EUR
42+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 29
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; RMB841,RMB851; PCB; for PCB; -40÷70°C
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Leads: for PCB
Related items: RMB841; RMB851
OEM number: 2613510
Number of pins: 8
Current rating: 8A
Type of relays accessories: socket
Rated voltage: 300V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1583 Stücke:
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GD500033Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
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GD500076Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
GD500566Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
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GD509CJ.08+ DIP
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FSX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 89A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Case: L2.1
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Case: L2.1
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50FSY120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15
Dauer-Kollektorstrom: 78
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15
Verlustleistung Pd: 414
Verlustleistung: 414
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 78
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFU120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFU120C1SDSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-MODUL, HALBBRÜCKE, 1.2KV, 82A
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 418W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: C1 34mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HHU120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
GD50HHU120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50MPS12-CALGeneSiC Semiconductor1200V 50A Bare Chip SiC Schottky MPS, Waffle Pack/s
Produkt ist nicht verfügbar
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+37.86 EUR
10+ 34.48 EUR
25+ 33.2 EUR
100+ 31.38 EUR
250+ 30.25 EUR
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.43 EUR
10+ 30.59 EUR
25+ 27.93 EUR
50+ 25.82 EUR
100+ 23.92 EUR
500+ 21.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
GD50MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.85 EUR
10+ 20.9 EUR
25+ 19.26 EUR
100+ 17.4 EUR
250+ 15.98 EUR
500+ 14.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+38.12 EUR
10+ 34.71 EUR
30+ 33.44 EUR
120+ 31.62 EUR
270+ 30.45 EUR
510+ 29.59 EUR
1020+ 29.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
GD50PIT120C6S
Produktcode: 144882		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIX120C6S
Produktcode: 194384		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 148
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: Siebenfach N-Kanal
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 12 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIY120C5SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 62A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: L3.0
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Case: L3.0
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
GD50PJX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 91A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GD52R090NBThinking Electronics Industrial Co.Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes
Tolerance: ±20%
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder No Lead
Mounting Type: User Defined
Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V
Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA)
Fail Short: No
Part Status: Active
Number of Poles: 2
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.59 EUR
10+ 5.15 EUR
15+ 4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
GD53-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
Produkt ist nicht verfügbar
GD53-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD53-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
Produkt ist nicht verfügbar
GD53-25LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
Produkt ist nicht verfügbar
GD53-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
Produkt ist nicht verfügbar
GD53-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
Produkt ist nicht verfügbar
GD5401T-41QC-A-TAB1A.08+ QFP
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5401T-41QCA-TAB1ACIRRUSQFP-128
auf Bestellung 8098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5425-TVQC-B-AEW1P
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5429-86QC-C
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5430NEC95+
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5434-QCQFP
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5434-QC95
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD544601+
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5465-HC-C-00001
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5465-HC-C-00005
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD5530622MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
Produkt ist nicht verfügbar
GD5530622ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
Produkt ist nicht verfügbar
GD55B01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 3.3V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD55B01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+30.13 EUR
10+ 27.92 EUR
25+ 27.27 EUR
100+ 23.89 EUR
250+ 23.63 EUR
1000+ 20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 3.3V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 128M x 8
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+29.93 EUR
10+ 27.71 EUR
25+ 27.08 EUR
50+ 26.94 EUR
100+ 23.71 EUR
250+ 22.54 EUR
500+ 22.31 EUR
GD55B01GEFJRRGigaDeviceNOR Flash
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GD55B01GEYIGYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55B02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+59.64 EUR
10+ 55.54 EUR
25+ 54.94 EUR
50+ 53.61 EUR
100+ 47.06 EUR
250+ 45.45 EUR
500+ 44.25 EUR
GD55LB02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LB02GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
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GD55LT512WEFIRRGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LX01GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LX01GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LX01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LX01GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LX01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+42.56 EUR
10+ 39.41 EUR
25+ 38.87 EUR
50+ 38.38 EUR
100+ 33.64 EUR
250+ 32.2 EUR
500+ 31.99 EUR
GD55LX01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: 1GBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, INDUS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
GD55SFantechDescription: STEEL DEHUMIDIFIER, 101 PINTS
Packaging: Box
Color: Black
Voltage: 115V
Material: Steel
Frequency: 60Hz
Temperature Range: 40 ~ 95°F
Weight: 50 lbs
Height: 21"
Approval Agency: cCSAus
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 6.8
Depth: 18"
Width (Inches): 13-1/2
Air Flow - High: 325 CFM
Coverage Square Feet: 5500
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2004.39 EUR
GD55WB512MEYIGYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD56V64164TC-5TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD56V64164TC-6TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCETSOPII54 07+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD56V64164TC-7TPGIGADEVLCE07+ TSOPII54
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GD57-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
Produkt ist nicht verfügbar
GD57-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
Produkt ist nicht verfügbar
GD57-25LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD57-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
Produkt ist nicht verfügbar
GD57-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD57-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.4-5.7GHZ N FEM
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-22LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-22Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 22DBI 5.8GHZ N FEMALE
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-26LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-26Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 26DBI 5.8GHZ N FEMALE
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-26-FEEDTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas FEED,MED,Wire Grid
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-26-FEEDTE ConnectivityFEED,MED,Wire Grid, 5725-5850MHz,26dBi,NF
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-29Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 29DBI 5.8GHZ N FEMALE
