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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
STQ-1016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-1016SIRENZA04+;
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STQ-1016Z
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STQ-2016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-2016SIRENZA04+;
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STQ-2016SIRENZA
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STQ-2016-3SirenzaTSSOP16 70-2500 MHz Direct Quadrature Modulator
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STQ-2016-3RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-2016-3ZSIRENZA0647
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STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-2016ZSIRENZA
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STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-3016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
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STQ-3016SIRENZA04+;
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STQ1016
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STQ1016Znew
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STQ1016ZSTQ1016Z07NOPB
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STQ124-1022
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STQ124-8222
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STQ124A-8222
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STQ125-100
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STQ125-1022A
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STQ125-8 222
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STQ125-8222
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STQ125A-7322A
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STQ125R-1018PF
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STQ127-7622
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STQ127R-2R2
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STQ127R-2R210AP
auf Bestellung 8700 Stücke:
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STQ1553-3iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1.25CT:1CT, 1.66CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm)
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STQ1553-3iNRCOREPulse Transformers
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STQ1553-45iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED M PBC
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:2.5CT, 1CT:1.79CT
Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm)
Part Status: Active
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1+212.52 EUR
10+ 205.44 EUR
25+ 191.27 EUR
STQ1553-45iNRCOREPulse Transformer 1CT:2.5CT/1CT:1.79CT 100Vrms 1Ohm Prim. DCR 3.5Ohm Sec. DCR 16 Terminal PC Pin Thru-Hole
auf Bestellung 33 Stücke:
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STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
auf Bestellung 1274 Stücke:
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STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
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STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
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STQ1HNK60R
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STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.25A; Idm: 1.6A; 3W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO92
On-state resistance: 8.5Ω
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.25A; Idm: 1.6A; 3W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO92
On-state resistance: 8.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 3852 Stücke:
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2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
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STQ1HNK60R-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 5204 Stücke:
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STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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STQ1HNK60R-AP
Produktcode: 103680		Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
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STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 3593 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.56 EUR
20+ 1.34 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.57 EUR
39+ 1.35 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.67 EUR
2000+ 0.59 EUR
4000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 34
STQ1NC40
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45R
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45R*********
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45R************
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45R-APSTMTO-92 05+
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45R-AP
Produktcode: 61971		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.82 EUR
233+ 0.65 EUR
236+ 0.62 EUR
329+ 0.42 EUR
477+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 191
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.57 EUR
39+ 1.34 EUR
100+ 1.02 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.66 EUR
2000+ 0.58 EUR
10000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 34
STQ1NC45R-APST09+
auf Bestellung 127998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NC45RA
auf Bestellung 14720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC45RAP
auf Bestellung 24745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NC60R-AP
auf Bestellung 3239 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NE10LSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 100V - 0.3 Ohm - 1A TO-92 STripFET™, POWER MOSFET
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STQ1NE10L-AP
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NE10LAPS
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NK60ZRST06+ TO-92
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NK60ZR(Transistor)
Produktcode: 47888		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STQ1NK60ZR-
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
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STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.31 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 17
STQ1NK60ZR-APSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK60ZR-AP
Produktcode: 85095		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-9
auf Bestellung 4843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 47
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK60ZR-AP$F1STTO-92 08+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NK60ZR-AP$V3
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NK80ZR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+ 0.5 EUR
6000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
16+ 1.65 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.03 EUR
32+ 1.66 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.89 EUR
2000+ 0.84 EUR
4000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NK80ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1NK80ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 31851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+ 0.5 EUR
6000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STQ1NR60ZR-AP
auf Bestellung 20697 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2016ST
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2016-3Z
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2016Z
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2HNK60ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1836 Stücke:
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STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 5826 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
14+ 1.94 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STQ2HNK60ZR-AP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
auf Bestellung 4686 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.84 EUR
4000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STQ2HNK60ZR-AP
Produktcode: 182267		Transistoren > MOSFET N-CH
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STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R
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STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
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33+1.62 EUR
39+ 1.36 EUR
100+ 0.94 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
21+ 1.25 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsTRANS MOSFET N-CH 60V 2A 3-PIN TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2NK60ZR-
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.59 EUR
280+ 0.54 EUR
403+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 266
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.56 EUR
403+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 280
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 6117 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STQ2NK60ZR-AP
auf Bestellung 16030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ2NK60ZR-AP*****
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ3016Z
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQ3N45K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STQ3N45K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STQ3NK50ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STQ4N52K3-APSTMicroelectronicsMOSFET 525V 2.6 OHM
Produkt ist nicht verfügbar
STQ4N52K3-APSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Produkt ist nicht verfügbar
STQB125-4R4
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQB125HF-2R2
auf Bestellung 14700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQB125R-1018
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQB125R-1018PF
auf Bestellung 217000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQC1553-1iNRCOREPulse Transformers
Produkt ist nicht verfügbar
STQC1553-2iNRCOREPulse Transformers
Produkt ist nicht verfügbar
STQC1553-45iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC
Produkt ist nicht verfügbar
STQC1553-45iNRCOREPulse Transformers
Produkt ist nicht verfügbar
STQC30STMicroelectronicsSTMicroelectronics HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller
Produkt ist nicht verfügbar
STQC30TRSTMicroelectronicsSTMicroelectronics HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller
Produkt ist nicht verfügbar
STQFN-20Silego TechnologySTQFN-20
Produkt ist nicht verfügbar
STQINE10LAPSST
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STQN1553-1iNRCOREPulse Transformers
Produkt ist nicht verfügbar
STQN1553-45iNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers
Produkt ist nicht verfügbar