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IRF730PBF

IRF730PBF SILI

91047-datasheet.pdf
Produktcode: 123226
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Hersteller: SILI
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 123 St.:
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 224 Stücke:
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IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 360 Stücke:
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56+1.29 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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82+1.76 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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79+1.84 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
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2000+1.07 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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64+2.28 EUR
79+1.78 EUR
100+1.55 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.79 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay Semiconductors 91047.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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10+1.69 EUR
100+1.44 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1.01 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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5+3.96 EUR
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5000+1.09 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF VISHAY VISH-S-A0019271737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF 91047.pdf IRF730PBF Транзисторы HEXFET
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17 Stücke:
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IRF730PBF Транзисторы HEXFET
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STP60NF06
Produktcode: 2993
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description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.67 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1469 St.:
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10+1.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
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91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 729 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z
Produktcode: 2561
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description STP4NK60Z.pdf
STP4NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 135 St.
15 St. - stock Köln
120 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10 St.
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150pF 3kV Y5P K(+/-10%) D<=6,5mm (KB3F151K-L516BD6.5-Hitano)
Produktcode: 2480
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HI_Voltage_070726.pdf
150pF 3kV Y5P K(+/-10%) D<=6,5mm (KB3F151K-L516BD6.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 150pF
Nennspannung: 3000V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: KB3F151K-L516B
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 5015 St.
210 St. - stock Köln
4805 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.1 EUR
100+0.056 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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