Produkte > RU1

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
RU1
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0511D
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0511S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0512D
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0512S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0513D
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0513S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0514D
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-0514S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-1211D
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1-1211S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1005FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1005JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/8W 0402
Produkt ist nicht verfügbar
RU1088R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU10N08
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU120N15Q
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU12218TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU140N10
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
auf Bestellung 36515 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
auf Bestellung 36515 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1608FR012CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.012 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 12 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
auf Bestellung 18734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
25+ 1.08 EUR
31+ 0.84 EUR
50+ 0.71 EUR
100+ 0.56 EUR
250+ 0.47 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608FR024CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.024 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/4W 0603
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1608JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 91 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
RU1608JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/4W 0603
Produkt ist nicht verfügbar
RU16208TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1890B04HAA
auf Bestellung 4983 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU190N00
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU190N08
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU190N08R
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU190N08R N-Ch Power Mosfet 80V 190A 3,9 mOhm Ruichips
Produktcode: 150137		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
RU190N10Q
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU190N10R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1A
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 23465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.041 EUR
4167+ 0.036 EUR
4311+ 0.034 EUR
6000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; Idm: 0.4A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1802
RU1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
auf Bestellung 16402 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.98 EUR
66+ 0.8 EUR
122+ 0.43 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.17 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 54
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 31706 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.63 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.087 EUR
2500+ 0.081 EUR
5000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1802
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; Idm: 0.4A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
39+0.68 EUR
57+ 0.46 EUR
117+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RU1C001ZPTLROHM SEMICONDUCTORRU1C001ZPTL SMD P channel transistors
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1191+0.06 EUR
1676+ 0.043 EUR
1772+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1191
RU1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
auf Bestellung 3104 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
81+0.64 EUR
100+ 0.53 EUR
187+ 0.28 EUR
500+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 81
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RU1C002UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002UNTCL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 7994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1909+0.082 EUR
1920+ 0.078 EUR
2243+ 0.065 EUR
3000+ 0.059 EUR
6000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
RU1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
58+0.9 EUR
77+ 0.68 EUR
136+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 58
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1004+0.16 EUR
1037+ 0.15 EUR
2500+ 0.14 EUR
5000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1004
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 25850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 9062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.22 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.19 EUR
5000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 720
RU1C002ZPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
auf Bestellung 249740 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
77+0.68 EUR
113+ 0.46 EUR
274+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.086 EUR
45000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 77
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
9000+ 0.087 EUR
30000+ 0.085 EUR
75000+ 0.076 EUR
150000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 222650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1799+0.087 EUR
2101+ 0.072 EUR
2218+ 0.065 EUR
3000+ 0.063 EUR
6000+ 0.056 EUR
12000+ 0.051 EUR
24000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1799
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.2A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
auf Bestellung 160383 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
39+0.68 EUR
57+ 0.46 EUR
117+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.22 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.19 EUR
5000+ 0.18 EUR
10000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 720
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.2A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RU1CV1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1E002SPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1E002SPTCL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RU1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
auf Bestellung 30500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
61+0.86 EUR
73+ 0.72 EUR
137+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 61
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 13881 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
33+0.81 EUR
46+ 0.57 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 33
RU1J002YNROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
920+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
5000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 920
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 804000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.094 EUR
9000+ 0.078 EUR
30000+ 0.077 EUR
75000+ 0.069 EUR
150000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RU1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1J002YNTCL SMD N channel transistors
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
596+0.12 EUR
1155+ 0.062 EUR
1223+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 596
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 11749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
920+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
5000+ 0.14 EUR
10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 920
RU1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 275179 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
89+0.58 EUR
119+ 0.44 EUR
299+ 0.17 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 89
RU1J002YNTCL
Produktcode: 158853		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 810589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
129+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 51205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1598+0.098 EUR
1866+ 0.081 EUR
2000+ 0.074 EUR
6000+ 0.066 EUR
12000+ 0.06 EUR
24000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 1598
RU1K1120INTERSIL01+ SOP8P
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1K120INTERSIL88+ SOP8P
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1K160D-L608
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1L002SN TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RU1L002SNTLROHM SEMICONDUCTORRU1L002SNTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RU1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFET N-Channel MOSFET, 2.5V. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in
auf Bestellung 35801 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
82+ 0.64 EUR
200+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 30494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.63 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29
RU1L002SNTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1N12
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1P
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1PV1
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RU1V1
auf Bestellung 12314 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)