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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
SI6001A
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SI6018-SALUTRONICSI6018-S Heatsinks - equipment
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SI6023-SALUTRONICSI6023-S Heatsinks - equipment
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SI602D
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SI60DC100Teledyne RelaysSolid State Relays - Industrial Mount
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SI61511
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SI61LV12816-12K
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SI62C-01200Утримувач MicroSim карти типу PUSH-PUSH відрізняється від SI63C-01200 і SI32C-01203 тим що має контакт наявності картки.
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SI62C256-45ULI
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SI630ESIS
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SI630ETSIS
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SI630SSIS
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SI630STSIS
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SI6331DQ
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SI638165TS-6G
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SI63C-01200Утримувач MicroSim карти типу Push/Push старе найменування SI32C-01203
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SI6402
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SI640207+
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SI6404DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6404DQVISHAYTSSOP-8
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SI6404DQ-T1VISHAYTSSOP8
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SI6404DQ-T1 TSSOP8VISHAY
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Si6404DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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Si6404DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Si6404DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6404DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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SI6404DQ-T1TSSOP8VISHAY
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SI6405DQVISHAYTSSOP-8
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SI6405DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6410N/A
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SI6410DQVISHAY
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SI6410DQVISHAYTSSOP-8
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SI6410DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6410DQ-T1
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Si6410DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
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Si6410DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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Si6410DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
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Si6410DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6410DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
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SI6410DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
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SI6413DQVISHAYTSSOP-8
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SI6413DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6413DQ-T1-E3
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SI6413DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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SI6413DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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SI6413DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
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SI6415SILICONIX
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SI6415
Produktcode: 92097		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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SI6415D-T1SILICON09+ .
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SI6415D-T1SILICONIX09+ .
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SI6415DQVISHAYTSSOP-8
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SI6415DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6415DQ-T1SILICONIX9920+
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SI6415DQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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13+4.32 EUR
15+ 3.61 EUR
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250+ 2.65 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 2.33 EUR
3000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SI6415DQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6415DQ
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12+4.34 EUR
14+ 3.9 EUR
100+ 3.15 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.14 EUR
3000+ 1.99 EUR
6000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6415DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
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SI6415DQ-T1-E3VISHAY
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SI6415DQ-T1-E3VISHAYSI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI6415DQ-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI6415DQ-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.03 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5610 Stücke:
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SI6415DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
auf Bestellung 5532 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6415DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6415DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6415DQ-T1-GE3VISHAYSI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6415DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6415DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6415DQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V
auf Bestellung 7633 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.26 EUR
1000+ 1.99 EUR
3000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SI6415DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
auf Bestellung 5069 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.26 EUR
10+ 3.53 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SI6421DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6421DQVISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6423ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10.3A T/R
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SI6423ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.78 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SI6423ADQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V P-CHANNEL (D-S)
auf Bestellung 38143 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.18 EUR
31+ 1.72 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
3000+ 0.9 EUR
6000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SI6423ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10.3A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6423ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10.3A T/R
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SI6423DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6423DQVISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6423DQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 8996 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
16+ 3.43 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.7 EUR
3000+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SI6423DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 22061 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
16+ 3.43 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.51 EUR
500+ 2.28 EUR
1000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SI6423DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-E3VISHAYSI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.83 EUR
95+ 1.6 EUR
96+ 1.53 EUR
111+ 1.27 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 86
SI6423DQ-T1-E3
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6423DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.57 EUR
74+ 2.04 EUR
75+ 1.94 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.32 EUR
500+ 1.15 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI6423DQ-T1-GE3VISHAYSI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI6423DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
auf Bestellung 7488 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.08 EUR
10+ 3.39 EUR
100+ 2.7 EUR
500+ 2.28 EUR
