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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF630NPBF Produktcode: 15961
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 09.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 JHGF: THT |
verfügbar: 71 Stück
2 Stück - stock Köln
69 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen erwartet:
200 Stück
200 Stück - erwartet 29.06.2025
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RF630 | N/A | 06+ |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR | Samtec |
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auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR | Samtec Inc. |
![]() Features: Board Guide, Pick and Place Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Socket, Outer Shroud Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 60 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.127" (3.23mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Case: TO220-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Case: TO220-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Harris Corporation |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 22729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | ST MICROELECTRONICS |
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auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | IR |
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auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630A_CP001 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 223430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630N | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 82W Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 23.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 82W Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 23.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630NPBF-ML MOSLEADER TIRF630 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NS | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK Case: D2PAK Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 82W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK Case: D2PAK Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 82W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 36A |
auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 36A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 4776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630S | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 36A |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 36A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
auf Bestellung 4893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRLPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRRPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRF 630-AMMO | BEL |
![]() Description: Fuse: fuse Type of fuse: fuse |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRF 630-AMMO | Bel Fuse Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Radial, Can, Vertical Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A Current Rating (Amps): 630 mA Voltage Rating - AC: 250 V Melting I²t: 0.15 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MRF 630-BULK | Bel Fuse Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Radial, Can, Vertical Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm) Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Response Time: Fast Blow Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A Part Status: Active Current Rating (Amps): 630 mA Voltage Rating - AC: 250 V Melting I²t: 0.15 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
BRF6300 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
BRF6300CZSLR | TI | BGA |
auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF630A | FSC |
![]() |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630B | Fairchild |
auf Bestellung 10005 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF630B_FP001 | FAIRCHILD |
![]() |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630FP |
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auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF630M | ST | TO-220 |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630MF | ST | 00+ TO-220 |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630MFP | ST | 09+ SON-8 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630N IR |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF630N-R4942 |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF630NSTRR | IR |
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auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630ST4 | ST | SMD-220 |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630STRR |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF630STRRPBF |
![]() |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
MRF630 | MOT |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
MRF630 | MOT | CAN |
auf Bestellung 1155 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
MRF630 | MOT | CAN |
auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF630NPBF Produktcode: 15961
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Lieblingsprodukt
|
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 71 Stück
2 Stück - stock Köln
69 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
69 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
200 Stück
200 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.36 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
RF630 |
Hersteller: N/A
06+
06+
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR |
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Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.51 EUR |
10+ | 11.48 EUR |
25+ | 10.37 EUR |
50+ | 9.73 EUR |
100+ | 9.26 EUR |
250+ | 9.19 EUR |
675+ | 8.15 EUR |
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR |
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Hersteller: Samtec Inc.
Description: CONN SKT 0.635MM 60POS SMD
Features: Board Guide, Pick and Place
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Socket, Outer Shroud Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 60
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.127" (3.23mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Description: CONN SKT 0.635MM 60POS SMD
Features: Board Guide, Pick and Place
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Socket, Outer Shroud Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 60
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.127" (3.23mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 11.62 EUR |
10+ | 9.88 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.90 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630PBF (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630PBF (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.51 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.71 EUR |
10+ | 1.24 EUR |
100+ | 1.20 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
1000+ | 1.00 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 11191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.55 EUR |
50+ | 1.15 EUR |
100+ | 1.14 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
1000+ | 0.89 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
290+ | 1.61 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 3.05 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.22 EUR |
IRF630A_CP001 |
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
575+ | 0.80 EUR |
IRF630N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630NPBF IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630NPBF IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.59 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.16 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.16 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.22 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
25+ | 1.04 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
250+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 2.09 EUR |
50+ | 0.90 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.77 EUR |
1000+ | 0.70 EUR |
IRF630NPBF-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630NPBF-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792; IRF630NPBF-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.01 EUR |
IRF630NS | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.70 EUR |
IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
143+ | 0.50 EUR |
151+ | 0.47 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
143+ | 0.50 EUR |
151+ | 0.47 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.83 EUR |
10+ | 1.58 EUR |
25+ | 1.08 EUR |
100+ | 1.06 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
1000+ | 1.02 EUR |
2000+ | 1.00 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 1.81 EUR |
50+ | 1.04 EUR |
100+ | 1.03 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.97 EUR |
IRF630PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.45 EUR |
10+ | 1.06 EUR |
100+ | 1.05 EUR |
10000+ | 1.04 EUR |
IRF630PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.31 EUR |
50+ | 0.99 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
IRF630S |
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Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.50 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
98+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
98+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 2.11 EUR |
50+ | 1.65 EUR |
100+ | 1.63 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.11 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
25+ | 1.76 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
500+ | 1.38 EUR |
1000+ | 1.19 EUR |
IRF630STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.12 EUR |
10+ | 2.26 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
IRF630STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.29 EUR |
10+ | 2.43 EUR |
25+ | 2.41 EUR |
100+ | 1.80 EUR |
800+ | 1.22 EUR |
2400+ | 1.19 EUR |
IRF630STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.54 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
800+ | 1.31 EUR |
2400+ | 1.19 EUR |
IRF630STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.31 EUR |
10+ | 2.29 EUR |
MRF 630-AMMO |
![]() |
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 0.49 EUR |
MRF 630-AMMO |
![]() |
Hersteller: Bel Fuse Inc.
Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF 630-BULK |
![]() |
Hersteller: Bel Fuse Inc.
Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
Description: FUSE BRD MNT 630MA 250VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can, Vertical
Size / Dimension: 0.329" Dia x 0.303" H (8.35mm x 7.70mm)
Fuse Type: Board Mount (Cartridge Style Excluded)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: AEC-Q200, CE, CSA, cULus, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 630 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.15
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BRF6300CZSLR |
Hersteller: TI
BGA
BGA
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC |
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630A |
![]() |
Hersteller: FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630B |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630B_FP001 |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
f24
f24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630M |
Hersteller: ST
TO-220
TO-220
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630MF |
Hersteller: ST
00+ TO-220
00+ TO-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630MFP |
Hersteller: ST
09+ SON-8
09+ SON-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630N IR |
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630N-R4942 |
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630NSTRR |
![]() |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630ST4 |
Hersteller: ST
SMD-220
SMD-220
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630STRR |
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630STRRPBF |
![]() |
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF630 |
Hersteller: MOT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF630 |
Hersteller: MOT
CAN
CAN
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MRF630 |
Hersteller: MOT
CAN
CAN
auf Bestellung 617 Stücke:
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