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IRF730PBF

IRF730PBF SILI

91047-datasheet.pdf
Produktcode: 123226
Hersteller: SILI
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
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IRF730PBF IRF730PBF
Produktcode: 106889
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91047.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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58+1.24 EUR
78+0.92 EUR
98+0.74 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91047.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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100+1.46 EUR
500+1.18 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRF730PBF 91047.pdf IRF730PBF Транзисторы HEXFET
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1N4007
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Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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erwartet 60000 Stück:
60000 Stück - erwartet 07.04.2025
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MPSA44 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 20 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 0,3
h21: 200
ZCODE: 8541290090
verfügbar: 2111 Stück
120 Stück - stock Köln
1991 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
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LED 10mm rot 660nm, 20° (GNL-10003URC G-Nor)
Produktcode: 23038
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10003ultra.pdf
LED 10mm rot 660nm, 20° (GNL-10003URC G-Nor)
Hersteller: G-Nor
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): rot (660nm)
Gehäuse: 10mm
Linse, Typ: transparent farblos
Spannungsfall, V: 1,9
Lichtstärke / Lichtstrom: 1000...1500 mcd
Lichtwinkel: 20°
Analogon: Кругла
ZCODE: 8541401000
verfügbar: 255 Stück
60 Stück - stock Köln
195 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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DB107G (Analoge DF10M) (Diodenbrücke)
Produktcode: 42562
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description DB101G_DB_107G.pdf
DB107G (Analoge DF10M) (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 1000V
I dir: 1A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: DB101, DB102, DB103, DB104, DB105, DB106, DB107, DB101G, DB102G, DB103G, DB104G, DB105G, DB106G, DF005M, DF01M, DF02M, DF04M, DF06M, DF08M, DF10M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRF740PBF
Produktcode: 162988
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
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auf Bestellung 118 Stück:
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