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S29GL256N90TEIR2
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S29GL256N90TFI01
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S29GL256N90TFI010 SPANSION 06+
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S29GL256N90TFI010 SPANSION 06+
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S29GL256N90TFIR1 SPANSION TSOP56
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S29GL256N90TFIR10 SPANSION download
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S29GL256N90TFIR10 SPANSION download 05+
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S29GL256N90TFIR10.
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S29GL256N90TFIR10H SPANSION TSOP-56 08+
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S29GL256N90TFIR10H SPANSION 0527+
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S29GL256N90TFIR10H SPANSION 08+ TSOP-56
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S29GL256N90TFIR2 SPANSION TSOP
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S29GL256N90TFIR2 SPANSION TSOP56
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S29GL256N90TFIR20 SPANSION 06+
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S29GL256N90TFIR20 SPANSION 06+
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S29GL256N90TFIR20 SPANSION TSSOP56
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S29GL256N90TFIR20 SPANSION
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S29GL256N90TFIR20H SPANSION 07+
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SKP6N90
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SSF6N90A
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SSH6N90A
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SSP6N90A
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SSS6N90 FAIRCHILD 2002 TO-220
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SSS6N90A
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STP6N90
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Переключатель П2Г-3 3П16Н (90г)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель П2Г-3 4П6Н (90г)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220
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FQP6N90C
Produktcode: 128174
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fqpf6n90c-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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FQPF6N90C
Produktcode: 167479
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ON SEMICONDUCTOR fqpf6n90c-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6 A
Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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IXFH16N90Q
Produktcode: 157422
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littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh16n90q_datasheet.pdf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFN26N90 IXFN26N90
Produktcode: 53753
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media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P
Produktcode: 101753
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DS100066BIXFN56N90P.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF6N90 AOTF6N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIJ006N90 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095B0CF8B1A4D40E1&compId=dij006n90.pdf?ci_sign=9b857a3d6cbedd1cfb3f94949a1a33854756a12c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90 FQA6N90 onsemi FQA6N90.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90 FQP6N90 onsemi FQP6N90.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90 FQPF6N90 onsemi FQPF6N90.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90C FQPF6N90C onsemi fqpf6n90c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N90 IXFH6N90 IXYS IXFH6N100%2C%206N90%2C%20IXFM.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK16N90Q IXFK16N90Q IXYS ixys_s_a0008597129_1-2273168.pdf MOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK16N90Q IXFK16N90Q IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh16n90q-datasheet?assetguid=1e51b752-e183-4a84-adbf-121dd347c7e9 Description: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK26N90 IXFK26N90 IXYS media-3323128.pdf MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N90 IXFX26N90 IXYS media-3323128.pdf MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90 IXTH6N90 IXYS Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90A IXTH6N90A IXYS Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T1 RG3216N-9090-B-T1 Susumu n_catalog_partition01_en-1140338.pdf Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 909 ohm, 0.1%, 10ppm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T1 RG3216N-9090-B-T1 Susumu RG_RM_RGH_Oct2012.pdf Description: RES SMD 909 OHM 0.1% 1/4W 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T5 RG3216N-9090-B-T5 Susumu n_catalog_partition01_en-1140338.pdf Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.1% 1206 10ppm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T5 RG3216N-9090-B-T5 Susumu n_catalog_partition01_en.pdf Description: RES SMD 909 OHM 0.1% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-C-T5 RG3216N-9090-C-T5 Susumu RG_RM_RGH_Oct2012.pdf Description: RES SMD 909 OHM 0.25% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.25%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 909 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-D-T5 RG3216N-9090-D-T5 Susumu n_catalog_partition01_en.pdf Description: RES SMD 909 OHM 0.5% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 909 Ohms
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RG3216N-9090-D-T5 RG3216N-9090-D-T5 Susumu n_catalog_partition01_en-1140338.pdf Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.5% 1206 10ppm
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RG3216N-9090-P-T1 RG3216N-9090-P-T1 Susumu RG_RM_RGH_Oct2012.pdf Description: RES SMD 909 OHM 0.02% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.02%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 909 Ohms
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RG3216N-9090-W-T1 RG3216N-9090-W-T1 Susumu RG_RM_RGH_Oct2012.pdf Description: RES SMD 909 OHM 0.05% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.05%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9091-B-T1 RG3216N-9091-B-T1 Susumu RG_RM_RGH_Oct2012.pdf Description: RES SMD 9.09K OHM 0.1% 1/4W 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 9.09 kOhms
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RG3216N-9091-B-T1 RG3216N-9091-B-T1 Susumu n_catalog_partition01_en-1140338.pdf Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 9.09 Kohm, 0.1%, 10ppm
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S29GL256N90TEIR2
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Hersteller: SPANSION
