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SD211DE TO-72 4L ROHS

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SD211DE TO-72 4L ROHS SD211DE TO-72 4L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_c2abaaa6c9f844438056f2964e3daa09.pdf Description: HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +25V, -300mV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 25V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-72-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 1mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.08 EUR
10+8.93 EUR
100+6.58 EUR
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SD211DE TO-72 4L ROHS
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +25V, -300mV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 25V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-72-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 1mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
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Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
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Gehäuse: TO-204AA
Uceo,V: 90
Ucbo,V: 150
Ic,A: 20
ZCODE: THT
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IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
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