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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GD50RELPOL S.A.GD50
auf Bestellung 6190 Stücke:
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35+5.03 EUR
100+4.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50Altech CorporationDescription: RELAY SOCKET DR FORPCB RM84RM85R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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20+3.83 EUR
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GD50AltechRelay Sockets & Fixings Relay socket, dr, for PCB
auf Bestellung 21 Stücke:
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260+3.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Accessories
Description: Socket; PIN: 8; 8A; 300VAC; PCB; for PCB; -40÷70°C; 31.5x13x9mm
Mounting: PCB
Body dimensions: 31.5x13x9mm
Related items: RMB841; RMB851
Current rating: 8A
Operating temperature: -40...70°C
Application - series/manufacturer: RM63; RM64; RM83; RM84; RM85; RM87L; RM87P; RM94
Leads: for PCB
OEM number: 2613510
Type of relays accessories: socket
Rated voltage: 300V AC
Number of pins: 8
auf Bestellung 4277 Stücke:
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26+3.32 EUR
28+3.15 EUR
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100+2.74 EUR
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GD50
Produktcode: 132797
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50RelpolКолодка для реле RMB841, RMB851, 8A/300VAC, на плату Реле електромеханічні та геркони
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GD500033Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD500076Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD500566Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells STS ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD509CJ.08+ DIP
auf Bestellung 625 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FSX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L2.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FSX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 89A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+82.06 EUR
5+71.82 EUR
10+61.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FSY120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: L3.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50FSY120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 380W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+134.49 EUR
5+117.44 EUR
10+100.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V
Verlustleistung Pd: 414W
Verlustleistung: 414W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 78A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 78A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50HFU120C1SDSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 440W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 82A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+90.06 EUR
5+78.66 EUR
10+67.52 EUR
50+66.46 EUR
100+64.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
Verlustleistung: 418W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+98.81 EUR
5+86.28 EUR
10+74.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.27 EUR
5+64.86 EUR
10+55.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50HHU120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+145.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HGENESICDescription: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 162nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.96 EUR
9+28.99 EUR
10+25.23 EUR
50+22.34 EUR
100+21.87 EUR
250+21.37 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HNavitas SemiconductorGD50MPS12H
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+33.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.53 EUR
120+21.16 EUR
270+19.98 EUR
510+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.58 EUR
10+24.63 EUR
30+23.42 EUR
120+22.51 EUR
270+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.5 EUR
10+27.76 EUR
25+26.74 EUR
100+25.28 EUR
250+24.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12HGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.53 EUR
120+20.69 EUR
270+19.24 EUR
510+18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIT120C6S
Produktcode: 144882
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIX120C6S
Produktcode: 194384
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
Verlustleistung: 148W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 72A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+143.72 EUR
5+125.5 EUR
10+107.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIY120C5SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIY120C5SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 62A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PJX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 50A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50PJX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 91A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+117.68 EUR
5+103.1 EUR
10+88.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GD52R090NBThinking Electronics Industrial Co.Description: Gas Discharge Tube 2-Electrodes
Number of Poles: 2
Part Status: Active
Fail Short: No
Impulse Discharge Current (8/20µs): 5000A (5kA)
Voltage - DC Spark Over (Nom): 90 V
Mounting Type: User Defined
Package / Case: Cylinder No Lead
Tolerance: ±20%
Packaging: Bag
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+4.14 EUR
15+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD53-21Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 21DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
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GD53-21LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GD53-25Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 25DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
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GD53-25TE Connectivity / Laird External AntennasAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.45 EUR
10+107.53 EUR
25+104.07 EUR
100+96.43 EUR
250+93.66 EUR
5000+93.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD53-28Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 28DBI 5.1-5.3GHZ N FEM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD53-28LairdAntennas Grid,Wire,Fixed,NF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD5401T-41QC-A-TAB1A.08+ QFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD5401T-41QCA-TAB1ACIRRUSQFP-128
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GD5425-TVQC-B-AEW1P
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD5429-86QC-C
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GD5430NEC95+
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GD5434-QCQFP
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GD544601+
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD5465-HC-C-00001
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GD5465-HC-C-00005
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GD5530622MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
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GD5530622ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 6200 pF
Produkt ist nicht verfügbar
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GD55B01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 128M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55B01GEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
Memory Organization: 128M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.86 EUR
10+20.29 EUR
25+19.66 EUR
50+19.18 EUR
100+18.71 EUR
250+18.31 EUR
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GD55B01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.88 EUR
10+20.31 EUR
25+19.68 EUR
50+19.21 EUR
100+18.72 EUR
250+18.33 EUR
1000+15.58 EUR
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GD55B01GEFJRRGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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GD55B01GEYIGYGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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GD55B02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.68 EUR
10+50.66 EUR
25+49.05 EUR
50+47.86 EUR
100+46.66 EUR
250+45.11 EUR
500+43.07 EUR
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GD55B02GEBIRY
Produktcode: 212325
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GD55B02GFB2RYGigaDevice
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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GD55F02GFB2RYGigaDevice
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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GD55F512MFWIGRGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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GD55LB01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LB01GEYAGRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: NOR FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LB01GEYAGRGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LB02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LB02GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LF01GFB2RYGigaDevice
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LF02GFB2RYGigaDevice
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT02GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT02GEB2RYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Memory Organization: 256M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT02GEBARYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Memory Organization: 256M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT02GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT02GEBIRYGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Memory Organization: 256M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT512WEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LT512WEFIRRGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEB2RYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEB2RYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEBARYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH
Packaging: Tray
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEBARYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEBIRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEBIRYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.61 EUR
10+45.03 EUR
25+43.6 EUR
50+42.53 EUR
100+41.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEBJRYGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: NOR FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEBJRYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEF2RRGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEF2RRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEFIRRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.75 EUR
10+44.22 EUR
25+42.83 EUR
50+41.77 EUR
100+40.73 EUR
250+39.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEFIRRGigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.Description: IC FLASH 1GBIT SPI/OCT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Octal I/O, DTR
Memory Organization: 128M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX01GEFIRRGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD55LX02GEBARYGigaDeviceNOR Flash
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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