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IRF730PBF

IRF730PBF SILI

91047-datasheet.pdf
Produktcode: 123226
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Hersteller: SILI
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 5,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/38
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 13488 Stücke:
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 169 Stücke:
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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59+3.05 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay Semiconductors 91047.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.56 EUR
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500+1.49 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF VISHAY VISH-S-A0019271737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 998 Stücke:
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46+5.52 EUR
65+3.59 EUR
100+2.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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4+6.59 EUR
10+4.28 EUR
50+3.3 EUR
100+2.98 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 165 Stücke:
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IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF 91047.pdf IRF730PBF Транзисторы HEXFET
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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10+2.56 EUR
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500+1.49 EUR
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IRF730PBF VISH-S-A0019271737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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65+3.59 EUR
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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100+2.98 EUR
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IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF730PBF Транзисторы HEXFET
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STP60NF06
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STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 60 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/49
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 134 St.
  • 134 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3205PBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
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91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
auf Bestellung: 572 St.
  • 572 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.25 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z
Produktcode: 2561
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description STP4NK60Z.pdf
STP4NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 109 St.
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AnzahlPrivatkunde
2+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150pF 3kV Y5P K(+/-10%) D<=6,5mm (KB3F151K-L516BD6.5-Hitano)
Produktcode: 2480
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
HI_Voltage_070726.pdf
150pF 3kV Y5P K(+/-10%) D<=6,5mm (KB3F151K-L516BD6.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 150 pF
Nennspannung: 3 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Y5P
Toleranz: ±10% K
Abmessungen: D<=5,8 mm
Part Number: KB3F151K-L516B
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 210 St.
  • 210 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4773 St.
  • 4773 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.12 EUR
11+0.12 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH