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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQPF8N60C Produktcode: 13455
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Lieblingsprodukt
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Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 07.05.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 965/28 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
verfügbar: 236 Stück
1 Stück - stock Köln
235 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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| 8N60 | BYD |
auf Bestellung 53000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 8N60 | FSC | TO-220 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 8N60C | FAIRCHILD |
auf Bestellung 88800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 8N60L |
auf Bestellung 7002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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598-8N60-107F | Dialight |
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN |
auf Bestellung 11858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT38N60BC6 | Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247 |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFA18N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO263 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 18A |
auf Bestellung 2324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH18N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH28N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH28N60P3 | IXYS |
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH48N60X3 | IXYS |
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK48N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP18N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGA48N60A3 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 48A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns Technology: GenX3™; PT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IXGA48N60A3 | IXYS |
IGBTs 48 Amps 600V |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGA48N60A3-TRL | IXYS |
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH28N60B3D1 | IXYS |
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3 |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH48N60A3 | IXYS |
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3C1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-off time: 347ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 48ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-off time: 347ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 44ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Turn-off time: 187ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 48A Pulsed collector current: 250A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 45ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
IGBTs 30 Amps 600V |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGP48N60A3 | IXYS |
IGBTs TO220 600V 48A GENX3 |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXGR48N60C3D1 | IXYS |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 125W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 26A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 230A Collector-emitter voltage: 600V Turn-off time: 187ns Turn-on time: 45ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
IGBTs 48 Amps 600V |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA18N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB18N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF28N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG018N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH068N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP28N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP38N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N60M6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package |
auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB28N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package |
auf Bestellung 2083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB28N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package |
auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2233 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD18N60M6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package |
auf Bestellung 1653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD8N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF18N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF18N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 16.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF28N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa |
auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF28N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH18N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STI28N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package |
auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL28N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
auf Bestellung 1956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag |
auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP18N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 |
auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQPF8N60C Produktcode: 13455
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 236 Stück
1 Stück - stock Köln
235 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
235 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.26 EUR |
| 10+ | 1.1 EUR |
| 8N60 |
Hersteller: BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 8N60 |
Hersteller: FSC
TO-220 08+
TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 8N60C |
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 598-8N60-107F |
![]() |
Hersteller: Dialight
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
auf Bestellung 11858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.38 EUR |
| 11+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 2000+ | 0.12 EUR |
| APT38N60BC6 |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.84 EUR |
| 100+ | 8.48 EUR |
| IXFA18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.2 EUR |
| IXFH18N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.86 EUR |
| 16+ | 4.66 EUR |
| 30+ | 4.65 EUR |
| IXFH18N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 18A
MOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.33 EUR |
| 10+ | 5.81 EUR |
| IXFH18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| IXFH28N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.05 EUR |
| 11+ | 6.55 EUR |
| 13+ | 5.91 EUR |
| IXFH28N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.3 EUR |
| 10+ | 8.08 EUR |
| 120+ | 6.86 EUR |
| IXFH48N60X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.9 EUR |
| 10+ | 13.22 EUR |
| 120+ | 11 EUR |
| 510+ | 9.8 EUR |
| 1020+ | 8.36 EUR |
| IXFK48N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| IXFP18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.58 EUR |
| IXGA48N60A3 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Technology: GenX3™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXGA48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.03 EUR |
| 10+ | 4.96 EUR |
| 100+ | 4.95 EUR |
| 500+ | 4.28 EUR |
| IXGA48N60A3-TRL |
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Hersteller: IXYS
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.91 EUR |
| 10+ | 5.98 EUR |
| 100+ | 5.03 EUR |
| 500+ | 4.38 EUR |
| 800+ | 4.01 EUR |
| IXGH28N60B3D1 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.16 EUR |
| 10+ | 6.56 EUR |
| 120+ | 5.54 EUR |
| IXGH48N60A3 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.62 EUR |
| 10+ | 4.95 EUR |
| 120+ | 4.75 EUR |
| 510+ | 4.68 EUR |
| IXGH48N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 18.68 EUR |
| IXGH48N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.4 EUR |
| 30+ | 7.95 EUR |
| IXGH48N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.4 EUR |
| 10+ | 6.46 EUR |
| 120+ | 6.37 EUR |
| 510+ | 5.67 EUR |
| IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 11.58 EUR |
| 8+ | 9.84 EUR |
| 10+ | 8.75 EUR |
| 30+ | 7.56 EUR |
| IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
IGBTs 30 Amps 600V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.15 EUR |
| 10+ | 8.52 EUR |
| 120+ | 8.1 EUR |
| IXGP48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.41 EUR |
| 10+ | 4.59 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.91 EUR |
| IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 26.34 EUR |
| IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 19.51 EUR |
| 5+ | 16.92 EUR |
| 10+ | 15.06 EUR |
| 30+ | 14.31 EUR |
| IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 31.12 EUR |
| 10+ | 20.64 EUR |
| SIHA18N60E-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.39 EUR |
| 10+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.8 EUR |
| 1000+ | 2.6 EUR |
| 2000+ | 2.53 EUR |
| 5000+ | 2.5 EUR |
| SIHB068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.17 EUR |
| 10+ | 4.89 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 500+ | 4.35 EUR |
| SIHB18N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 2.9 EUR |
| 1000+ | 2.55 EUR |
| 2000+ | 2.52 EUR |
| 5000+ | 2.5 EUR |
| SIHF068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.84 EUR |
| 10+ | 5 EUR |
| 100+ | 4.58 EUR |
| 1000+ | 4.49 EUR |
| SIHF28N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.45 EUR |
| 10+ | 5.77 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 5.17 EUR |
| SIHG018N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 26.98 EUR |
| 10+ | 15.84 EUR |
| 100+ | 15.35 EUR |
| SIHG068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.89 EUR |
| 10+ | 6.86 EUR |
| 100+ | 5.68 EUR |
| 500+ | 5.33 EUR |
| 1000+ | 4.73 EUR |
| SIHH068N60E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.07 EUR |
| 10+ | 8.06 EUR |
| 100+ | 7.23 EUR |
| 500+ | 6.72 EUR |
| 1000+ | 6.69 EUR |
| 3000+ | 3.94 EUR |
| SIHP068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.96 EUR |
| 10+ | 8.24 EUR |
| 100+ | 8.17 EUR |
| 500+ | 6.39 EUR |
| 1000+ | 5 EUR |
| 2000+ | 4.51 EUR |
| SIHP28N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.01 EUR |
| 10+ | 5.49 EUR |
| 100+ | 5.03 EUR |
| 500+ | 4.33 EUR |
| SIHP38N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.84 EUR |
| 10+ | 6.07 EUR |
| STB18N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| STB18N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.12 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2000+ | 1.5 EUR |
| STB18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.35 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
| 2000+ | 1.59 EUR |
| STB28N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.44 EUR |
| 10+ | 4.26 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
| 2000+ | 2.43 EUR |
| STB28N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 2000+ | 1.26 EUR |
| STD18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.73 EUR |
| 54+ | 1.34 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 64+ | 1.13 EUR |
| STD18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.57 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2500+ | 0.94 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |
| STD8N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2500+ | 0.74 EUR |
| 5000+ | 0.7 EUR |
| STF18N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| STF18N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.07 EUR |
| 10+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 2000+ | 1.22 EUR |
| 5000+ | 1.18 EUR |
| STF18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.69 EUR |
| 38+ | 1.92 EUR |
| 44+ | 1.63 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| STF28N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.77 EUR |
| 10+ | 3.1 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| STF28N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.93 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.99 EUR |
| 2000+ | 1.94 EUR |
| STFH18N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.96 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 920+ | 1.41 EUR |
| 5520+ | 1.4 EUR |
| STI28N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.35 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| STL28N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.2 EUR |
| 10+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 3.73 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 1000+ | 2.85 EUR |
| 3000+ | 2.66 EUR |
| STP18N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.72 EUR |
| 2000+ | 1.61 EUR |
| STP18N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 2.47 EUR |
| 39+ | 1.86 EUR |
| 46+ | 1.56 EUR |
| STP18N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.7 EUR |
| 10+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 2000+ | 1.33 EUR |
| 5000+ | 1.29 EUR |
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