Suchergebnisse für "IRF640" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 24 Stück
12 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF
Produktcode: 42934
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 339 Stück
10 Stück - stock Köln
329 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Produktcode: 116935
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: SMD
auf Bestellung 30 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 SLKOR en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 IR en.CD00000702.pdf description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001 FAIRCHILD IRF640ACP001
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+1.82 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NL International Rectifier IRF640.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 13801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+2.22 EUR
25+1.12 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 116043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.27 EUR
181+0.76 EUR
197+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
4000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.96 EUR
100+1.69 EUR
200+0.89 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.62 EUR
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 116033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.07 EUR
49+1.46 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
49+1.46 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.76 EUR
100+1.27 EUR
500+1.25 EUR
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.14 EUR
149+0.93 EUR
195+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.09 EUR
155+0.89 EUR
200+0.78 EUR
1600+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.01 EUR
1600+0.9 EUR
2400+0.83 EUR
4000+0.75 EUR
5600+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
43+1.67 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
43+1.67 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+2.43 EUR
25+1.88 EUR
100+1.78 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.28 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.5 EUR
1300+1.32 EUR
1950+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.41 EUR
106+1.31 EUR
119+1.12 EUR
122+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
43+1.67 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay / Siliconix sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+2.45 EUR
25+1.87 EUR
100+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.73 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640S Siliconix sihf640s.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.2 EUR
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 3754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+2.83 EUR
25+1.99 EUR
100+1.87 EUR
250+1.81 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.62 EUR
105+1.26 EUR
114+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.7 EUR
99+1.4 EUR
105+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.66 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.83 EUR
79+1.76 EUR
93+1.43 EUR
100+1.35 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N
Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description
IRF640N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 24 Stück
12 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF
Produktcode: 42934
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 339 Stück
10 Stück - stock Köln
329 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSPBF
Produktcode: 116935
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: SMD
auf Bestellung 30 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001
Hersteller: FAIRCHILD
IRF640ACP001
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+1.82 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NL IRF640.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NLPBF description infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 13801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+2.22 EUR
25+1.12 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 116043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
113+1.27 EUR
181+0.76 EUR
197+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
4000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.96 EUR
100+1.69 EUR
200+0.89 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.62 EUR
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 116033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
181+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NS description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
49+1.46 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
49+1.46 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.62 EUR
10+1.76 EUR
100+1.27 EUR
500+1.25 EUR
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.14 EUR
149+0.93 EUR
195+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.09 EUR
155+0.89 EUR
200+0.78 EUR
1600+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.01 EUR
1600+0.9 EUR
2400+0.83 EUR
4000+0.75 EUR
5600+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
43+1.67 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
43+1.67 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.92 EUR
10+2.43 EUR
25+1.88 EUR
100+1.78 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.28 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
96+1.5 EUR
1300+1.32 EUR
1950+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
102+1.41 EUR
106+1.31 EUR
119+1.12 EUR
122+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF sihf640.pdf
Hersteller: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
106+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
43+1.67 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.12 EUR
10+2.45 EUR
25+1.87 EUR
100+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.73 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
650+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
650+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640S description sihf640s.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 3754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.33 EUR
10+2.83 EUR
25+1.99 EUR
100+1.87 EUR
250+1.81 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+1.62 EUR
105+1.26 EUR
114+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+1.7 EUR
99+1.4 EUR
105+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.66 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+1.83 EUR
79+1.76 EUR
93+1.43 EUR
100+1.35 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]