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IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 245 Stück
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1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
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RF630 N/A 06+
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ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR Samtec erf6.pdf Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.98 EUR
10+9.66 EUR
25+9.05 EUR
50+8.61 EUR
100+8.2 EUR
250+7.94 EUR
675+6.76 EUR
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Mounting: THT
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 200V
Technology: MESH OVERLAY™ II
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.87 EUR
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Mounting: THT
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 200V
Technology: MESH OVERLAY™ II
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.08 EUR
100+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
63+1.15 EUR
78+0.92 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
63+1.15 EUR
78+0.92 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF630N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+0.83 EUR
100+0.72 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.48 EUR
10+0.93 EUR
100+0.91 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+0.84 EUR
100+0.8 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.46 EUR
100+1.33 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.13 EUR
100+1.62 EUR
500+1.43 EUR
800+1.12 EUR
2400+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.22 EUR
100+1.62 EUR
800+1.22 EUR
2400+1.14 EUR
4800+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF 630-AMMO BEL ds-cp-mrf-series.pdf Category: Fuses TR5 - Time-Lag
Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; quick blow; automotive; THT; MRF
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.63A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: automotive
Mounting: THT
Manufacturer series: MRF
Breaking capacity: 35A
Resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -55...125°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF630 IR Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.03 EUR
10+3.7 EUR
100+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BRF6300
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BRF6300CZSLR TI BGA
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630M ST TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MF ST 00+ TO-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MFP ST 09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N IR
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-R4942
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRR IR irf630n.pdf TO-263
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630ST4 ST SMD-220
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630 MOT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630 MOT CAN
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630 MOT CAN
auf Bestellung 617 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630 MSC 00+
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P25RF6300F003
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PBRF6300
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PBRF6300BZSL TI BGA
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PRF6301AA
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PRF6302AA
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TRF6301
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор полевой IRF630; 200V 9A; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; STM (шт)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF630N 9A 200V N-ch TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 3246 Stücke:
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33+2.17 EUR
38+1.93 EUR
114+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630
Produktcode: 3058
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IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6302
Produktcode: 31879
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A
Produktcode: 18853
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IR IRF630A.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF
Produktcode: 15961
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description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 245 Stück
2 Stück - stock Köln
243 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF630
Hersteller: N/A
06+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR erf6.pdf
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR
Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.98 EUR
10+9.66 EUR
25+9.05 EUR
50+8.61 EUR
100+8.2 EUR
250+7.94 EUR
675+6.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Mounting: THT
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 200V
Technology: MESH OVERLAY™ II
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Mounting: THT
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 200V
Technology: MESH OVERLAY™ II
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
69+1.04 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.48 EUR
10+1.08 EUR
100+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
63+1.15 EUR
78+0.92 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
63+1.15 EUR
78+0.92 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description Infineon-IRF630N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+0.83 EUR
100+0.72 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS description irf630n.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 200V
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.48 EUR
10+0.93 EUR
100+0.91 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+0.84 EUR
100+0.8 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S sih630s.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.46 EUR
100+1.33 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.01 EUR
10+2.13 EUR
100+1.62 EUR
500+1.43 EUR
800+1.12 EUR
2400+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.22 EUR
100+1.62 EUR
800+1.22 EUR
2400+1.14 EUR
4800+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF 630-AMMO ds-cp-mrf-series.pdf
Hersteller: BEL
Category: Fuses TR5 - Time-Lag
Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; quick blow; automotive; THT; MRF
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.63A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: quick blow
Kind of fuse: automotive
Mounting: THT
Manufacturer series: MRF
Breaking capacity: 35A
Resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -55...125°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF630
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.03 EUR
10+3.7 EUR
100+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BRF6300
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BRF6300CZSLR
Hersteller: TI
BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FSC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
f24
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630M
Hersteller: ST
TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MF
Hersteller: ST
00+ TO-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630MFP
Hersteller: ST
09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N IR
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-R4942
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRR irf630n.pdf
Hersteller: IR
TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630ST4
Hersteller: ST
SMD-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630
Hersteller: MOT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 617 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF630
Hersteller: MSC
00+
auf Bestellung 2535 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25RF6300F003
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBRF6300
auf Bestellung 500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBRF6300BZSL
Hersteller: TI
BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRF6301AA
auf Bestellung 2287 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PRF6302AA
auf Bestellung 4120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF6301
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор полевой IRF630; 200V 9A; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; STM (шт)
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF630N 9A 200V N-ch TO-220
auf Bestellung 23 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
38+1.93 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630
Produktcode: 3058
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description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6302
Produktcode: 31879
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A
Produktcode: 18853
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IRF630A.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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