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IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
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IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
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IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
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IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
auf Bestellung 1178 Stücke:
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7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 9242 Stücke:
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1+3.64 EUR
10+2.28 EUR
100+1.5 EUR
500+1.25 EUR
2500+1.07 EUR
10000+0.9 EUR
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IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
100+2.34 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IGD06N60T
Produktcode: 94638
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IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 7184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
133+1.76 EUR
200+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 4631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+1.77 EUR
100+1.23 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 7184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
133+1.76 EUR
200+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
107+1.57 EUR
108+1.5 EUR
109+1.43 EUR
140+1.07 EUR
250+1.01 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.57 EUR
100+2.05 EUR
250+1.89 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.22 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.94 EUR
58+2.82 EUR
100+2.7 EUR
250+2.58 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
57+4.13 EUR
100+3.02 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+3 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.34 EUR
3000+2.18 EUR
6000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.23 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
63+3.71 EUR
100+2.87 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.27 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
67+3.5 EUR
100+2.76 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+3.09 EUR
100+2.64 EUR
250+2.51 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD515E07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+320.53 EUR
10+272.44 EUR
40+256.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+345.14 EUR
10+293.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD615A07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Box
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 16A, 16A
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Supplier Device Package: Module
Input Type: Inverting
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
DigiKey Programmable: Not Verified
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Supplier Device Package: Module
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
DigiKey Programmable: Not Verified
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Supplier Device Package: Module
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R140D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.55 EUR
5000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R140D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R140D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R140D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R140D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
68+3.46 EUR
100+2.27 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R200D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R200D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.3nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
77+3.03 EUR
106+2.03 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.11 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R270D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
89+2.62 EUR
123+1.75 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R500D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R500D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 3.4 A, 0.6 ohm, 0.53 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
103+2.26 EUR
153+1.4 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD70R500D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 3606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD962MicroPowerIGBT Drivers (hybrid integrated), +15/-10VDC, +5/-5A, isolation 3.750VCA Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH