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2SC3089

2SC3089 Savantic

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Produktcode: 84828
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Hersteller: Savantic
Gehäuse: TO-3PN
Transitfrequenz fT: 18 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 500 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 800 V
Kollektorstrom Ic, A: 7 A
Montage: THT
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC3089
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2SC3040
Produktcode: 84810
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2sc3040-datasheet.pdf
2SC3040
Hersteller: Savantic
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Transitfrequenz fT: 20 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 500 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1238 St.
  • 1238 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF710
Produktcode: 23685
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description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
IRF710
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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10+0.63 EUR
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BUL45D2G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 20850
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BUL45D2.PDF
BUL45D2G (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 13 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 29
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 221 St.
  • 221 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
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