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IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 71 Stück
2 Stück - stock Köln
69 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 200 Stück
200 Stück - erwartet 29.06.2025
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
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RF630 N/A 06+
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR Samtec Inc. erf6.pdf Description: CONN SKT 0.635MM 60POS SMD
Features: Board Guide, Pick and Place
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Socket, Outer Shroud Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 60
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.127" (3.23mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.62 EUR
10+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR Samtec erf6-2328986.pdf Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.51 EUR
10+11.48 EUR
25+10.37 EUR
50+9.73 EUR
100+9.26 EUR
250+9.19 EUR
675+8.15 EUR
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
60+1.20 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
60+1.20 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630PBF (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 11191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.55 EUR
50+1.15 EUR
100+1.14 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630-1849162.pdf description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.24 EUR
100+1.20 EUR
500+1.02 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.22 EUR
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IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF630A_CP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
575+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 575
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630NPBF IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+2.06 EUR
25+1.04 EUR
100+0.88 EUR
250+0.87 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
50+0.90 EUR
100+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630NPBF-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.50 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.50 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.58 EUR
25+1.08 EUR
100+1.06 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.02 EUR
2000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
50+1.04 EUR
100+1.03 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.06 EUR
100+1.05 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay Siliconix irf630.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
50+0.99 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.70 EUR
1000+0.67 EUR
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
50+1.65 EUR
100+1.63 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+2.09 EUR
25+1.76 EUR
100+1.71 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.43 EUR
25+2.41 EUR
100+1.80 EUR
800+1.22 EUR
2400+1.19 EUR
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IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+2.26 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
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1+3.54 EUR
10+2.46 EUR
100+1.83 EUR
800+1.31 EUR
2400+1.19 EUR
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MRF 630-AMMO BEL ds-cp-mrf-series.pdf Category: Fuses TR5 - Time-Lag
Description: Fuse: fuse
Type of fuse: fuse
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
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MRF 630-AMMO MRF 630-AMMO Bel Fuse Inc. ds-cp-mrf-series.pdf Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MRF 630-BULK MRF 630-BULK Bel Fuse Inc. ds-cp-mrf-series.pdf Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BRF6300
auf Bestellung 500 Stücke:
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BRF6300CZSLR TI BGA
auf Bestellung 2454 Stücke:
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IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630B Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
auf Bestellung 20 Stücke:
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IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
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IRF630M ST TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MF ST 00+ TO-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630MFP ST 09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRF630N IR
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630N-R4942
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630NSTRR IR irf630n.pdf TO-263
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IRF630ST4 ST SMD-220
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630STRR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF630STRRPBF sih630s.pdf
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF630 MOT CAN
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF630 MSC 00+
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF630 MOT
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 71 Stück
2 Stück - stock Köln
69 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 200 Stück
200 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
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RF630
Hersteller: N/A
06+
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR erf6.pdf
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR
Hersteller: Samtec Inc.
Description: CONN SKT 0.635MM 60POS SMD
Features: Board Guide, Pick and Place
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Socket, Outer Shroud Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 60
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.127" (3.23mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.62 EUR
10+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR erf6-2328986.pdf
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR
Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.51 EUR
10+11.48 EUR
25+10.37 EUR
50+9.73 EUR
100+9.26 EUR
250+9.19 EUR
675+8.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
60+1.20 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
60+1.20 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630PBF (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 11191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.55 EUR
50+1.15 EUR
100+1.14 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
290+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description irf630-1849162.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.71 EUR
10+1.24 EUR
100+1.20 EUR
500+1.02 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
575+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 575
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630NPBF IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.22 EUR
10+2.06 EUR
25+1.04 EUR
100+0.88 EUR
250+0.87 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.09 EUR
50+0.90 EUR
100+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630NPBF-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS description irf630n.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.50 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.50 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+1.58 EUR
25+1.08 EUR
100+1.06 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.02 EUR
2000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.81 EUR
50+1.04 EUR
100+1.03 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.45 EUR
10+1.06 EUR
100+1.05 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
50+0.99 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S sih630s.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.70 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
50+1.65 EUR
100+1.63 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+2.09 EUR
25+1.76 EUR
100+1.71 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+2.43 EUR
25+2.41 EUR
100+1.80 EUR
800+1.22 EUR
2400+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.12 EUR
10+2.26 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.54 EUR
10+2.46 EUR
100+1.83 EUR
800+1.31 EUR
2400+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF 630-AMMO ds-cp-mrf-series.pdf
Hersteller: BEL
Category: Fuses TR5 - Time-Lag
Description: Fuse: fuse
Type of fuse: fuse
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF 630-AMMO ds-cp-mrf-series.pdf
MRF 630-AMMO
Hersteller: Bel Fuse Inc.
Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF 630-BULK ds-cp-mrf-series.pdf
MRF 630-BULK
Hersteller: Bel Fuse Inc.
Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BRF6300
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BRF6300CZSLR
Hersteller: TI
BGA
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: FSC
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IRF630B
Hersteller: Fairchild
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IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
f24
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IRF630FP en.CD00000701.pdf
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IRF630M
Hersteller: ST
TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
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IRF630MF
Hersteller: ST
00+ TO-220
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IRF630MFP
Hersteller: ST
09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N IR
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IRF630N-R4942
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IRF630NSTRR irf630n.pdf
Hersteller: IR
TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630ST4
Hersteller: ST
SMD-220
auf Bestellung 980 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRR
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630
Hersteller: MOT
CAN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630
Hersteller: MSC
00+
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MRF630
Hersteller: MOT
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