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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRL3103 IRL3103
Produktcode: 189656
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JSMicro Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 189 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103 IRL3103
Produktcode: 7965
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IR irl3103.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 20
Idd,A: 61
Rds(on), Ohm: 0.013
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3303D1S IRL3303D1S
Produktcode: 79756
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IR IRL3303STRR-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0.026
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 5 Stück
1+1.68 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF
Produktcode: 24017
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IR irl3705n-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
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JHGF: THT
verfügbar: 267 Stück
6 Stück - stock Köln
261 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
1+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF
Produktcode: 113435
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IR irl3705zpbf-222332.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923
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VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 60 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 35005
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IR irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
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JHGF: THT
verfügbar: 8 Stück
6 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.94 EUR
10+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803PBF IRL3803PBF
Produktcode: 28690
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IR irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 80 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Infineon Technologies irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 157148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
399+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Infineon Technologies infineonirl3103sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 134913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
555+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.75 EUR
100000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 555
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Infineon Technologies infineonirl3103sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
555+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 555
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.82 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.82 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies Infineon-IRL3705N-DS-v01_02-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+2.52 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
10+2.45 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.27 EUR
100+1.47 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.74 EUR
64+2.19 EUR
100+1.41 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRL3705NS-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+3.15 EUR
100+2.89 EUR
500+2.6 EUR
800+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705Z International Rectifier irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRL3713STRLPBF IRL3713STRLPBF Infineon Technologies irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.58 EUR
10+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRL3716L International Rectifier N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
Anzahl je Verpackung: 11 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineonirl3803datasheetv0201en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineonirl3803datasheetv0201en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF International Rectifier IRSDS10036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Infineon Technologies irs2101pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
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IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL3803STRRPBF IRL3803STRRPBF Infineon Technologies irl3803spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f89502556 Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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IRL3803STRRPBF IRL3803STRRPBF Infineon Technologies irs2101pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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IRL3102 IR irl3102.pdf 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
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IRL3102PBF IR IRL3102PbF.pdf description
auf Bestellung 8750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3102S IR irl3102s.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRL3102S IR irl3102s.pdf 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3102S IR irl3102s.pdf 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3103D1S IR irl3103d1s.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3103D1STRL IOR irl3103d1s.pdf 2000
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3103S IR irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3103S IR irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3103STRL IOR irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 2000
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3103
Produktcode: 189656
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IRL3103
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 189 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103
Produktcode: 7965
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irl3103.pdf
IRL3103
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 20
Idd,A: 61
Rds(on), Ohm: 0.013
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3303D1S
Produktcode: 79756
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IRL3303STRR-datasheet.pdf
IRL3303D1S
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0.026
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 5 Stück
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
10+1.4 EUR
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IRL3705NPBF
Produktcode: 24017
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description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 267 Stück
6 Stück - stock Köln
261 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZPBF
Produktcode: 113435
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description irl3705zpbf-222332.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF
Produktcode: 198923
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description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 60 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF
Produktcode: 35005
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description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 8 Stück
6 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.94 EUR
10+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803PBF
Produktcode: 28690
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description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 80 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516
IRL3103STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 157148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
399+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399
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IRL3103STRLPBF infineonirl3103sdatasheetv0101en.pdf
IRL3103STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 134913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
555+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.75 EUR
100000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 555
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3103STRLPBF infineonirl3103sdatasheetv0101en.pdf
IRL3103STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
555+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 555
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705N description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705N description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.82 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.82 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description Infineon-IRL3705N-DS-v01_02-EN.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.83 EUR
10+2.52 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.94 EUR
10+2.45 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description infineonirl3705ndsv0102en.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description infineonirl3705ndsv0102en.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+2.27 EUR
100+1.47 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description infineonirl3705ndsv0102en.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+2.74 EUR
64+2.19 EUR
100+1.41 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF Infineon-IRL3705NS-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.58 EUR
10+3.15 EUR
100+2.89 EUR
500+2.6 EUR
800+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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IRL3705Z irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRL3705ZPBF description irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZPBF description irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713 description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+11.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713 description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+11.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713STRLPBF irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.58 EUR
10+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3716L
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
Anzahl je Verpackung: 11 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803PBF description infineonirl3803datasheetv0201en.pdf
IRL3803PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803PBF description infineonirl3803datasheetv0201en.pdf
IRL3803PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRLPBF description IRSDS10036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL3803STRLPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRLPBF description irs2101pbf.pdf
IRL3803STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRLPBF description INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3803STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRLPBF description INFN-S-A0012838518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3803STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3803STRRPBF irl3803spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f89502556
IRL3803STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
189+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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IRL3803STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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Hersteller: IR
09+
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Hersteller: IR
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Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Hersteller: IR
09+
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Hersteller: IR
TO-263
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Hersteller: IOR
2000
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Hersteller: IR
TO-263
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09+
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Hersteller: IOR
2000
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