1000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SI6423DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6423DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.84 EUR
6000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6423DQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 9843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.42 EUR
14+ 3.95 EUR
100+ 3.2 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.18 EUR
3000+ 2.03 EUR
6000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6426VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6426VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6426DQFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
auf Bestellung 23244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1603+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
SI6426DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6426DQSISSOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6426DQ-T1SILICONIXSOP8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6426DQ-T1VTSHAY0315+
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6426DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6426DQ-TI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6433VISHAY
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6433SILICONIX
auf Bestellung 4317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6433BDQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6433BDQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6433BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6433BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6433BDQ-T1-E3
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SI6433BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6433BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6433BDQ-T1-GE3
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SI6433BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6433BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6433DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6433DQVISHAYTSSOP8
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SI6433DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V
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298+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 298
SI6433DQVISHAYTSSOP-8
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SI6433DQ-T1SILICONIX96
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SI6433DQ-T1SIL
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SI6433DQ-T1SIMSOP8
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Si6433DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6433DQ-TBBSILICONIX95
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SI6433DQT1
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SI6434
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SI6434DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6434DQVISHAYTSSOP-8
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SI6434DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6435VISHAY07+ TSSOP-8
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SI6435N/A
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SI6435VISHAYTSSOP-8
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SI6435 T81BBWVISHAYTSSOP-8
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SI6435ADQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6435ADQVISHAYTSSOP-8
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SI6435ADQ-T1
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SI6435ADQ-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7619DN-T1-GE3
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Si6435ADQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7619DN-T1-GE3
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SI6435ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.7A 8-Pin TSSOP T/R
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Si6435ADQ-T1-E3VISHAYSO-8
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Si6435ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
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Si6435ADQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6435ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
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SI6435ADQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7619DN-T1-GE3
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SI6435ADQ-T6Vishay / SiliconixMOSFET TSSOP8 SINGLE 30V P-CH, 4.5V RATED
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SI6435ADQ-TI
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SI6435DQVISHAYTSSOP-8
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SI6435DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6435DQonsemi / FairchildMOSFET 30V/25V PCh MOSFET
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SI6435DQ 435VISHAY09+ TSSOP-8
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SI6435DQ 435VISHAY
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SI6435DQ+-1Y
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SI6435DQ-T1ST2000 SMD
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SI6435DQ-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6423DQ-T1-GE3
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SI6435DQ-T1SI00+
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Si6435DQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6423DQ-T1-GE3
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Si6435DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6435DQ-T6Vishay / SiliconixMOSFET TSSOP8 SINGLE PMOS 30V 0.045R
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SI6436DQVISHAY09+
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SI6436DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6436DQVISHAYTSSOP-8
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SI6436DQ-T1
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SI6441DQVISHAYTSSOP-8
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SI6441DQVISHAY07+ TSSOP-8
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Si6441DQ-T1VISHAY07+ TSSOP-8
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Si6441DQ-T1VISHAYTSSOP-8
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SI6441DQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.0A 1.08W
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SI6441DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V
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SI6443DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6443DQVISHAYTSSOP-8
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SI6443DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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SI6443DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6443DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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SI6443DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6443DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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SI6443DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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SI6447N/A
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SI6447DQSI07+ SSOP8
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SI6447DQVISHAYTSSOP-8
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SI6447DQSISSOP8
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SI6447DQ-T1
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Si6447DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6459
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SI6459BDQVISHAYTSSOP-8
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SI6459BDQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6459BDQ-T1VISHAYTSSOP-8
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SI6459BDQ-T1VISHAY07+ TSSOP-8
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SI6459BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-E3VISHAY0843+
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SI6459BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6459DQSISSOP8
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SI6459DQSI07+ SSOP8
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SI6459DQVISHAYTSSOP-8
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SI6459DQ 459VISHAY
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SI6459DQ 459VISHAY09+ TSSOP-8
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SI6459DQ-T1VISHAY03+ TSSOP8
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SI6459DQ-T1VISHAY
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Si6459DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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Si6459DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6463ADQ
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SI6463ADQ-T1SILICON0448+
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Si6463ADQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6463BDQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6463BDQVISHAY
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SI6463BDQVISHAY08+ TSSOP-8
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SI6463BDQ-TVISHAY
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SI6463BDQ-T1-E3VISHAY0830+
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SI6463BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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SI6463BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6463DQVISHAYTSSOP-8
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SI6463DQSI07+ SSOP8
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SI6463DQVISHAY
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SI6463DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5045 pF @ 10 V
auf Bestellung 4850 Stücke:
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704+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 704
SI6463DQSISSOP8
auf Bestellung 23600 Stücke:
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SI6463DQ 463VISHAY09+ TSSOP-8
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SI6463DQ 463VISHAY
auf Bestellung 7100 Stücke:
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SI6463DQ-T
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SI6463DQ-T1SI99
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SI6463DQ-T1VISHAYTSSOP8
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SI6463DQ-T1SILICONIXSOIC 8
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Si6463DQ-T1-E3VISHAY04+
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Si6463DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6463DQ-T1TSSOP8
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SI6465DQ
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SI6465DQ-T1
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SI6465DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6465DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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SI6465DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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SI6465DQ-T1SSOP-8
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SI6465DQ-TI
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SI6466VISHAYTSSOP-8
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SI6466VISHAY07+ TSSOP-8
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SI6466SILICONIX
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SI6466ADQVISHAYTSSOP-8
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SI6466ADQVISHAY
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SI6466ADQ-T1VISHAYTSSOP-8
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Si6466ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Si6466ADQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6466ADQ-T1-GE3
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SI6466ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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SI6466DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6466DQFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 3040 Stücke:
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SI6466DQSISSOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SI6466DQ-T1VISHAYSSOP-16
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SI6466DQ-T1SILICONIX98+
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Si6466DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6467SILICONIX
auf Bestellung 2300 Stücke:
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SI6467BD
auf Bestellung 9200 Stücke:
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SI6467BDQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6467BDQVISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Si6467BDQ-T1
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SI6467BDQ-T1*
auf Bestellung 12950 Stücke:
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SI6467BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
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SI6467BDQ-T1-E3
auf Bestellung 15000 Stücke:
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SI6467BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6467BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SI6467BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6467BDQ-TIVISHAYTSSOP8 05+
auf Bestellung 518 Stücke:
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SI6467DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6467DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI6467DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 1830 Stücke:
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1255+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1255
SI6467DQVISHAY
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SI6467DQSISSOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6467DQ-PI
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6467DQ-T1SI02+ TSSOP8
auf Bestellung 5182 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6467DQ-T1VISHAYTSSOP8
auf Bestellung 15000 Stücke:
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SI6467DQ-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 2970 Stücke:
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SI6467DQ-T1 TSSOP8VISHAY
auf Bestellung 36200 Stücke:
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Si6467DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6467DQ-T1TSSOP8
auf Bestellung 36200 Stücke:
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SI6467DY-T1VISHAYSOP-8
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SI6469N/A
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SI6469DQSI07+ SSOP8
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SI6469DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6469DQSISSOP8
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SI6469DQ-T1SI01+
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Si6469DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Si6469DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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Si6469DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6469DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8.0V 6.0A 1.5W 28mohm @ 4.5V
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SI6469DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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SI6473DQVISHAYTSSOP-8
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SI6473DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6473DQ-T1
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Si6473DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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Si6473DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6473DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6473DQ-TI
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SI6475DQVISHAYTSSOP-8
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SI6475DQVISHAY07+ TSSOP-8
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SI6475DQ-T1-E3VishayP-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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SI6475DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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SI6475DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6475DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 10A 1.75W 11mohm @ 4.5V
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SI65-100
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SI65-220
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SI65-270
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SI650107+
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SI6501
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SI65424TSI96+ SOP-
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SI6542DQ-T1SI97
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Si6542DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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Si6542DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6542TRBIT97+ SOP-16
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SI6543SILICONIX
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SI6543DQSISSOP8
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SI6543DQSI07+ SSOP8
