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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1548 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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IR irf3205spbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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IR irf3205z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 285 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-CN IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+2.08 EUR
100+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.15 EUR
116+1.21 EUR
117+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.82 EUR
118+1.19 EUR
119+1.13 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S IRF3205S JSMicro Semiconductor TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRL Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRL International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.43 EUR
47+1.53 EUR
60+1.21 EUR
100+1.1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.88 EUR
800+0.82 EUR
1600+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 7373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.48 EUR
100+1.71 EUR
500+1.29 EUR
2400+1.23 EUR
4800+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 328
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.85 EUR
74+1.89 EUR
100+1.35 EUR
800+0.91 EUR
2400+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z IRF3205Z International Rectifier info-tirf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z IRF3205Z International Rectifier info-tirf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
64+1.12 EUR
72+0.99 EUR
100+0.92 EUR
200+0.85 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 51339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.26 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.97 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.59 EUR
10+2.31 EUR
100+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS IRF3205ZS Infineon info-tirf3205zs.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.62 EUR
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.71 EUR
100+1.87 EUR
500+1.41 EUR
800+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3205 IR
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IRF3205NSTRLPBF IR 09+
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IRF3205PB
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IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
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IRF3205PBF/IR IR 08+;
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IRF3205S International Rectifier/Infineon irf3205s_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
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IRF3205SPBF International Rectifier/Infineon irf3205s_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим
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IRF3205STRLPBF/IR IR 08+;
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IRF3205STRPBF IR 09+
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IRF3205ZS IR irf3205z.pdf TO-263
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AUIRF3205ZSTRL Infineon auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
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Транзистор IRF3205PBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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Транзистор IRF3205STRLPBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
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Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220
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Транзистор польовий IRF3205SPBF 110A 55V N-ch D2PAK
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D3205 D3205 WXDH TIRF3205_DH_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH
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HYG065N07NS1P HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p
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MOT100N07E MOT100N07E MOT- MOT100N07E_MOT-MOS.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 136W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRF3205STRL; PTY12HN06; MOT100N07E D2PAK MOT TMOT100N07E MOT
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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10+1.45 EUR
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IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
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IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
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1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
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IRF3205 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
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50+1.57 EUR
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IRF3205-CN TIRF3205_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
IRF3205-CN
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
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50+1.04 EUR
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IRF3205-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+1.24 EUR
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IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
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1+3.48 EUR
10+2.08 EUR
100+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
5000+1.01 EUR
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
46+3.15 EUR
116+1.21 EUR
117+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.75 EUR
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
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Anzahl Preis
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
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IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37127 Stücke:
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1871 Stücke:
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Anzahl Preis
52+2.82 EUR
118+1.19 EUR
119+1.13 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 386
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
386+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 386
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IRF3205S description TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF3205S
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF3205STRL
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF3205STRL
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
30+2.43 EUR
47+1.53 EUR
60+1.21 EUR
100+1.1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.88 EUR
800+0.82 EUR
1600+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
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Anzahl Preis
1+3.89 EUR
10+2.48 EUR
100+1.71 EUR
500+1.29 EUR
2400+1.23 EUR
4800+1.17 EUR
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IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Anzahl Preis
328+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 328
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IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+2.85 EUR
74+1.89 EUR
100+1.35 EUR
800+0.91 EUR
2400+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z info-tirf3205z.pdf
IRF3205Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z info-tirf3205z.pdf
IRF3205Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
60+1.2 EUR
64+1.12 EUR
72+0.99 EUR
100+0.92 EUR
200+0.85 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 51339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
431+1.26 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.97 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 431
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+2.31 EUR
100+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS info-tirf3205zs.pdf
IRF3205ZS
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.19 EUR
10+2.71 EUR
100+1.87 EUR
500+1.41 EUR
800+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.91 EUR
1600+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.61 EUR
100+2.51 EUR
250+2.4 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.91 EUR
1600+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.51 EUR
100+2.41 EUR
250+2.31 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+1.84 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 IR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205NSTRLPBF
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S description irf3205s_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF irf3205s_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRPBF
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3205ZSTRL auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 456000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF3205PBF
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3205SPBF 110A 55V N-ch D2PAK
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3205 TIRF3205_DH_0001.pdf
D3205
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HYG065N07NS1P THYG065n07ns1p_0001.pdf
HYG065N07NS1P
Hersteller: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT100N07E MOT100N07E_MOT-MOS.pdf
MOT100N07E
Hersteller: MOT-
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 136W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRF3205STRL; PTY12HN06; MOT100N07E D2PAK MOT TMOT100N07E MOT
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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