Produkte > IGD
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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IGD-8-326-E1F12-BH-FA | Semikron | IGBT Module Stack | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD-8-424-P1F9-BH-FA | Semikron | IGBT MODULE STACK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD01N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | auf Bestellung 4996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A Power - Max: 45 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A Power - Max: 45 W | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGD03N120S7ATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 4945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD06N60T Produktcode: 94638
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IGD06N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | auf Bestellung 2256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IGD06N60TATMA1 SMD IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 11493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 12225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 12225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 13.7 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 31 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 2839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD08N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGD08N120S7ATMA1 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGD08N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 106 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD08N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD08N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGD08N120S7ATMA1 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGD08N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGD08N120S7ATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD08N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 106 W | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | SP004275478 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A | auf Bestellung 8945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT6 Trench and Field-stop Technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 75W euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 23A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A | auf Bestellung 8945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 5997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT6 Trench and Field-stop Technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 2702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD15N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 100W euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | SP004275482 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD515E | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IGD515EI | Power Integrations | Gate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD515EI | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 12V ~ 16V Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD515EI-34 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD515EI-34 | Power Integrations | Gate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD515EI1-34 | Power Integrations | Gate Drivers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD615A | 07+; | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IGD616 | Power Integrations | Power Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD616 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE Packaging: Box Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 14V ~ 16V Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 16A, 16A DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD616IC1 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE Packaging: Tray Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 14V ~ 16V Input Type: Inverting Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD616IT1 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE Packaging: Tray Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 14V ~ 16V Input Type: Inverting Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD616IT1 | Power Integrations | Power Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD616NT1 | Power Integrations | Power Management Modules IGD616 IGBT Driver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IGD616NT1 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE Packaging: Tray Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 14V ~ 16V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |