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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD139 BD139
Produktcode: 191983
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CJ bd139.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 1153 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 (Bipolartransistor NPN) BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
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NXP cd00001225.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 7 Stück
1+0.10 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 (SOT-32, STM) BD139-10 (SOT-32, STM)
Produktcode: 161642
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ST/CDIL Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 162 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 (Bipolartransistor NPN) BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641
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ST BD139-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
auf Bestellung 500 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
159+0.45 EUR
205+0.35 EUR
350+0.20 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 ST bd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 CDIL bd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
159+0.45 EUR
205+0.35 EUR
350+0.20 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 JSMicro Semiconductor bd139.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 ST bd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
50+0.47 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 29951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 476520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
658+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 658
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 476550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.10 EUR
291+0.50 EUR
338+0.41 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.21 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.21 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.70 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
227+0.32 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
227+0.32 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
50+0.47 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 32016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.42 EUR
407+0.35 EUR
411+0.34 EUR
547+0.24 EUR
1000+0.20 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 32026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.94 EUR
359+0.40 EUR
408+0.34 EUR
412+0.32 EUR
548+0.23 EUR
1000+0.20 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+0.33 EUR
100+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STU STMicroelectronics Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+0.49 EUR
14+0.42 EUR
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 6783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
194+0.37 EUR
228+0.31 EUR
246+0.29 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 LGE bd139.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 LGE bd139.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
194+0.37 EUR
228+0.31 EUR
246+0.29 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 ARK bd139.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 JSMSEMI bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
50+0.45 EUR
100+0.40 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 MULTICOMP PRO 4161949.pdf description Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 STM bd139.pdf description Транз. Бипол. ММ NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.71 EUR
10+0.64 EUR
100+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 CDIL bd139.pdf description Транзистор біполярний NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfe = 100...250
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.50 EUR
100+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+0.24 EUR
28+0.21 EUR
100+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - BIPOLARTRANSISTOR NPN, 80V, 1.5A, SOT-32
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 354675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.44 EUR
423+0.34 EUR
426+0.33 EUR
561+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 354724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.09 EUR
301+0.48 EUR
360+0.39 EUR
363+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.20 EUR
4000+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16 CDIL NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910S BD13910S Fairchild Semiconductor FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910S BD13910S onsemi FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BD13910S BD13910S ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1040+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
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BD13910STU BD13910STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.77 EUR
105+0.68 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
540+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STU BD13910STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
105+0.68 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
540+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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BD13910STU BD13910STU onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
60+0.74 EUR
120+0.65 EUR
540+0.52 EUR
1020+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1920+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 5760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1011+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1011
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1920+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.51 EUR
500+0.47 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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BD13910STU BD13910STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.40 EUR
229+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
88+0.82 EUR
109+0.66 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
88+0.82 EUR
109+0.66 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 6716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
60+0.74 EUR
120+0.65 EUR
540+0.52 EUR
1020+0.47 EUR
2040+0.43 EUR
5040+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 94475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1011+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1011
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.70 EUR
500+0.45 EUR
2000+0.40 EUR
3900+0.38 EUR
5800+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 1153 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
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cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 7 Stück
Anzahl Preis
1+0.10 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 (SOT-32, STM)
Produktcode: 161642
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BD139-10 (SOT-32, STM)
Hersteller: ST/CDIL
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 162 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641
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BD139-datasheet.pdf
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
auf Bestellung 500 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
159+0.45 EUR
205+0.35 EUR
350+0.20 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
159+0.45 EUR
205+0.35 EUR
350+0.20 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.04 EUR
50+0.47 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 2307016.pdf
BD139
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 29951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 4161949.pdf
BD139
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 476520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
658+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 658
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 476550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+1.10 EUR
291+0.50 EUR
338+0.41 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.21 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 cd0000122.pdf
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.21 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
227+0.32 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
227+0.32 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 bd139.pdf
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
50+0.47 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 32016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.42 EUR
407+0.35 EUR
411+0.34 EUR
547+0.24 EUR
1000+0.20 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 2861636.pdf
BD139-10
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 32026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.94 EUR
359+0.40 EUR
408+0.34 EUR
412+0.32 EUR
548+0.23 EUR
1000+0.20 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 2307016.pdf
BD139-10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 bd139.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.33 EUR
100+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STU
Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.49 EUR
14+0.42 EUR
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 6783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
194+0.37 EUR
228+0.31 EUR
246+0.29 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
194+0.37 EUR
228+0.31 EUR
246+0.29 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: ARK
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: JSMSEMI
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
50+0.45 EUR
100+0.40 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description 4161949.pdf
BD139-16
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: STM
Транз. Бипол. ММ NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.71 EUR
10+0.64 EUR
100+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: CDIL
Транзистор біполярний NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfe = 100...250
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.50 EUR
100+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.24 EUR
28+0.21 EUR
100+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description 2307016.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - BIPOLARTRANSISTOR NPN, 80V, 1.5A, SOT-32
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 354675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.44 EUR
423+0.34 EUR
426+0.33 EUR
561+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 354724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
138+1.09 EUR
301+0.48 EUR
360+0.39 EUR
363+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.20 EUR
4000+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910S FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BD13910S
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BD13910S
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BD13910S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1040+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
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BD13910STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
105+0.68 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
540+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BD13910STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
105+0.68 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
540+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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BD13910STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
60+0.74 EUR
120+0.65 EUR
540+0.52 EUR
1020+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1920+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 5760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1011+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1011
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1920+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.51 EUR
500+0.47 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BD13910STU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD13910STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
138+1.40 EUR
229+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 138
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BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
88+0.82 EUR
109+0.66 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD135_137_139.PDF
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
88+0.82 EUR
109+0.66 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD135%2C137%2C139.pdf
BD13916STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 6716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
60+0.74 EUR
120+0.65 EUR
540+0.52 EUR
1020+0.47 EUR
2040+0.43 EUR
5040+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 94475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1011+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1011
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
214+0.70 EUR
500+0.45 EUR
2000+0.40 EUR
3900+0.38 EUR
5800+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 214
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