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S29GL256N90TFI010
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06+
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S29GL256N90TFIR1
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TSOP-56 08+
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TSOP
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S29GL256N90TFIR2
Hersteller: SPANSION
TSOP56
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S29GL256N90TFIR20
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S29GL256N90TFIR20
Hersteller: SPANSION
06+
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S29GL256N90TFIR20
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TSSOP56
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S29GL256N90TFIR20
Hersteller: SPANSION
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S29GL256N90TFIR20H
Hersteller: SPANSION
07+
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SKP6N90
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SSF6N90A
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SSH6N90A
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SSP6N90
Hersteller: Fairchild
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SSP6N90A
auf Bestellung 1100 Stücke:
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SSS6N90
Hersteller: FAIRCHILD
2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SSS6N90A
auf Bestellung 6958 Stücke:
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STP6N90
auf Bestellung 56 Stücke:
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Переключатель П2Г-3 3П16Н (90г)
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Переключатель П2Г-3 4П6Н (90г)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220
auf Bestellung 6 Stücke:
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FQP6N90C
Produktcode: 128174
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fqpf6n90c-d.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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FQPF6N90C
Produktcode: 167479
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fqpf6n90c-d.pdf
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6 A
Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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IXFH16N90Q
Produktcode: 157422
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littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh16n90q_datasheet.pdf.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFN26N90
Produktcode: 53753
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description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
IXFN26N90
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IXFN56N90P
Produktcode: 101753
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DS100066BIXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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AOTF6N90 TO220F.pdf
AOTF6N90
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
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DIJ006N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095B0CF8B1A4D40E1&compId=dij006n90.pdf?ci_sign=9b857a3d6cbedd1cfb3f94949a1a33854756a12c
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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FQA6N90 FQA6N90.pdf
FQA6N90
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90 FQP6N90.pdf
FQP6N90
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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FQPF6N90 FQPF6N90.pdf
FQPF6N90
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90C fqpf6n90c-d.pdf
FQPF6N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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IXFH6N90 IXFH6N100%2C%206N90%2C%20IXFM.pdf
IXFH6N90
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK16N90Q ixys_s_a0008597129_1-2273168.pdf
IXFK16N90Q
Hersteller: IXYS
MOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK16N90Q littelfuse-discrete-mosfets-ixfh16n90q-datasheet?assetguid=1e51b752-e183-4a84-adbf-121dd347c7e9
IXFK16N90Q
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK26N90 media-3323128.pdf
IXFK26N90
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX26N90 media-3323128.pdf
IXFX26N90
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N90
IXTH6N90
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH6N90A
IXTH6N90A
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T1 n_catalog_partition01_en-1140338.pdf
RG3216N-9090-B-T1
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 909 ohm, 0.1%, 10ppm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T1 RG_RM_RGH_Oct2012.pdf
RG3216N-9090-B-T1
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 909 OHM 0.1% 1/4W 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T5 n_catalog_partition01_en-1140338.pdf
RG3216N-9090-B-T5
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.1% 1206 10ppm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-B-T5 n_catalog_partition01_en.pdf
RG3216N-9090-B-T5
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 909 OHM 0.1% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-C-T5 RG_RM_RGH_Oct2012.pdf
RG3216N-9090-C-T5
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 909 OHM 0.25% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.25%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-D-T5 n_catalog_partition01_en.pdf
RG3216N-9090-D-T5
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 909 OHM 0.5% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 909 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-D-T5 n_catalog_partition01_en-1140338.pdf
RG3216N-9090-D-T5
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.5% 1206 10ppm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-P-T1 RG_RM_RGH_Oct2012.pdf
RG3216N-9090-P-T1
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 909 OHM 0.02% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.02%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 909 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9090-W-T1 RG_RM_RGH_Oct2012.pdf
RG3216N-9090-W-T1
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 909 OHM 0.05% 1/4W 1206
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.05%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 909 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RG3216N-9091-B-T1 RG_RM_RGH_Oct2012.pdf
RG3216N-9091-B-T1
Hersteller: Susumu
Description: RES SMD 9.09K OHM 0.1% 1/4W 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 9.09 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
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RG3216N-9091-B-T1 n_catalog_partition01_en-1140338.pdf
RG3216N-9091-B-T1
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 9.09 Kohm, 0.1%, 10ppm
Produkt ist nicht verfügbar
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