Produkte > NX7
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| NX7002AK | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK,215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 31428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | NXP | Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 633000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 8048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 2347 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 359600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 828000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Power dissipation: 325mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 6503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | auf Bestellung 11680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK,215 | NXP | Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 828000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology | auf Bestellung 904000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 135929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK-ES | ElecSuper | Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) TNX7002ak c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NX7002AK-HXY | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NX7002AK,215; NX7002AK HXY MOSFET TNX7002ak HXY Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NX7002AK.215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK.R | NXP USA Inc. | Description: NX7002AK.R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK2 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK2,215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA NX7002AK - SMALL SIGNAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK215 | NXP Semiconductors | Description: Nexperia NX7002AK - Small Signal Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AK215 | NXP | Description: NXP - NX7002AK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 391328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AK2R | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKA215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKAR | Nexperia | MOSFET NX7002AKA/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 59424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKS | auf Bestellung 8250 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NX7002AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia | MOSFETs SOT363 2NCH 60V .17A | auf Bestellung 227814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 220mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V | auf Bestellung 5345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia | Mosfet Array 60V 170mA 220mW Surface Mount 6-TSSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 220mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.06W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 11653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V | auf Bestellung 1681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKVL | Nexperia | MOSFET N-CH 60V SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 450000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 11653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKVL Produktcode: 178988
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| NX7002AKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .19A | auf Bestellung 24646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 450000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 19550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.1A Pulsed drain current: 0.68A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | auf Bestellung 14910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002AKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 4.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 158580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002AKW,115 | Nexperia | MOSFETs NX7002AKW/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKZ | Nexperia USA Inc. | Description: NX7002AK/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002AKZ | Nexperia | MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BK215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002BK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 192000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BK215 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA NX7002BK - SMALL SIGNAL Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKHH | Nexperia | MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A | auf Bestellung 22849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKHH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKHH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN0606-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKHH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKHH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKHH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKHH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKHH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V | auf Bestellung 24375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKM/S500YL | Nexperia USA Inc. | Description: NX7002BKMY-CHANNMOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKM/S500YL | Nexperia USA Inc. | Description: NX7002BKMY/L - N Channel MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V | auf Bestellung 11985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKM315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 42500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKMB315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMBYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMBYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMBYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMBYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKMBYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMBYL | Nexperia | MOSFETs NX7002BKMB/SOT883B/XQFN3 | auf Bestellung 25378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKMBYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMBYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKMYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKMYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX7002BKMYL | Nexperia | MOSFETs NX7002BKM/SOT883/XQFN3 | auf Bestellung 27776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NX7002BKMYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NX7002BKMYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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