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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs NCH 650V 20A ESD
auf Bestellung 7442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.06 EUR
10+14.28 EUR
100+10.66 EUR
500+9.62 EUR
3500+9.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.27 EUR
10+22.96 EUR
50+19.83 EUR
100+17.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.44 EUR
15+16.39 EUR
19+11.84 EUR
50+11.22 EUR
100+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8080K
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.72 EUR
10+14.53 EUR
100+10.92 EUR
500+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.3 EUR
25+23.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8080K
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.44 EUR
15+16.39 EUR
19+11.84 EUR
50+11.22 EUR
100+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Supplier Device Package: DFN8080AK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.46 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.29 EUR
29+8.21 EUR
100+5.46 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN8X8 650V 11A GAN
auf Bestellung 7292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+7.85 EUR
25+7.52 EUR
100+5.51 EUR
500+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.15 EUR
100+5.88 EUR
500+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2025TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+60.55 EUR
6+44.97 EUR
10+33.57 EUR
50+31.62 EUR
100+29.62 EUR
250+29.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2050TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2050TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31.5 A, 0.07 ohm, 6.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.87 EUR
10+25.41 EUR
12+18.8 EUR
50+17.62 EUR
100+16.65 EUR
250+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2050TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2050TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31.5 A, 0.07 ohm, 6.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.41 EUR
12+18.8 EUR
50+17.62 EUR
100+16.65 EUR
250+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2050TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.26 EUR
11+21.96 EUR
13+17.14 EUR
50+16.12 EUR
100+15.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2050TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2050TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGAN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07mohm
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.26 EUR
11+21.96 EUR
13+17.14 EUR
50+16.12 EUR
100+15.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TD-ZTRRohm SemiconductorDescription: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.76 EUR
11+22.55 EUR
12+18.68 EUR
50+17.61 EUR
100+16.52 EUR
250+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.76 EUR
11+22.55 EUR
12+18.68 EUR
50+17.61 EUR
100+16.52 EUR
250+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TD-ZTRROHM SemiconductorGaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.43 EUR
10+18.27 EUR
100+16.15 EUR
500+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TD-ZTRRohm SemiconductorDescription: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.79 EUR
10+16.58 EUR
100+13.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.3 EUR
10+15.02 EUR
100+12.86 EUR
1000+10.94 EUR
3500+10.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2070TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27.2 A, 0.098 ohm, 4.7 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.42 EUR
12+20.12 EUR
14+15.36 EUR
50+14.27 EUR
100+13.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2070TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2070TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27.2 A, 0.098 ohm, 4.7 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.42 EUR
12+20.12 EUR
14+15.36 EUR
50+14.27 EUR
100+13.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2130TEC-1-EVK-001ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVK has been released to evaluate the switching performance.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1159.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2130TEC-1-EVK-001Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR GNP2130
Packaging: Box
Voltage - Output: 24V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 4.17A
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: GNP2130
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 100W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1101.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GNP2130TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.04 EUR
24+10.07 EUR
100+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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GNP2130TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
auf Bestellung 1574 Stücke:
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1+14.36 EUR
10+9.73 EUR
100+7.12 EUR
500+6.89 EUR
1000+6.33 EUR
3500+5.87 EUR
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GNP2130TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.04 EUR
24+10.07 EUR
100+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер), Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 40 80, Рвих, Вт = 28, Uвх (AC), В = 170...250, Iвих1, А = 0,35, Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27, ККД, % = 85, Тексп, °С = -25...+50,... Джерела живлення Корпус: 247х37х27mm
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
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