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FQPF8N60C FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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Fairchild fqpf8n60c-d.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 200 Stück
1 Stück - stock Köln
199 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60 BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60 FSC TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60L
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
23+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.86 EUR
16+4.66 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.05 EUR
11+6.55 EUR
13+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
14+5.22 EUR
16+4.62 EUR
50+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.72 EUR
10+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.4 EUR
30+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.58 EUR
8+9.84 EUR
10+8.75 EUR
30+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.51 EUR
5+16.92 EUR
10+15.06 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
54+1.34 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
38+1.92 EUR
44+1.63 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
39+1.86 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2 ST en.DM00086800.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 ODPOWIEDNIK: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 STP28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.66 EUR
25+2.92 EUR
50+2.43 EUR
100+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 ST en.DM00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics STW18N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
34+2.16 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N60M2 STW28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
22+3.4 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4 STMicroelectronics STW48N60M2-4-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+8.72 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
21+3.53 EUR
28+2.65 EUR
31+2.37 EUR
120+2.2 EUR
300+2.1 EUR
900+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
17+4.45 EUR
22+3.35 EUR
30+3 EUR
120+2.79 EUR
300+2.66 EUR
900+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK28N60C4 WMK28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.25 EUR
25+2.92 EUR
30+2.46 EUR
33+2.2 EUR
100+2.03 EUR
250+1.93 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML08N60C4 WML08N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
75+0.96 EUR
89+0.81 EUR
98+0.73 EUR
106+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML28N60C4 WML28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
32+2.29 EUR
38+1.93 EUR
42+1.73 EUR
100+1.6 EUR
250+1.53 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML28N60F2 WML28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
31+2.36 EUR
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
100+1.66 EUR
250+1.57 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM28N60C4 WMM28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
42+1.73 EUR
45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM38N60C2 WMM38N60C2 WAYON WMx38N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
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25+2.9 EUR
27+2.69 EUR
50+2.57 EUR
100+2.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF98N60 BYD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C FAIRCHILD SOT-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C FAIRCHILD TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C fairchild to-263/d2-pak
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C FAIRCHILD 07+ SOT-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTM ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8N60CF fairchild 07+ to-252/d-pak
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8N60CF fairchild to-252/d-pak
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N60C FAIRCHILD FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf 06+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N60CLF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220F FSC 09+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C/FSC FSC 08+;
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60L IR sihfps38n60l.pdf SUPER247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBF VISHAY sihfps38n60l.pdf
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH5P8128N-60T
auf Bestellung 19 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF8N60TH
auf Bestellung 350000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF8N60TH=FQPF8N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP8N60TH
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP8N60TH=FQP8N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MF8N60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP8N60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTD8N60ET4G
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTH8N60
auf Bestellung 4007 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTM8N60 MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 200 Stück
1 Stück - stock Köln
199 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60
Hersteller: BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60
Hersteller: FSC
TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60L
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.33 EUR
23+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.86 EUR
16+4.66 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
11+6.55 EUR
13+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.82 EUR
14+5.22 EUR
16+4.62 EUR
50+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.72 EUR
10+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
30+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.58 EUR
8+9.84 EUR
10+8.75 EUR
30+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+26.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.51 EUR
5+16.92 EUR
10+15.06 EUR
30+14.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
54+1.34 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18N60M6 stf18n60m6.pdf
STF18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
38+1.92 EUR
44+1.63 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2 stp18n60m2.pdf
STP18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
39+1.86 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2 en.DM00086800.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 ODPOWIEDNIK: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STP28N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.66 EUR
25+2.92 EUR
50+2.43 EUR
100+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 en.DM00095328.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STP28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2 STW18N60DM2-DTE.pdf
STW18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl Preis
20+3.63 EUR
34+2.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STW28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
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Anzahl Preis
21+3.56 EUR
22+3.4 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2 stw48n60m2.pdf
STW48N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4-DTE.pdf
STW48N60M2-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+8.72 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
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Anzahl Preis
17+4.42 EUR
21+3.53 EUR
28+2.65 EUR
31+2.37 EUR
120+2.2 EUR
300+2.1 EUR
900+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
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Anzahl Preis
13+5.56 EUR
17+4.45 EUR
22+3.35 EUR
30+3 EUR
120+2.79 EUR
300+2.66 EUR
900+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMK28N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
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Anzahl Preis
23+3.25 EUR
25+2.92 EUR
30+2.46 EUR
33+2.2 EUR
100+2.03 EUR
250+1.93 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML08N60C4
WML08N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
75+0.96 EUR
89+0.81 EUR
98+0.73 EUR
106+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WML28N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
32+2.29 EUR
38+1.93 EUR
42+1.73 EUR
100+1.6 EUR
250+1.53 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML28N60F2
WML28N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
31+2.36 EUR
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
100+1.66 EUR
250+1.57 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMM28N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
42+1.73 EUR
45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM38N60C2 WMx38N60C2.pdf
WMM38N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
27+2.69 EUR
50+2.57 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF98N60
Hersteller: BYD
auf Bestellung 54080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60C
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8N60CF
Hersteller: fairchild
07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD8N60CF
Hersteller: fairchild
to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N60C FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
06+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP8N60CLF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220F
Hersteller: FSC
09+
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C/FSC
Hersteller: FSC
08+;
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60L sihfps38n60l.pdf
Hersteller: IR
SUPER247
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBF sihfps38n60l.pdf
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH5P8128N-60T
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF8N60TH
auf Bestellung 350000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF8N60TH=FQPF8N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP8N60TH
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP8N60TH=FQP8N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MF8N60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP8N60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTD8N60ET4G
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTH8N60
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTM8N60
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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