Produkt ist nicht verfügbar
GD58-29LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD58-29-FEEDLairdAntennas FEED,LRG,Wire Grid
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4REFIGRGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4RF9IGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /1.8V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UCYIGYGigaDeviceNAND Flash USE GD5F1GQ4UFYIGR
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UEFIGRGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UEYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /T&R
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 12249 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.58 EUR
10+ 11.41 EUR
25+ 11.16 EUR
50+ 11.1 EUR
100+ 9.95 EUR
250+ 9.92 EUR
500+ 9.55 EUR
1000+ 9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
GD5F1GQ4UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ4UFYIGYGigaDeviceNAND Flash 1Gbit SPI NAND Flash /3.3V /WSON 8*6 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5REWIGRGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5REWIGYGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.15 EUR
10+ 8.32 EUR
100+ 7.25 EUR
250+ 7.23 EUR
500+ 6.97 EUR
3000+ 5.88 EUR
6000+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
GD5F1GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GD5F1GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.89 EUR
10+ 8.09 EUR
100+ 7.07 EUR
250+ 7.05 EUR
500+ 6.76 EUR
3000+ 5.72 EUR
6000+ 5.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
GD5F1GQ5UEYIGRGigaDevice SemiconductorGD5F1GQ5UEYIGR
Produkt ist nicht verfügbar
GD5F1GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.89 EUR
10+ 8.09 EUR
100+ 7.07 EUR
250+ 7.05 EUR
500+ 6.76 EUR
1000+ 6.42 EUR
2500+ 6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
GD5F1GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.89 EUR
10+ 8.09 EUR
100+ 7.07 EUR
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GD5F1GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GM7REWIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GM7REWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GM7REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GM7REYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GM7UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GM7UEWIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GM7UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GM7UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ4RF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F2GQ4RF9IGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F2GQ4UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F2GQ4UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F2GQ4UF9IGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD I/O 8LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VLGA Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-LGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F2GQ4UFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 700µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F2GQ5REY2GYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5REY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GQ5REYIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5REYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5REYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5REYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5REYIHRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5REYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GQ5REYIHYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5REYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GQ5REYJGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5REYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5RFBIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5RFBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
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GD5F2GQ5RFYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5RFYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
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GD5F2GQ5RFZIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5RFZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
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GD5F2GQ5UEBIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEBIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5UEY2GYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEY2GYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5UEYIHRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEYIHRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GQ5UEYIHYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEYIHYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 512M x 4
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GD5F2GQ5UEYJGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UEYJGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5UEZIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 9 ns
Memory Organization: 256M x 8
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GD5F2GQ5UEZIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UFYIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F2GQ5UFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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GD5F4GM8REWIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8REWIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8REYIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8REYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8UEWIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8UEWIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
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GD5F4GM8UEYIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8UEYIGYGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GM8UEYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1G x 4
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GD5F4GQ4RBYIGRGigaDeviceNAND Flash
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GD5F4GQ4UCYIGYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
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GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
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GD5F4GQ6RFYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SPI NAND FLASH 4GB WSON8
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GD5V_20ATV2-0001VicorModular Power Supplies GD50A50A
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GD5V_5A-5V_5AVicorModular Power Supplies GD5V5A5V5A PAC
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GD5W-21P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
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GD5W-21P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
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GD5W-25P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
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GD5W-25P-NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 5.4GHZ GRID N FEM BRK 30"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 4.94GHz ~ 5.85GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 25dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: SHF (f > 4GHz)
Frequency (Center/Band): 5.4GHz
RF Family/Standard: WiFi
Power - Max: 100 W
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GD5W-25P-NFTE ConnectivityGrid,WireWB,195-30in,NF
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GD5W-28P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 4.9-5.8G 30"N FEM
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GD5W-28P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,WireWB,195-30in ,NF
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GD5W-29FEEDTE ConnectivityFEED,WB,LRG,Wire Grid,4900-5850MHz,29dBi,NF
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GD5W-29FEEDLairdAntennas FEED,WB,LRG,Wire Gri d
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GD5X125-B/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG, CABLE PROTECTOR
Packaging: Box
Color: Black
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+834.99 EUR
GD5X125-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: CABLE PROTECTOR, CHECKERS GUARD
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.875
Length (Inches): 36
Width (Inches): 19.75
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+689 EUR
GD5X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 5 CH GUARD DOG,LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 16.9
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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