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SI6543DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6543DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 3.9A/2.5A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6543DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6543DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 3.9A/2.5A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6544N/A
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SI6544BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SI6544BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-TI-E3VISHAY
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SI6544DQSISSOP8
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SI6544DQSI07+ SSOP8
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SI6544DQ-T1VISHAYSOP-8
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SI6544DQ-T1VISHAY
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SI6544DQ-T1-E3VISHAY04+
auf Bestellung 15000 Stücke:
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SI6544DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6544DQ-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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SI6544DQ-TIVISHAY0520+ SSOP8
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SI6552SILICONIX
auf Bestellung 1404 Stücke:
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SI6552DQ
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SI6552DQ-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Si6552DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6552DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6562CDQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6562CDQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.34 EUR
14+ 1.93 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6562CDQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MO
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.04 EUR
3000+ 0.98 EUR
6000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
SI6562CDQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.98 EUR
6000+ 0.93 EUR
9000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
auf Bestellung 24774 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.37 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 22
SI6562CDQ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Power dissipation: 1/1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23/51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562CDQ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Power dissipation: 1/1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23/51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 14443 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.34 EUR
14+ 1.93 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6562CDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562CDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562DQ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6562DQ-T1VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 4.5A/3.5A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562DQ-T1VISHAY04+ SOP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6562DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 4.5A/3.5A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Si6562DQ-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6562DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Si6562DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6562DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6562DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 4.5A/3.5A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6562DQ-T1-GE3
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6612A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6680S
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6690AS
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6801SILICONIX
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6801DQ-T
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6801DQ-T1SILICON97+
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6801DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6802DQ-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6802DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6802DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6803DQ-T1SILICONIX9837
auf Bestellung 7150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6803DQ-T1SILI00+ SSOP
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6803DQ-T1VISHAY
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6803DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6803DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6803DQ-TIVISHAY 05+ TSSOP
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6803DQ-TI
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6803Q-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6820DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6820DQSISSOP8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6820DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6820DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6821
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SI6821DQ-T1
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Si6821DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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Si6823AL
auf Bestellung 122000 Stücke:
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Si6862DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
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Si6862DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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SI6866SILICONIX
auf Bestellung 731 Stücke:
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SI6866DQ
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Si6866DQ-T1SI
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Si6866DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6866DQ-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6866DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6869
auf Bestellung 500 Stücke:
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SI6874SILICONIX
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SI6874EDQVISHAY
auf Bestellung 300 Stücke:
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SI6874EDQ-T1
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Si6874EDQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6874EDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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SI6875DQ-T1VISHAY2002+
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Si6875DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6875DY-T1-E3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6876BEDQ-T1-E3
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SI6876EDQ-T1
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Si6876EDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6876EDQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
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SI6880AEDQ-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI6880EDQ-T1
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Si6880EDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6880EDQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6912DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6912DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6913SILICONIX
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SI6913DQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSF
auf Bestellung 20997 Stücke:
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11+4.99 EUR
13+ 4.13 EUR
100+ 3.41 EUR
3000+ 2.94 EUR
6000+ 2.89 EUR
9000+ 2.83 EUR
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SI6913DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6913DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
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SI6913DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6913DQ-T1-E3VISHAYSI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
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SI6913DQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 2900 Stücke:
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14+3.9 EUR
16+ 3.3 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SI6913DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3950 Stücke:
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167+0.94 EUR
168+ 0.9 EUR
170+ 0.86 EUR
172+ 0.81 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 167
SI6913DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
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SI6913DQ-T1-E3
auf Bestellung 200000 Stücke:
