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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NX7002AKNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NXPTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 633000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5051+0.035 EUR
318000+0.031 EUR
477000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 5051 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 8048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2476+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2476 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2347 Stücke:
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NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7093+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 7093 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 359600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.043 EUR
100000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
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NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 828000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6945+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6945 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7093+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 7093 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
758+0.11 EUR
893+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 11680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
132+0.15 EUR
215+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NXPTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 828000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6897+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6897 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 135929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
725+0.32 EUR
1346+0.15 EUR
2000+0.11 EUR
2332+0.092 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
auf Bestellung 904000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.043 EUR
100000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK-ESElecSuperTranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) TNX7002ak c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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NX7002AK-HXYHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NX7002AK,215; NX7002AK HXY MOSFET TNX7002ak HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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NX7002AK.215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI
Produkt ist nicht verfügbar
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NX7002AK.RNXP USA Inc.Description: NX7002AK.R
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NX7002AK2NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK2,215NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA NX7002AK - SMALL SIGNAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK215NXPDescription: NXP - NX7002AK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 391328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23584+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 23584 Stücke
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NX7002AK215NXP SemiconductorsDescription: Nexperia NX7002AK - Small Signal
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AK2RNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKA215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKARNexperiaMOSFET NX7002AKA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 59424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
19+0.18 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
599+0.39 EUR
962+0.23 EUR
1304+0.17 EUR
1511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
auf Bestellung 5345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
78+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaMosfet Array 60V 170mA 220mW Surface Mount 6-TSSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
599+0.39 EUR
962+0.23 EUR
1304+0.17 EUR
1511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS,115NexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 60V .17A
auf Bestellung 227814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.32 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.06W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
222+0.095 EUR
500+0.068 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperiaMOSFET N-CH 60V SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 450000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.55 EUR
794+0.3 EUR
1213+0.18 EUR
2097+0.1 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVL
Produktcode: 178988
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .19A
auf Bestellung 24646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
24+0.14 EUR
100+0.067 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.052 EUR
2500+0.05 EUR
5000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 450000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+0.55 EUR
794+0.3 EUR
1213+0.18 EUR
2097+0.1 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKWNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.12 EUR
910+0.094 EUR
1069+0.08 EUR
1235+0.069 EUR
1578+0.054 EUR
1608+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4588+0.038 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4588 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 14910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
191+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4609+0.038 EUR
6000+0.031 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 4.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 158580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
519+0.49 EUR
827+0.29 EUR
1337+0.15 EUR
1849+0.12 EUR
2097+0.1 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaMOSFETs NX7002AKW/SOT323/SC-70
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.043 EUR
100000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.027 EUR
13158+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 19550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2458+0.07 EUR
2794+0.062 EUR
9000+0.049 EUR
18000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 2458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKZNexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002AKZNexperia USA Inc.Description: NX7002AK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BK215NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BK215Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA NX7002BK - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1053+0.24 EUR
2151+0.11 EUR
2850+0.075 EUR
3013+0.071 EUR
3195+0.067 EUR
5000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1053 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.048 EUR
50000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V
auf Bestellung 24375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
213+0.099 EUR
248+0.084 EUR
295+0.071 EUR
325+0.064 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.057 EUR
2500+0.054 EUR
5000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1053+0.24 EUR
2151+0.11 EUR
2850+0.075 EUR
3013+0.071 EUR
3195+0.067 EUR
5000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1053 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNexperiaMOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A
auf Bestellung 22849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.18 EUR
39+0.088 EUR
100+0.067 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.058 EUR
2500+0.057 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.048 EUR
50000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKM/S500YLNexperia USA Inc.Description: NX7002BKMY/L - N Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
auf Bestellung 11985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11985+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKM/S500YLNexperia USA Inc.Description: NX7002BKMY-CHANNMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKM315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11357+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMB315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
20000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNexperiaMOSFETs NX7002BKMB/SOT883B/XQFN3
auf Bestellung 25378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.4 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.1 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.069 EUR
20000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
20000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMBYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
511+0.49 EUR
910+0.25 EUR
1859+0.12 EUR
2632+0.081 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMYLNexperiaMOSFETs NX7002BKM/SOT883/XQFN3
auf Bestellung 27776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
11+0.32 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.077 EUR
2500+0.071 EUR
10000+0.058 EUR
20000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
511+0.49 EUR
910+0.25 EUR
1859+0.12 EUR
2632+0.081 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX7002BKMYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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