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SD211DE TO-72 4L ROHS

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SD211DE TO-72 4L ROHS SD211DE TO-72 4L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_c2abaaa6c9f844438056f2964e3daa09.pdf Description: HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: TO-72-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 25V
Vgs (Max): +25V, -300mV
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.57 EUR
10+10.63 EUR
100+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SD211DE TO-72 4L ROHS
Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: TO-72-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 25V
Vgs (Max): +25V, -300mV
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung: 1316 St.
  • 1316 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 А
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10+1.46 EUR
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2N5038G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 90 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 150 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Montage: THT
auf Bestellung: 13 St.
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1+5.33 EUR
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 348 St.
  • 348 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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