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NVJD4152PT1GONSEMINVJD4152PT1G SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4152PT1GonsemiMOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.53 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.16 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4152PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 408123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4158CT1GONSEMINVJD4158CT1G Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GONSEMINVJD4401NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 50269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
31+0.58 EUR
100+0.40 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD4401NT1GonsemiMOSFET NFET SC88 20V 630MA 375MO
auf Bestellung 9999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+0.83 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
377+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1698+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1698
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
auf Bestellung 27040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.10 EUR
21000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
727+0.20 EUR
1204+0.12 EUR
1216+0.11 EUR
1266+0.10 EUR
1323+0.10 EUR
1384+0.09 EUR
1450+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 727
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
57+0.31 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06ON SemiconductorDual N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G-M06onsemiRF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
auf Bestellung 29550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.41 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 16OH
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
57+0.31 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GONSEMINVJD5121NT2G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GONSEMINVJS4151PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
21+0.84 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GonsemiMOSFET 20V 4.2A 60MOHM PFET
auf Bestellung 29874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.58 EUR
100+0.45 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GONSEMINVJS4405NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GonsemiMOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mohm Automotive Version of the NTJS4405N
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.56 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
29+0.62 EUR
100+0.38 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJS4405NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH