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IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 227 St.
2 St. - stock Köln
225 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
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IRF630 IRF630 Siliconix TIRF630_0631.pdf description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 JSMicro Semiconductor TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
241+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.53 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 6903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.47 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.44 EUR
101+1.37 EUR
122+1.1 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+1.78 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+1.78 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.44 EUR
101+1.37 EUR
122+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF630A_CP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 478
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001 ON Semiconductor IRF630A_CP001
auf Bestellung 45755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001 ON Semiconductor IRF630A_CP001
auf Bestellung 177675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
10000+0.62 EUR
100000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N IRF630N International Rectifier info-tirf630ns.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
50+1.28 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.78 EUR
52000+0.68 EUR
78000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 274
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
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IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.54 EUR
269+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.56 EUR
256+0.54 EUR
269+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
929+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 929
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.52 EUR
274+0.49 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS IRF630NS International Rectifier info-tirf630ns.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.64 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.16 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.01 EUR
175+0.79 EUR
177+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.82 EUR
178+0.78 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.07 EUR
144+0.96 EUR
250+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+0.98 EUR
150+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.34 EUR
147+0.94 EUR
150+0.89 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay Siliconix irf630.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.64 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+1.47 EUR
100+1.16 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S IRF630S International Rectifier TIRF630s_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.66 EUR
10+1.8 EUR
100+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
50+1.89 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.35 EUR
112+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.09 EUR
155+0.89 EUR
160+0.83 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.92 EUR
160+0.86 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.49 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630M ST TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MF ST 00+ TO-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MFP ST 09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N IR
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 227 St.
2 St. - stock Köln
225 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description TIRF630_0631.pdf
IRF630
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description TIRF630_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF630
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
241+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+1.53 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 6903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.47 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.44 EUR
101+1.37 EUR
122+1.1 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
301+1.78 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
301+1.78 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.37 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
301+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.44 EUR
101+1.37 EUR
122+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
478+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 478
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001
Hersteller: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
auf Bestellung 45755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
665+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001
Hersteller: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
auf Bestellung 177675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
665+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
10000+0.62 EUR
100000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N description info-tirf630ns.pdf
IRF630N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.69 EUR
50+1.28 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.9 EUR
10+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
593+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 593
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 102000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.78 EUR
52000+0.68 EUR
78000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
274+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 274
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.54 EUR
269+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4414 Stücke:
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Anzahl Preis
255+0.56 EUR
256+0.54 EUR
269+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 929 Stücke:
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Anzahl Preis
929+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 929
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 929 Stücke:
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IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
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Anzahl Preis
593+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
268+0.52 EUR
274+0.49 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS description info-tirf630ns.pdf
IRF630NS
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.64 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.16 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
141+1.01 EUR
175+0.79 EUR
177+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
175+0.82 EUR
178+0.78 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
134+1.07 EUR
144+0.96 EUR
250+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.98 EUR
150+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+1.34 EUR
147+0.94 EUR
150+0.89 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.64 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+1.47 EUR
100+1.16 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S TIRF630s_0001.pdf
IRF630S
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.66 EUR
10+1.8 EUR
100+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.87 EUR
50+1.89 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
106+1.35 EUR
112+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
131+1.09 EUR
155+0.89 EUR
160+0.83 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
155+0.92 EUR
160+0.86 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.87 EUR
10+2.49 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.87 EUR
10+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
f24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630M
Hersteller: ST
TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MF
Hersteller: ST
00+ TO-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MFP
Hersteller: ST
09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N IR
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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