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SI6913DQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
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17+3.15 EUR
21+ 2.59 EUR
100+ 2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17
SI6913DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 576 Stücke:
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86+1.83 EUR
102+ 1.49 EUR
103+ 1.41 EUR
132+ 1.06 EUR
250+ 1 EUR
500+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 86
SI6913DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 11110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
11+ 2.53 EUR
100+ 1.96 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SI6913DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6913DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.28 EUR
6000+ 1.22 EUR
9000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6913DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6913DQ-T1-GE3VISHAYSI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI6923VISHAY
auf Bestellung 93000 Stücke:
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SI6923DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
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SI6923DQSILICONIX09+
auf Bestellung 175 Stücke:
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SI6923DQSISSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6923DQ-T1SILICONIXSI2003
auf Bestellung 249207 Stücke:
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SI6923DQ-T1SILICONI
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SI6923DQ-T1SI99+ TSOP
auf Bestellung 2717 Stücke:
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SI6923DQ-T1-E3
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SI6923DQT1VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6924AEDQVISHAY
auf Bestellung 300 Stücke:
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SI6924AEDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
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SI6924AEDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
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SI6924AEDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
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SI6924AEDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
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SI6924ESILICONIX
auf Bestellung 211 Stücke:
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SI6924EDQSILICON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6924EDQ-T1VISHAY
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6924EDQ-T1SILICONIXSSOP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6924EDQ-T1VISHAY2004
auf Bestellung 1245 Stücke:
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SI6925N/A
auf Bestellung 54 Stücke:
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SI6925ADQVISHAY05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6925ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
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SI6925ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
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SI6925ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
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SI6925ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
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SI6925DQ-T1
auf Bestellung 2120 Stücke:
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Si6925DQ-T1-E3VISHAY0517+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Si6925DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6925DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6926ADQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.19 EUR
6000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6926ADQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 8985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.89 EUR
12+ 2.36 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SI6926ADQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOS
auf Bestellung 17860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
22+ 2.37 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.67 EUR
3000+ 1.42 EUR
6000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 18
SI6926ADQ-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 44372 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
29+ 1.84 EUR
100+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SI6926ADQ-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
15+ 1.83 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6926ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
15+ 1.83 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6926ADQ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.31 EUR
133+ 1.13 EUR
135+ 1.08 EUR
175+ 0.8 EUR
250+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 120
SI6926ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.18 EUR
135+ 1.12 EUR
175+ 0.83 EUR
250+ 0.79 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 133
SI6926ADQ-T1-GE3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6926ADQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
29+ 1.84 EUR
100+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SI6926ADQ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926ADQ-TE2SOP-8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6926AEDQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 0.83W
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926AEDQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
SI6926DQVISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6926DQ-T1SILIMSOP8
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6926DQ-T1SILICONIX1999
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6926DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6926DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6926EDQ-T1
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6928SILICONIX
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6928DQ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6928DQ-T1
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Si6928DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
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Si6928DQ-T1-E3VISHAYMSOP8
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Si6928DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
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SI6928DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 8-Pin TSSOP T/R
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Si6928DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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Si6928DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6928DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6928DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
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SI6928DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
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SI6928DQ-TI-E3
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SI6932DQ-T1
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SI6933SILICONIX
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SI6933DQVISHAY
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SI6933DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
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614+1.29 EUR
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SI6933DQ-T1
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SI6933DQ-T1-E3VISHAYSSOP8
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SI6933DQ-T1-E3VISHAY0717NO
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SI6933DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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SI6933DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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SI6943SILICONIX
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SI6943BSILICONIX
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SI6943BDQ-T1
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SI6943BDQ-T1-E3VISHAYTSSOP8 05+
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SI6943BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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SI6943BDQ-T1-E3VISHAY05+ TSSOP8
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SI6943BDQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6943BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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SI6943BDQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6943BDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6943BDQ-T1-GE3
