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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRLB3034PBF Produktcode: 36195
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 212 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB3813PBF Produktcode: 113437
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 190 A Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 91 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB4132 Produktcode: 86447
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 30 V Idd,A: 150 A Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 278 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB8748PBF Produktcode: 100095
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 Idd,A: 78 Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 43 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB3034 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLB3034 IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLB3036 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB3813 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
auf Bestellung 2639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLB4132 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 620A |
auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 620A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 1626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V |
auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 18557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 18557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8721PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLB8743 | Infineon |
N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLB8743 | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8743; SP001572884; IRLB8743 JSMICRO TIRLB8743 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLB3034PBF Produktcode: 36195
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 212 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.8 EUR |
| IRLB3813PBF Produktcode: 113437
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 91 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB4132 Produktcode: 86447
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 278 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB8748PBF Produktcode: 100095
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB3034 |
|
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.8 EUR |
| IRLB3034 IRLB3034 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.97 EUR |
| IRLB3034PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 176+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 1000+ | 2.6 EUR |
| IRLB3034PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 4.84 EUR |
| 50+ | 4.12 EUR |
| 100+ | 3.5 EUR |
| 500+ | 3.3 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| IRLB3034PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 176+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| IRLB3034PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 176+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 1000+ | 2.6 EUR |
| IRLB3036 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 5.52 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.23 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.23 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.57 EUR |
| 10+ | 2.96 EUR |
| 100+ | 2.48 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 4.55 EUR |
| 51+ | 2.79 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 5.63 EUR |
| 28+ | 5.19 EUR |
| 50+ | 4.81 EUR |
| 100+ | 4.47 EUR |
| 250+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.88 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 2.83 EUR |
| 60+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.85 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 2.83 EUR |
| 60+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.85 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| IRLB3036PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB3813 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 3.87 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.57 EUR |
| 52+ | 1.39 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.57 EUR |
| 52+ | 1.39 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
auf Bestellung 6035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.59 EUR |
| 50+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.6 EUR |
| 10+ | 1.57 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| 2000+ | 1.05 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 2.36 EUR |
| 65+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 250+ | 1.9 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 141+ | 1.04 EUR |
| 151+ | 0.94 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 2.36 EUR |
| 65+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 250+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.66 EUR |
| IRLB3813PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB4030 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 7.92 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 3.83 EUR |
| 20+ | 3.6 EUR |
| 26+ | 2.82 EUR |
| 29+ | 2.47 EUR |
| 50+ | 2.1 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 200+ | 1.77 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 3.83 EUR |
| 20+ | 3.6 EUR |
| 26+ | 2.82 EUR |
| 29+ | 2.47 EUR |
| 50+ | 2.1 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 200+ | 1.77 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 3.39 EUR |
| 53+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 2.3 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| 2000+ | 1.51 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 3.4 EUR |
| 53+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
| 2000+ | 1.51 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 37+ | 3.98 EUR |
| 50+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 3.43 EUR |
| 250+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 2.99 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 5.44 EUR |
| 50+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 1.72 EUR |
| IRLB4030PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB4132 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.3 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.57 EUR |
| 76+ | 0.95 EUR |
| 119+ | 0.6 EUR |
| 137+ | 0.52 EUR |
| 200+ | 0.47 EUR |
| 250+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.57 EUR |
| 76+ | 0.95 EUR |
| 119+ | 0.6 EUR |
| 137+ | 0.52 EUR |
| 200+ | 0.47 EUR |
| 250+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| 2000+ | 0.63 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 5898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.32 EUR |
| 12+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 669+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 669+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 80+ | 2.24 EUR |
| 108+ | 1.31 EUR |
| 200+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 171+ | 0.86 EUR |
| 201+ | 0.7 EUR |
| 244+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.41 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 450+ | 0.57 EUR |
| IRLB4132PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 49+ | 1.49 EUR |
| 93+ | 0.77 EUR |
| 108+ | 0.67 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 250+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 49+ | 1.49 EUR |
| 93+ | 0.77 EUR |
| 108+ | 0.67 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 250+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.27 EUR |
| 50+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 132+ | 1.11 EUR |
| 201+ | 0.7 EUR |
| 207+ | 0.66 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2000+ | 0.45 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| 10000+ | 0.39 EUR |
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 121+ | 2.16 EUR |
| 200+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB8314PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 201+ | 0.73 EUR |
| 207+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2000+ | 0.47 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
| 10000+ | 0.39 EUR |
| IRLB8721PBF | |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 82+ | 1.8 EUR |
| 124+ | 1.14 EUR |
| 200+ | 0.91 EUR |
| IRLB8743 |
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 2.27 EUR |
| IRLB8743 |
Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8743; SP001572884; IRLB8743 JSMICRO TIRLB8743 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8743; SP001572884; IRLB8743 JSMICRO TIRLB8743 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.25 EUR |
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