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MMBT2907A

MMBT2907A Yangjie

mmbt2907a-sot23-datasheet.pdf
Produktcode: 160581
Hersteller: Yangjie
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960 		Hersteller : ON MMBT2907ALT1-D.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar: 1086 Stück
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1+0.04 EUR
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2690+0.027 EUR
3760+ 0.019 EUR
4275+ 0.017 EUR
4895+ 0.015 EUR
5000+ 0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 2690
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 561000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5026+0.031 EUR
6000+ 0.028 EUR
9000+ 0.023 EUR
24000+ 0.022 EUR
30000+ 0.02 EUR
45000+ 0.018 EUR
75000+ 0.016 EUR
150000+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 5026
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Electronics mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Electronics mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4717+0.033 EUR
12000+ 0.028 EUR
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT2907A.pdf Description: TRANSISTOR, PNP, -0.6A, -60V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.048 EUR
6000+ 0.046 EUR
9000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907x.PDF Description: GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Electronics mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : MDD DS_3372_MMBT2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 60V, 600mA, PNP
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216+0.24 EUR
295+ 0.18 EUR
351+ 0.15 EUR
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : EVVO MMBT2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
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100+0.26 EUR
141+ 0.18 EUR
260+ 0.1 EUR
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907x.PDF Description: GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
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Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.29 EUR
132+ 0.2 EUR
244+ 0.11 EUR
500+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT2907A.pdf Description: TRANSISTOR, PNP, -0.6A, -60V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
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Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.29 EUR
132+ 0.2 EUR
244+ 0.11 EUR
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Description: BJT SOT-23 60V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 561000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2907A Hersteller : Microdiode Electronics mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Zener Diode
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6757+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 6757
MMBT2907A Hersteller : HT Jinyu Semiconductor mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Transistor (PNP)
auf Bestellung 2847000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
MMBT2907A Hersteller : JSMicro Semiconductor mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG; MMBT2907A JSMICRO TMMBT2907a JSM
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT2907A Hersteller : Fairchaild mmbt2907.pdf DS_3372_MMBT2907A.pdf MMBT2907A.pdf MMBT2907x.PDF MMBT2907A.pdf DS_497_MMBT2907A.pdf Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 200 MHz, 350 mW, 800 mA, 300
auf Bestellung 2291 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
MMBT2907A Hersteller : NTE Electronics, Inc. 62mmbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 225mW 3-Pin
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.41 EUR
2500+ 0.3 EUR
5000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : STMicroelectronics DS_497_MMBT2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : STMicroelectronics DS_497_MMBT2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt2907.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : EVVO MMBT2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt2907.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Description: BJT SOT-23 60V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT2907A Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : ON Semiconductor pzt2907a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : ON Semiconductor pzt2907a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A Hersteller : ON Semiconductor pzt2907a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A Hersteller : ON Semiconductor pzt2907a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : ON Semiconductor pzt2907a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt2907.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907A Hersteller : NTE Electronics, Inc. 62mmbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 225mW 3-Pin
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MMBT2907A Hersteller : Good-Ark mmbt2907a.pdf High DC Current Gain PNP Transistor
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MMBT2907A MMBT2907A Hersteller : Taiwan Semiconductor mmbt2907a_b14.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2N2907A 2N2907A
Produktcode: 83731 		Hersteller : ST 2n2907a.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
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MMBT2222A
Produktcode: 160580		 mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 975 Stück:
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erwartet 1250 Stück:
1250 Stück - erwartet 10.05.2024
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13301 Stück:
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erwartet 50 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35896
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1600 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.02 EUR
2N5401
Produktcode: 177484		 2n5400.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1850 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BZX85-C18
Produktcode: 18378		 BZX85C.pdf
BZX85-C18
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,2
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
verfügbar: 1252 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR