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MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G ON

MMBT2907ALT1-D.PDF
Produktcode: 25960
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar 245 Stück:
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PMBT2907A PMBT2907A
Produktcode: 22304 		Hersteller : NXP PMBT2907, A.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
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MMBT2907A MMBT2907A
Produktcode: 160581 		Hersteller : Yangjie mmbt2907a-sot23-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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15000+ 0.024 EUR
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24000+ 0.016 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
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3000+0.045 EUR
6000+ 0.04 EUR
9000+ 0.038 EUR
15000+ 0.035 EUR
21000+ 0.033 EUR
30000+ 0.031 EUR
75000+ 0.028 EUR
150000+ 0.025 EUR
300000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3356+ 0.042 EUR
6000+ 0.038 EUR
15000+ 0.035 EUR
30000+ 0.031 EUR
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2907ALT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Anzahl Preis ohne MwSt
455+0.16 EUR
667+ 0.11 EUR
1017+ 0.07 EUR
1214+ 0.059 EUR
1767+ 0.04 EUR
2618+ 0.027 EUR
2778+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 455
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2907ALT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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455+0.16 EUR
667+ 0.11 EUR
1017+ 0.07 EUR
1214+ 0.059 EUR
1767+ 0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 455
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56920 Stücke:
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681+0.22 EUR
1134+ 0.13 EUR
1145+ 0.12 EUR
2552+ 0.053 EUR
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2674+ 0.046 EUR
3185+ 0.037 EUR
3356+ 0.035 EUR
6000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 681
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
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77+0.23 EUR
124+ 0.14 EUR
202+ 0.087 EUR
500+ 0.063 EUR
1000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : onsemi MMBT2907ALT1_D-2316088.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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12+0.25 EUR
20+ 0.15 EUR
100+ 0.065 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.04 EUR
9000+ 0.033 EUR
24000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 141060 Stücke:
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 141060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ONSEMI 2028683.pdf Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 205747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2907ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2907alt1-d.pdf Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBT2907ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2907alt1-d.pdf Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
85+0.073 EUR
91+ 0.063 EUR
100+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 85
MMBT2907ALT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf SOT23
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222A
Produktcode: 160580		 mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
erwartet: 1250 Stück
1250 Stück - erwartet
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832		 rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 17304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35896
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
auf Bestellung 235 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet 05.10.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.02 EUR
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 9461 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
SS14
Produktcode: 1577		 SS14.pdf
SS14
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 5038 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.048 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.018 EUR