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Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.67 EUR
15000+	0.63 EUR
30000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A060ZPTR

MOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RF4C050APTR

auf Bestellung 3465 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.09 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A060ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active

auf Bestellung 35921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.82 EUR
13+	1.62 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070APTR

Description: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V

auf Bestellung 3473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.63 EUR
15+	1.4 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070APTR

MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 7A

auf Bestellung 3107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.64 EUR
10+	1.31 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070APTR

Description: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ1A070ZPHZGTR

Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.84 EUR
103+	2.26 EUR
155+	1.39 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPHZGTR

Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPHZGTR

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.84 EUR
103+	2.26 EUR
155+	1.39 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPHZGTR

Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPHZGTR

MOSFETs TSMT8 P CHAN 12V

auf Bestellung 6063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.03 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.81 EUR
6000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V

auf Bestellung 5267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
12+	1.9 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPTR

MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A

auf Bestellung 407 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.28 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.94 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPTR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1A070ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C065UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.3 EUR
19+	1.11 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C065UNTR

MOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.48 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.36 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C065UNTR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 801 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.77 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 226 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C065UNTR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C065UNTR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C065UNTR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.77 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.65 EUR
2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 226 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C075UNTR

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 4471 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

265+	0.65 EUR
290+	0.6 EUR
299+	0.56 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 265 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C075UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C075UNTR

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 1925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.82 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 213 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C075UNTR

MOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 1861 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.64 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C075UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1C075UNTR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E050RPFRATR

Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E050RPFRATR

Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E050RPHZGTR

Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
17+	1.29 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E050RPHZGTR

MOSFETs Pch -30V -5A Small Signal MOSFET: RQ1E050RPHZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E050RPHZGTR

Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E050RPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.53 EUR
14+	1.51 EUR
100+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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RQ1E050RPTR

Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm

auf Bestellung 1260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
126+	1.84 EUR
190+	1.13 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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RQ1E050RPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ1E050RPTR

Description: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm

auf Bestellung 1260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.15 EUR
126+	1.84 EUR
190+	1.13 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

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RQ1E050RPTR

MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR

auf Bestellung 3310 Stücke:

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3+	1.62 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.7 EUR
6000+	0.65 EUR

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RQ1E070RPHZGTR

Description: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E070RPHZGTR

Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 2887 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.72 EUR
110+	2.12 EUR
156+	1.38 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR

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RQ1E070RPHZGTR

MOSFETs TSMT8 P CHAN 30V

auf Bestellung 5990 Stücke:

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2+	2.37 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RQ1E070RPHZGTR

Description: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RQ1E070RPTR

MOSFET MID PWR MOSFET SER

auf Bestellung 6245 Stücke:

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2+	2.37 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.98 EUR
6000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E070RPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E070RPTR

auf Bestellung 3000 Stücke:

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RQ1E070RPTR

auf Bestellung 7987 Stücke:

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9+	2.4 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.09 EUR

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RQ1E075VN TR

TSMT8

auf Bestellung 2723 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E075XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E075XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA

auf Bestellung 26828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.52 EUR
16+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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RQ1E075XNTCR

MOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the

auf Bestellung 12048 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.58 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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RQ1E100XNTR

MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1E100XNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1R50

SHARP

0222+

auf Bestellung 18373 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1V-CH-A115

General Purpose Relays Relay PCB SPDT 16A 120VAC

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.07 EUR
10+	20.67 EUR
25+	18.39 EUR
100+	16.54 EUR
250+	14.71 EUR
500+	13.78 EUR
1000+	12.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1V-CH-A24

Low Signal Relays - PCB Relay PCB SPDT 16A 24VAC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1V-CM-D24

Apem

Low Signal Relays - PCB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1V-CM-D24

Description: RELAY PCB SPDT 12A 24VDC

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1V-CM-D24

Description: IDEC - RQ1V-CM-D24 - POWER RELAY, SPDT, 24VDC, 12A, PC BOARD
tariffCode: 85364190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	10.58 EUR
25+	9.58 EUR
50+	9.38 EUR
100+	9.16 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ1V-CM-D24