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RU1
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RU1005FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/8W 0402
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RU1005FR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 1% 1/8W 0402
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Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 30 mOhms
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RU1005FR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 1% 1/8W 0402
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Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 100 mOhms
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RU1005JR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 5% 1/8W 0402
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RU1005JR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 5% 1/8W 0402
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RU1005JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/8W 0402
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RU1005JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/8W 0402
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RU1088R
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RU10N08
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RU120N15Q
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RU12218TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
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RU140N10
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RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
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RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
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RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
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RU1608FR012CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.012 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 12 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR016CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.016 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 16 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
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Mindestbestellmenge: 18
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RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
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RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR024CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.024 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±400ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 30 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/4W 0603
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 100 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 100 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608JR016CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.016 OHM 5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 16 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 91 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1608JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/4W 0603
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU16208TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
auf Bestellung 1 Stücke:
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RU1890B04HAA
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RU190N00
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RU190N08
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU190N08R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU190N08R N-Ch Power Mosfet 80V 190A 3,9 mOhm Ruichips
Produktcode: 150137
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU190N10Q
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU190N10R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1AEICDiode Switching 600V 0.25A 2-Pin Case D-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1A
auf Bestellung 900 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.08 EUR
2500+0.08 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1802
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
auf Bestellung 16402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.66 EUR
10+0.54 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C001UNTCL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
60+0.29 EUR
148+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 23465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.04 EUR
4167+0.03 EUR
4311+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1802
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
auf Bestellung 7754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
13+0.23 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTLROHM SEMICONDUCTORRU1C001ZPTL SMD P channel transistors
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
203+0.35 EUR
1657+0.04 EUR
99000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 2313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
76+0.23 EUR
121+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 25596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
55+0.32 EUR
100+0.20 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 7994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1909+0.08 EUR
1920+0.07 EUR
2243+0.06 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1909
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1004+0.15 EUR
1037+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1004
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.46 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002UNTCL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
auf Bestellung 200186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
16+0.18 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002ZPTCL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 720
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
auf Bestellung 148037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
96+0.18 EUR
161+0.11 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 720
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 222500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2025+0.07 EUR
2370+0.06 EUR
2494+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
12000+0.04 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1CV1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1E002SPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1E002SPTCL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
auf Bestellung 30500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.58 EUR
10+0.49 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.10 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 9289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
65+0.27 EUR
104+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1J002YNROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 140359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
17+0.17 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 148705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
85+0.21 EUR
138+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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RU1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1J002YNTCL SMD N channel transistors
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
232+0.31 EUR
909+0.08 EUR
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RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1902+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
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RU1J002YNTCL
Produktcode: 158853
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RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 153 Stücke:
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RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2193+0.07 EUR
2513+0.06 EUR
2598+0.05 EUR
3237+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2193
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RU1K1120INTERSIL01+ SOP8P
auf Bestellung 650 Stücke:
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RU1K120INTERSIL88+ SOP8P
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RU1K160D-L608
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RU1L002SN TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RU1L002SNTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.10 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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RU1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFETs N-Channel MOSFET, 2.5V. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in
auf Bestellung 26929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
13+0.22 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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RU1L002SNTLROHM SEMICONDUCTORRU1L002SNTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 20898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
60+0.30 EUR
100+0.18 EUR
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1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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RU1N12
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1P
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1PV1
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1V1
auf Bestellung 12314 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH