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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| S29GL256N90TFIR2 | SPANSION | TSOP |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29GL256N90TFIR2 | SPANSION | TSOP56 |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29GL256N90TFIR20 | SPANSION | TSSOP56 |
auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29GL256N90TFIR20 | SPANSION |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL256N90TFIR20 | SPANSION | 06+ |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S29GL256N90TFIR20 | SPANSION | 06+ |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S29GL256N90TFIR20H | SPANSION | 07+ |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SKP6N90 |
auf Bestellung 38685 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSF6N90A |
auf Bestellung 6789 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSH6N90A |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSP6N90 | Fairchild |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| SSP6N90A |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| SSS6N90 | FAIRCHILD | 2002 TO-220 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SSS6N90A |
auf Bestellung 6958 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| STP6N90 |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| Переключатель П2Г-3 3П16Н (90г) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| Переключатель П2Г-3 4П6Н (90г) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP6N90C Produktcode: 128174
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Lieblingsprodukt
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 Transistoren > MOSFET N-CH |
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|
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FQPF6N90C Produktcode: 167479
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Lieblingsprodukt
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ON SEMICONDUCTOR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Uds,V: 900 V Idd,A: 6 A Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
IXFH16N90Q Produktcode: 157422
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Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
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|
IXFN26N90 Produktcode: 53753
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Lieblingsprodukt
|
 Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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|
IXFN56N90P Produktcode: 101753
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Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| DIJ006N90 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 37.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IXFK16N90Q | IXYS |
MOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFK26N90 | IXYS |
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFN56N90P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 300ns |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFN56N90P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 300ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFX26N90 | IXYS |
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9090-B-T1 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 909 ohm, 0.1%, 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9090-B-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.1% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9090-D-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.5% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9091-B-T1 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 9.09 Kohm, 0.1%, 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9091-B-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 9.09K Ohms 0.1% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9091-D-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 9.09K Ohms 0.5% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9092-B-T1 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 90.9 Kohm, 0.1%, 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9092-B-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9K Ohms 0.1% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9092-D-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9K Ohms 0.5% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9093-B-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909K Ohms 0.1% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-9093-D-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909K Ohms 0.5% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-90R9-B-T1 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 90.9 ohm, 0.1%, 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-90R9-B-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9 Ohms 0.1% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RG3216N-90R9-D-T5 | Susumu |
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9 Ohms 0.5% 1206 10ppm |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP6N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| STP6N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STP6N90K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW6N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW6N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| WMF06N90C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Case: SOT223 On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| WMK6N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 86.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| WMM6N90D1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 86.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| WMM6N90D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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XM-A6N9-0204C | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Low Pass Filters, LFCN-3400D-1+SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XM-A6N9-0204D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30] |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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XR-A6N9-0204C | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Low Pass Filters, LFCN-3400D-1+SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S29GL256N90TFIR2 |
Hersteller: SPANSION
TSOP
TSOP
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL256N90TFIR2 |
Hersteller: SPANSION
TSOP56
TSOP56
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL256N90TFIR20 |
Hersteller: SPANSION
TSSOP56
TSSOP56
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL256N90TFIR20 |
Hersteller: SPANSION
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL256N90TFIR20 |
Hersteller: SPANSION
06+
06+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL256N90TFIR20 |
Hersteller: SPANSION
06+
06+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL256N90TFIR20H |
Hersteller: SPANSION
07+
07+
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SSP6N90 |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SSS6N90 |
Hersteller: FAIRCHILD
2002 TO-220
2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Переключатель П2Г-3 3П16Н (90г) |
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Переключатель П2Г-3 4П6Н (90г) |
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP6N90C Produktcode: 128174
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF6N90C Produktcode: 167479
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6 A
Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6 A
Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFH16N90Q Produktcode: 157422
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Lieblingsprodukt
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|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN26N90 Produktcode: 53753
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN56N90P Produktcode: 101753
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DIJ006N90 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFK16N90Q |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
MOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFK26N90 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN56N90P |
|
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN56N90P |
|
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFX26N90 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
MOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RG3216N-9090-B-T1 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 909 ohm, 0.1%, 10ppm
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 909 ohm, 0.1%, 10ppm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RG3216N-9090-B-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.1% 1206 10ppm
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.1% 1206 10ppm
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| RG3216N-9090-D-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909 Ohms 0.5% 1206 10ppm
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| RG3216N-9091-B-T1 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 9.09 Kohm, 0.1%, 10ppm
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| RG3216N-9091-B-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 9.09K Ohms 0.1% 1206 10ppm
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| RG3216N-9091-D-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 9.09K Ohms 0.5% 1206 10ppm
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| RG3216N-9092-B-T1 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 90.9 Kohm, 0.1%, 10ppm
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| RG3216N-9092-B-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9K Ohms 0.1% 1206 10ppm
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| RG3216N-9092-D-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9K Ohms 0.5% 1206 10ppm
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Stück im Wert von UAH
| RG3216N-9093-B-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909K Ohms 0.1% 1206 10ppm
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909K Ohms 0.1% 1206 10ppm
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Stück im Wert von UAH
| RG3216N-9093-D-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909K Ohms 0.5% 1206 10ppm
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 909K Ohms 0.5% 1206 10ppm
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Stück im Wert von UAH
| RG3216N-90R9-B-T1 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 90.9 ohm, 0.1%, 10ppm
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 90.9 ohm, 0.1%, 10ppm
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Stück im Wert von UAH
| RG3216N-90R9-B-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9 Ohms 0.1% 1206 10ppm
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9 Ohms 0.1% 1206 10ppm
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Stück im Wert von UAH
| RG3216N-90R9-D-T5 |
|
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9 Ohms 0.5% 1206 10ppm
Thin Film Resistors - SMD 1/4W 90.9 Ohms 0.5% 1206 10ppm
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| STP6N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
| STP6N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| STP6N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
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Stück im Wert von UAH
| STW6N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
| STW6N90K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| WMF06N90C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WMK6N90D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WMM6N90D1 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WMM6N90D1B |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XM-A6N9-0204C |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filters, LFCN-3400D-1+SMT
Signal Conditioning Low Pass Filters, LFCN-3400D-1+SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XM-A6N9-0204D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XR-A6N9-0204C |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filters, LFCN-3400D-1+SMT
Signal Conditioning Low Pass Filters, LFCN-3400D-1+SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH