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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD139 BD139
Produktcode: 191983
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CJ bd139.pdf BD135-D.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 654 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 (Bipolartransistor NPN) BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
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NXP cd00001225.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 7 St.
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 (SOT-32, STM) BD139-10 (SOT-32, STM)
Produktcode: 161642
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ST/CDIL Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 199 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 (Bipolartransistor NPN) BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641
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ST BD139-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
ZCODE: SMD
auf Bestellung 405 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
177+0.41 EUR
250+0.29 EUR
290+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 JSMicro Semiconductor TBD139_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 CDIL info-tbd13725.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 CDIL info-tbd13725.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 ST info-tbd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 ST info-tbd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
50+1.22 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.72 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics bd139.pdf BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 JCET bd139.pdf BD135-D.PDF NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.69 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 CJ bd139.pdf BD135-D.PDF NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.69 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 667008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1270+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 667008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1263+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1263
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 CDIL BD135_39.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 100-250 HT SEMI Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TO126 HT SEMI TBD13916 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.63 EUR
168+0.43 EUR
192+0.37 EUR
256+0.28 EUR
286+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 CDIL info-tbd13725.pdf Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 ST TBD13910_STM_0001.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 16467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.97 EUR
100+0.77 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
50+0.96 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
619+0.23 EUR
704+0.2 EUR
932+0.15 EUR
1039+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 619
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.51 EUR
622+0.22 EUR
708+0.19 EUR
936+0.14 EUR
1044+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 281
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 ST info-tbd13916.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 LGE info-tbd13916%20lge.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 ST info-tbd13916.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 LGE info-tbd13916%20lge.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 YFW TBD13916_YFW_YFW_0001.pdf description Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 JSMSEMI TBD13916_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 ARK bd139.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 ST info-tbd13916.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139-16 BD139-16 LGE info-tbd13916%20lge.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 4502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+0.45 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 8288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
50+1.02 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BD139-16 BD139-16 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 473749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1431+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 473688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1423+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1423
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BD139-16 BD139-16 MULTICOMP PRO 4161949.pdf description Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STU ONS/FAI BD135-137-139.pdf TO-126ISO Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BD139.16 BD139.16 CDIL info-tbd13725.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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BD13910S BD13910S Fairchild Semiconductor FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 826
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BD13910S BD13910S onsemi FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 826
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BD13910STU BD13910STU onsemi BD139-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BD13910STU BD13910STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.64 EUR
280+0.51 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 227
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BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.57 EUR
204+0.68 EUR
258+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 92
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BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1219+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1219
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BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
119+0.6 EUR
140+0.51 EUR
161+0.44 EUR
178+0.4 EUR
540+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU onsemi BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+0.72 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU onsemi BD139-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 7841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
60+0.72 EUR
120+0.64 EUR
540+0.5 EUR
1020+0.46 EUR
2040+0.42 EUR
5040+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 654 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
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cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 7 St.
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 (SOT-32, STM)
Produktcode: 161642
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BD139-10 (SOT-32, STM)
Hersteller: ST/CDIL
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 199 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BD139-datasheet.pdf
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
ZCODE: SMD
auf Bestellung 405 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
177+0.41 EUR
250+0.29 EUR
290+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 TBD139_JSM_JSMICRO_0001.pdf
BD139
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 info-tbd13725.pdf
BD139
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 info-tbd13725.pdf
BD139
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 info-tbd139.pdf
BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 info-tbd139.pdf
BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
50+1.22 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.72 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf BD135-D.PDF
Hersteller: JCET
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.69 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf BD135-D.PDF
Hersteller: CJ
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 4161949.pdf
BD139
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.69 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 2307016.pdf
BD139
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 667008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1270+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 667008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1263+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1263
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD135_39.pdf
BD139
Hersteller: CDIL
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 100-250
Hersteller: HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TO126 HT SEMI TBD13916 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
168+0.43 EUR
192+0.37 EUR
256+0.28 EUR
286+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 info-tbd13725.pdf
BD139-10
Hersteller: CDIL
Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 TBD13910_STM_0001.pdf
BD139-10
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 16467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+0.97 EUR
100+0.77 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.06 EUR
50+0.96 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 2307016.pdf
BD139-10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
619+0.23 EUR
704+0.2 EUR
932+0.15 EUR
1039+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 619
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
281+0.51 EUR
622+0.22 EUR
708+0.19 EUR
936+0.14 EUR
1044+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 281
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 2861636.pdf
BD139-10
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description info-tbd13916.pdf
BD139-16
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description info-tbd13916%20lge.pdf
BD139-16
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description info-tbd13916.pdf
BD139-16
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description info-tbd13916%20lge.pdf
BD139-16
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description TBD13916_YFW_YFW_0001.pdf
BD139-16
Hersteller: YFW
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description TBD13916_JSM_JSMICRO_0001.pdf
BD139-16
Hersteller: JSMSEMI
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: ARK
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description info-tbd13916.pdf
BD139-16
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description info-tbd13916%20lge.pdf
BD139-16
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 4502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1 EUR
10+0.45 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 8288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.16 EUR
50+1.02 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description 2307016.pdf
BD139-16
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 473749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1431+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 473688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1423+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1423
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description 4161949.pdf
BD139-16
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STU BD135-137-139.pdf
Hersteller: ONS/FAI
TO-126ISO Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16 info-tbd13725.pdf
BD139.16
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BD13910S
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
826+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 826
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BD13910S
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
826+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 826
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BD13910STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BD13910STU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
227+0.64 EUR
280+0.51 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 227
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.57 EUR
204+0.68 EUR
258+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 92
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1219+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1219
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BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
119+0.6 EUR
140+0.51 EUR
161+0.44 EUR
178+0.4 EUR
540+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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BD13916STU
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.62 EUR
10+0.72 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BD13916STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 7841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
60+0.72 EUR
120+0.64 EUR
540+0.5 EUR
1020+0.46 EUR
2040+0.42 EUR
5040+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BD13916STU ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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