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SI6943BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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SI6943DSILICONIXTSOP8
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SI6943DQVISHAYTSSOP8
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SI6943DQVISHAY07+ TSSOP8
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SI6943DQ-T1SILICONIX9724
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SI6943DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6943DQ-TI
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SI6946SILICONIX
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SI6946DQ
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Si6946DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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Si6946DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6946DQ-TISILICONIXTSSOP8
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SI6953DQ07+ TSSOP8
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SI6953DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1500 Stücke:
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919+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 919
SI6953DQ
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SI6953DQTSSOP8
auf Bestellung 13500 Stücke:
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SI6953DQ-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Si6953DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6954SILICONIX
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SI6954AD
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SI6954ADQ
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SI6954ADQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.13 EUR
6000+ 1.07 EUR
9000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6954ADQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY
auf Bestellung 17390 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.73 EUR
24+ 2.24 EUR
100+ 1.74 EUR
500+ 1.55 EUR
3000+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
SI6954ADQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
12+ 2.23 EUR
100+ 1.73 EUR
500+ 1.47 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Si6954ADQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6954ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
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Si6954ADQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
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24+2.23 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Si6954ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.84 EUR
6000+ 0.79 EUR
9000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Si6954ADQ-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Si6954ADQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6954ADQ-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI6954ADQ-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Si6954ADQ-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI6954ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Si6954ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 23845 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
14+ 1.91 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI6954ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6954ADQ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SI6954ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 5043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
16+ 1.66 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SI6954ADQ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI6954ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6954ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI6954ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6954ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.87 EUR
180+ 0.84 EUR
216+ 0.67 EUR
250+ 0.64 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 179
SI6954ADQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 101196 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.03 EUR
32+ 1.67 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
SI6954ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.99 EUR
179+ 0.84 EUR
180+ 0.81 EUR
216+ 0.65 EUR
250+ 0.62 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 158
SI6954ADYVISHAY2005 SOP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6954DQ-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6954DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6954DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955ADQ
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955ADQ-T1
auf Bestellung 10240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6955ADQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6955ADQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6955ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6955ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6955DQ
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 8528 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
807+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 807
SI6955DQ 955VISHAY09+ TSSOP-8
auf Bestellung 3350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955DQ 955VISHAY
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955DQ-T1SILOSOP-8
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6955DQ-T1VISHAY
auf Bestellung 171200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6955DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6955DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6956SILICONIX
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6956DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6956DQSISSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6956DQ-T1SILICONIX96
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6956DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6956DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6963SILICONIX
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6963BDQ
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SI6963BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
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SI6963BDQ-T1-E3VISHAY06+NOP
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SI6963BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
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SI6963BDQ-T1-E3VISHAY09+
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SI6963BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
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SI6963BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
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SI6963BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
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SI6963DQVISHAY
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SI6963DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
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1210+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1210
SI6963DQ 963VISHAY09+ TSSOP-8
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SI6963DQ 963VISHAY
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SI6963DQ-TSI1998
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SI6963DQ-T1VISHAYMSOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI6963DQ-T1SILIVONIX9927+
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Si6963DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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Si6963DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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Si6963DQ-T1-E3VISHAY
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SI6963DQ-T1SOP-8VISHAY
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SI6963EDQ
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SI6965DQVISHAY
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SI6965DQ-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Si6965DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6966SILICONIX
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SI6966DFFRVishayVishay 6966-TNCE02-2 DIE ON EXPANDED FOIL
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SI6966DQonsemi / FairchildMOSFET TSSOP8 DUAL NCH
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SI6966DQVISHAY
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SI6966DQ-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6966DQ-T1SILICON04+
