Produkte > IGD

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
IGD-8-326-E1F12-BH-FASemikronIGBT Module Stack
Produkt ist nicht verfügbar
IGD-8-424-P1F9-BH-FASemikronIGBT MODULE STACK
Produkt ist nicht verfügbar
IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N60T
Produktcode: 94638		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 13654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.13 EUR
31+ 1.68 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.03 EUR
2500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 13654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.72 EUR
107+ 1.41 EUR
108+ 1.35 EUR
109+ 1.28 EUR
140+ 0.96 EUR
250+ 0.91 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IGD06N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2856 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.82 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.35 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.82 EUR
3000+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
Produkt ist nicht verfügbar
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
Produkt ist nicht verfügbar
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
Produkt ist nicht verfügbar
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.03 EUR
11+ 5.02 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.67 EUR
500+ 3.33 EUR
1000+ 2.89 EUR
3000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275478
Produkt ist nicht verfügbar
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.01 EUR
10+ 4.99 EUR
100+ 3.97 EUR
500+ 3.36 EUR
1000+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.8 EUR
10+ 4.82 EUR
100+ 3.84 EUR
500+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.2 EUR
13+ 4.19 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.91 EUR
1000+ 2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275482
Produkt ist nicht verfügbar
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
Produkt ist nicht verfügbar
IGD515E07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+425.41 EUR
10+ 361.59 EUR
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+428.45 EUR
10+ 364.18 EUR
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
Produkt ist nicht verfügbar
IGD615A07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: POWER MODULE GATE DRVR
Produkt ist nicht verfügbar
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: POWER MODULE GATE DRVR
Produkt ist nicht verfügbar
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: POWER MODULE GATE DRVR
Produkt ist nicht verfügbar
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
Produkt ist nicht verfügbar