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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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13"N-50-0-1/133"NE | HUBER+SUHNER |
Description: HUBER+SUHNER - 13"N-50-0-1/133"NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohmtariffCode: 85366910 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Messing Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Verschraubung Steckverbindermontage: Panelmontage usEccn: EAR99 euEccn: NLR Steckverbinder: N-Koaxial Koaxialanschluss: Gelötet Impedanz: 50ohm Produktpalette: - productTraceability: No Frequenz, max.: 11GHz Koaxialkabeltyp: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 13N-50-0-57 | Huber + Suhner AG | 13N-50-0-57 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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13_N-50-0-1/133_NE | HUBER+SUHNER |
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m) |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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13_N-50-0-23/133_NE | HUBER+SUHNER | RF Connectors / Coaxial Connectors |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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13_N-50-0-30/133_NE | HUBER+SUHNER |
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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13_N-50-0-33/133_NE | HUBER+SUHNER |
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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13_N-50-0-33/133_NE | HUBER+SUHNER |
Description: HUBER+SUHNER - 13_N-50-0-33/133_NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Flansch, Gelötet, 50 ohm, MessingtariffCode: 85366910 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Messing Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Flansch Steckverbindermontage: Panelmontage usEccn: EAR99 euEccn: NLR Steckverbinder: N-Koaxial Koaxialanschluss: Gelötet Impedanz: 50ohm Produktpalette: - productTraceability: No Frequenz, max.: 11GHz Koaxialkabeltyp: - |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOT13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOTF13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP13N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 51W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BXP13N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 51W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDPF13N50FT | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 22039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA13N50C | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 8702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA13N50CF | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQI13N50CTU | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 14185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQP13N50 | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF13N50 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF13N50C | Fairchild Semiconductor |
Description: QFC 500V 480MOHM TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 15845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF13N50C-ON | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF13N50CF | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF13N50CF | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF13N50CF | onsemi / Fairchild |
MOSFETs HIGH VOLTAGE |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF13N50CF | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB13N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WMK13N50D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMK13N50D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WML13N50D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WML13N50D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W |
auf Bestellung 73004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat |
auf Bestellung 4734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQA13N50 | FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQA13N50C |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FQA13N50CF |
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auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FQB13N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB13N50 | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB13N50 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB13N50C | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB13N50C | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB13N50C | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB13N50C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQPF13N50 | FAIRCHILD |
02+ |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQPF13N50C | FSC |
|
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQPF13N50C | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB13N50A | IR |
TO-220AB |
auf Bestellung 29270 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB13N50A | IR |
TO-220 |
auf Bestellung 16818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IXFM13N50 | IXYS |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MDF13N50TH |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MDP13N50TH |
auf Bestellung 43895 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MDP13N50TH=FQP13N50C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MTH13N50 |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MTM13N50 | MOTOROLA |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MTM13N50E | MOTOROLA |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SM13N50F |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SPW13N50C3 |
auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| WFF13N50 |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| YFW13N50AF | YFW | 500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF; YFW13N50AF TO220F YFW TYFW13N50AF YFW |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXT13N50DE5TA |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 13"N-50-0-1/133"NE |
![]() |
Hersteller: HUBER+SUHNER
Description: HUBER+SUHNER - 13"N-50-0-1/133"NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohm
tariffCode: 85366910
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Verschraubung
Steckverbindermontage: Panelmontage
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Steckverbinder: N-Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: 11GHz
Koaxialkabeltyp: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: HUBER+SUHNER - 13"N-50-0-1/133"NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Verschraubung, Gelötet, 50 ohm
tariffCode: 85366910
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Verschraubung
Steckverbindermontage: Panelmontage
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Steckverbinder: N-Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: 11GHz
Koaxialkabeltyp: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 13N-50-0-57 |
Hersteller: Huber + Suhner AG
13N-50-0-57
13N-50-0-57
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 133.57 EUR |
| 13_N-50-0-1/133_NE |
![]() |
Hersteller: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m)
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m)
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 35.2 EUR |
| 25+ | 34.94 EUR |
| 50+ | 33.26 EUR |
| 100+ | 31.68 EUR |
| 250+ | 29.69 EUR |
| 500+ | 27.74 EUR |
| 13_N-50-0-23/133_NE |
Hersteller: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors
RF Connectors / Coaxial Connectors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 98.74 EUR |
| 10+ | 87.95 EUR |
| 25+ | 85.82 EUR |
| 50+ | 82.23 EUR |
| 100+ | 76.89 EUR |
| 250+ | 76.68 EUR |
| 13_N-50-0-30/133_NE |
![]() |
Hersteller: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m)
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 114.54 EUR |
| 10+ | 99.7 EUR |
| 25+ | 99.58 EUR |
| 50+ | 94.99 EUR |
| 100+ | 90.45 EUR |
| 13_N-50-0-33/133_NE |
![]() |
Hersteller: HUBER+SUHNER
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m)
RF Connectors / Coaxial Connectors N straight flange receptacle plug(m)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 54.44 EUR |
| 10+ | 48.07 EUR |
| 30+ | 45.25 EUR |
| 50+ | 44.81 EUR |
| 100+ | 41.73 EUR |
| 250+ | 40.8 EUR |
| 500+ | 40.29 EUR |
| 13_N-50-0-33/133_NE |
![]() |
Hersteller: HUBER+SUHNER
Description: HUBER+SUHNER - 13_N-50-0-33/133_NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Flansch, Gelötet, 50 ohm, Messing
tariffCode: 85366910
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Flansch
Steckverbindermontage: Panelmontage
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Steckverbinder: N-Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: 11GHz
Koaxialkabeltyp: -
Description: HUBER+SUHNER - 13_N-50-0-33/133_NE - HF-/Koaxialsteckverbinder, N-Koaxial, Gerader Einbaustecker mit Flansch, Gelötet, 50 ohm, Messing
tariffCode: 85366910
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Steckverbinderausführung: Gerader Einbaustecker mit Flansch
Steckverbindermontage: Panelmontage
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Steckverbinder: N-Koaxial
Koaxialanschluss: Gelötet
Impedanz: 50ohm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: 11GHz
Koaxialkabeltyp: -
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AOT13N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 37+ | 1.94 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 54+ | 1.34 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| AOT13N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 37+ | 1.94 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 54+ | 1.34 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| AOTF13N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.63 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 64+ | 1.13 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| AOTF13N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 510mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.63 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 64+ | 1.13 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| BXP13N50F |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 53+ | 1.37 EUR |
| 66+ | 1.1 EUR |
| 73+ | 0.98 EUR |
| 111+ | 0.65 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| BXP13N50F |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 53+ | 1.37 EUR |
| 66+ | 1.1 EUR |
| 73+ | 0.98 EUR |
| 111+ | 0.65 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.59 EUR |
| FDPF13N50FT |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 22039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 2.26 EUR |
| FQA13N50C |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 8702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 117+ | 3.86 EUR |
| FQA13N50CF |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.95 EUR |
| 30+ | 3.86 EUR |
| 120+ | 3.18 EUR |
| FQI13N50CTU |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 14185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 186+ | 2.43 EUR |
| FQP13N50 |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 6.2 EUR |
| FQPF13N50 |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 151+ | 3 EUR |
| FQPF13N50C |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 15845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 158+ | 2.87 EUR |
| FQPF13N50C-ON |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 158+ | 2.87 EUR |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.2 EUR |
| 28+ | 2.56 EUR |
| 30+ | 2.42 EUR |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.2 EUR |
| 28+ | 2.56 EUR |
| 30+ | 2.42 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH VOLTAGE
MOSFETs HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.09 EUR |
| 10+ | 2.97 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.38 EUR |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.09 EUR |
| 50+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.81 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| IRFB13N50APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.74 EUR |
| 10+ | 4.45 EUR |
| WMK13N50D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 65+ | 1.11 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 156+ | 0.46 EUR |
| 166+ | 0.43 EUR |
| WMK13N50D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 65+ | 1.11 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 156+ | 0.46 EUR |
| 166+ | 0.43 EUR |
| WML13N50D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 0.86 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 169+ | 0.42 EUR |
| 180+ | 0.4 EUR |
| WML13N50D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 0.86 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 169+ | 0.42 EUR |
| 180+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| ZXT13N50DE6TA |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.1 W
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.1 W
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.34 EUR |
| ZXT13N50DE6TA |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.1 W
Description: TRANS NPN 50V 4A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.1 W
auf Bestellung 73004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.65 EUR |
| 18+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| ZXT13N50DE6TA |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat
auf Bestellung 4734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.65 EUR |
| 10+ | 1.03 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| 3000+ | 0.39 EUR |
| FQA13N50 |
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Hersteller: FAIRCHILD
09+
09+
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQA13N50C |
![]() |
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQA13N50CF |
![]() |
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50 |
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50 |
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50 |
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50C |
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50C |
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50C |
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB13N50C |
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQPF13N50 |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
02+
02+
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQPF13N50C |
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Hersteller: FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQPF13N50C |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFB13N50A |
![]() |
Hersteller: IR
TO-220AB
TO-220AB
auf Bestellung 29270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFB13N50A |
![]() |
Hersteller: IR
TO-220
TO-220
auf Bestellung 16818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IXFM13N50 |
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MDF13N50TH |
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MDP13N50TH |
auf Bestellung 43895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MDP13N50TH=FQP13N50C |
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MTM13N50 |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MTM13N50E |
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SM13N50F |
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPW13N50C3 |
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| YFW13N50AF |
Hersteller: YFW
500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF; YFW13N50AF TO220F YFW TYFW13N50AF YFW
500V 13A 60W 550mOhm@10V 4V@250uA TO-220F Single FETs, MOSFETs Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF; YFW13N50AF TO220F YFW TYFW13N50AF YFW
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ZXT13N50DE5TA |
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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