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SI6966DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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SI6966DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6966DQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6966DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6966DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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SI6966DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6966DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6966DQ-T6Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N-CH, 30Mohm, 32M CELL TRENCH
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SI6966EDG-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6966EDQ-T1
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SI6966EDQ-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6966EDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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SI6966EDQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6966EDQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6966EDQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6966EDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6966EDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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SI6967DQVISHAY
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SI6967DQ-1Y
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SI6967DQ-T1VISHAY
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SI6967DQ-T1SI2000+
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SI6967DQ-T1SI09+
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Si6967DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6967DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
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Si6967DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6967DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
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SI6967DQ-T1SOP-8VISHAY
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SI6967DYQ
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SI6967DYQ SSOP-8VISHAY
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SI6967DYQSSOP-8VISHAY
auf Bestellung 18000 Stücke:
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SI6968GENERAL2000 SOP
auf Bestellung 2080 Stücke:
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SI6968-5300GS0252+ TSSOP8
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SI6968ADQVISHAY
auf Bestellung 180 Stücke:
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SI6968ADQ-T1SI2 SSOP-8
auf Bestellung 2750 Stücke:
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Si6968ADQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6968ADQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6968AEDQ
auf Bestellung 1200 Stücke:
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SI6968BEDQSiliconix2x N-MOSFET 5.2A 20V 1W 0.0022Ω SI6968BEDQ TSI6968bedq
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
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30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
SI6968BEDQ-5A
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SI6968BEDQ-5C(6968
auf Bestellung 7082 Stücke:
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SI6968BEDQ-T1VISHAY
auf Bestellung 69200 Stücke:
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SI6968BEDQ-T1VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 46000 Stücke:
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SI6968BEDQ-T1VISHAY09+
auf Bestellung 8026 Stücke:
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SI6968BEDQ-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 11949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968BEDQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6968BEDQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI6968BEDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.2 EUR
10+ 2.62 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SI6968BEDQ-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI6968BEDQ-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI6968BEDQ-T1-E3 - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 5.2A, TSSOP-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI6968BEDQ-T1-E3VISHAY07+ SOP16
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968BEDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
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SI6968BEDQ-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SI6968BEDQ-T1-E3VISHAYMSOP8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968BEDQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 12V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 138283 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.21 EUR
6000+ 1.19 EUR
9000+ 1.16 EUR
24000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SI6968BEDQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6968BEDQ-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968BEDQ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SI6968BEDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.76 EUR
222+ 0.68 EUR
224+ 0.65 EUR
227+ 0.62 EUR
259+ 0.52 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 206
SI6968BEDQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 12V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 8920 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
27+ 1.97 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SI6968BEDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.79 EUR
17+ 1.56 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SI6968BEDQ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI6968BEDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI6968BEDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SI6968BEDQ-T1-GE3
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968BEDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6968BEDQ-T1-T1-E
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968DQVISHAY
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6968DQ-T1-E3VISHAY0525+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6968DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6968DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968ESILICONIX2002 TSSOP
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968EDQVISHAY
auf Bestellung 1500 Stücke:
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SI6968EDQ-T1
auf Bestellung 16403 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6968EDQ-T1-A-E3
auf Bestellung 3928 Stücke:
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Si6968EDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6968EDQ-T1-REVA
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SI6969VISHAY04+ IC
auf Bestellung 3100 Stücke:
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SI6969BDQ-T1-E3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6969BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6969BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI6969BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
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SI6969BEDQ-T1-GE3VishayDual P-Ch MOSFET TSSOP-8 12V 55mohm @ 1.8V- Lead(Pb) and Halogen Free
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SI6969DQVISHAY
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6969DQ 969VISHAY
auf Bestellung 5950 Stücke:
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SI6969DQ 969VISHAY09+ TSSOP-8
auf Bestellung 6950 Stücke:
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SI6969DQ-T1VISHAYTSSOP8
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SI6969DQ-T1SI00+
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SI6969DQ-T1 TSSOP8VISHAY
auf Bestellung 48200 Stücke:
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SI6969DQ-T1-E3VISHAY06+ TSSOP8
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SI6969DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
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SI6969DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6969DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
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SI6973SILICONIX
auf Bestellung 685 Stücke:
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SI6973DQSI04+
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6973DQVISHAY
auf Bestellung 170 Stücke:
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SI6973DQ-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Si6973DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6973DQ-T1-E3VISHAYMSOP8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Si6973DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI6973DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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