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NVJD4152PT1GonsemiMOSFETs PFET SC88 20V 88MA 260MOH
auf Bestellung 26497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
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500+0.31 EUR
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3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4152PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 408123 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4158CT1GonsemiMOSFETs Complementary Small Signal MOSFET
auf Bestellung 7771 Stücke:
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10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
222+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
auf Bestellung 9844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
24000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
auf Bestellung 26958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
50+0.79 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
199+1.17 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 1.6Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.212A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.32 EUR
321+0.26 EUR
363+0.24 EUR
511+0.17 EUR
610+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1029+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
auf Bestellung 57176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.295A (6-TSSOP, SC-88, SOT-363) Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.27 EUR
1043+0.15 EUR
1153+0.13 EUR
1270+0.12 EUR
1413+0.1 EUR
1595+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 632 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
59+0.36 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1029+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1054+0.17 EUR
1153+0.14 EUR
1270+0.13 EUR
1413+0.11 EUR
1595+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1054 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06onsemiRF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
auf Bestellung 16597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
57+0.37 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
603+0.36 EUR
820+0.26 EUR
1298+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 16OH
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
336+0.69 EUR
603+0.36 EUR
820+0.26 EUR
1298+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS3151PT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
268+0.87 EUR
391+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 65842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
44+0.49 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
21000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
268+0.87 EUR
391+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GonsemiMOSFETs 20V 4.2A 60MOHM PFET
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GonsemiMOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mohm Automotive Version of the NTJS4405N
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
29+0.74 EUR
100+0.45 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH