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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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FQPF8N60C Produktcode: 13455
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Fairchild |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 07.05.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 965/28 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
auf Bestellung 303 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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8N60 | BYD |
auf Bestellung 53000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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8N60 | FSC | TO-220 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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8N60C | FAIRCHILD |
auf Bestellung 88800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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8N60L |
auf Bestellung 7002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF8N60CFT | Fairchaild |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N60CFT | ONS |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO263 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO263 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH18N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH18N60P | IXYS |
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auf Bestellung 2424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH28N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH28N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK48N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK48N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 830W Case: TO264 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN48N60P | IXYS |
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auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP18N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 127ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGA48N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGA48N60A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 925ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGA48N60A3 | IXYS |
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auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGA48N60A3-TRL | IXYS |
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auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH28N60B3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH48N60A3 | IXYS |
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auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH48N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 280A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 347ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60B3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 48A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH48N60C3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGP48N60A3 | IXYS |
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auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 125W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 26A Pulsed collector current: 230A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 125W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 26A Pulsed collector current: 230A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA18N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB18N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF28N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG018N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH068N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP068N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP28N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP38N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB18N60M6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB28N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB28N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD18N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD18N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD18N60M6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD8N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF8N60C Produktcode: 13455
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 303 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.26 EUR |
10+ | 1.1 EUR |
8N60 |
Hersteller: BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
8N60 |
Hersteller: FSC
TO-220 08+
TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
8N60C |
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF8N60CFT |
![]() |
Hersteller: Fairchaild
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.11 EUR |
FQPF8N60CFT |
![]() |
Hersteller: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 20.4 EUR |
IXFA18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.19 EUR |
IXFA18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.19 EUR |
IXFH18N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.01 EUR |
14+ | 5.12 EUR |
15+ | 4.83 EUR |
30+ | 4.65 EUR |
IXFH18N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.01 EUR |
14+ | 5.12 EUR |
15+ | 4.83 EUR |
30+ | 4.65 EUR |
IXFH18N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 18A
MOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.4 EUR |
10+ | 6.88 EUR |
510+ | 6.39 EUR |
IXFH18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IXFH18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IXFH28N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.35 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
120+ | 5.92 EUR |
510+ | 5.91 EUR |
IXFH28N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.28 EUR |
10+ | 7.94 EUR |
120+ | 6.86 EUR |
IXFK48N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
IXFK48N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
IXFN48N60P | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
MOSFET Modules 600V 48A
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 48.45 EUR |
10+ | 41.32 EUR |
100+ | 36.15 EUR |
IXFP18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.16 EUR |
IXFP18N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.16 EUR |
IXGA48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.13 EUR |
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.56 EUR |
17+ | 4.3 EUR |
IXGA48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.13 EUR |
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.56 EUR |
17+ | 4.3 EUR |
IXGA48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.98 EUR |
10+ | 5.1 EUR |
100+ | 4.7 EUR |
500+ | 4.17 EUR |
1000+ | 4.12 EUR |
IXGA48N60A3-TRL |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs IGBT
IGBTs IGBT
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.92 EUR |
10+ | 6.34 EUR |
100+ | 5.12 EUR |
500+ | 4.54 EUR |
800+ | 4.49 EUR |
2400+ | 4.31 EUR |
4800+ | 3.94 EUR |
IXGH28N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.55 EUR |
10+ | 7.96 EUR |
120+ | 7.69 EUR |
510+ | 7.15 EUR |
IXGH48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.18 EUR |
10+ | 7.11 EUR |
IXGH48N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.58 EUR |
IXGH48N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.58 EUR |
IXGH48N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.25 EUR |
9+ | 7.98 EUR |
10+ | 7.54 EUR |
25+ | 7.45 EUR |
30+ | 7.34 EUR |
90+ | 7.25 EUR |
IXGH48N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.25 EUR |
9+ | 7.98 EUR |
10+ | 7.54 EUR |
25+ | 7.45 EUR |
30+ | 7.34 EUR |
90+ | 7.25 EUR |
IXGH48N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.76 EUR |
10+ | 8.24 EUR |
120+ | 7.25 EUR |
510+ | 6.72 EUR |
IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.48 EUR |
9+ | 8.32 EUR |
10+ | 7.86 EUR |
120+ | 7.82 EUR |
IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.48 EUR |
9+ | 8.32 EUR |
10+ | 7.86 EUR |
120+ | 7.82 EUR |
IXGH48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
IGBTs 30 Amps 600V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.04 EUR |
10+ | 10.16 EUR |
120+ | 9.22 EUR |
IXGP48N60A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.15 EUR |
10+ | 4.66 EUR |
100+ | 4.44 EUR |
500+ | 4.35 EUR |
1000+ | 4.03 EUR |
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 23.22 EUR |
5+ | 14.89 EUR |
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 26.04 EUR |
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 23.22 EUR |
5+ | 14.89 EUR |
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 27.97 EUR |
10+ | 19.68 EUR |
SIHA18N60E-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.69 EUR |
10+ | 4.38 EUR |
100+ | 3.29 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.62 EUR |
2000+ | 2.53 EUR |
5000+ | 2.46 EUR |
SIHB068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.4 EUR |
10+ | 5.3 EUR |
100+ | 4.84 EUR |
500+ | 4.35 EUR |
SIHB18N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.93 EUR |
10+ | 4.56 EUR |
100+ | 3.41 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.45 EUR |
SIHF068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.5 EUR |
10+ | 6.2 EUR |
100+ | 5.53 EUR |
500+ | 4.82 EUR |
2000+ | 4.72 EUR |
SIHF28N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.95 EUR |
10+ | 6.71 EUR |
100+ | 5.88 EUR |
500+ | 5.49 EUR |
1000+ | 5.17 EUR |
SIHG018N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 28.2 EUR |
10+ | 17.95 EUR |
100+ | 16.37 EUR |
SIHG068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.16 EUR |
10+ | 7.18 EUR |
100+ | 6.27 EUR |
500+ | 5.58 EUR |
1000+ | 4.79 EUR |
2500+ | 4.73 EUR |
SIHH068N60E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.8 EUR |
10+ | 7.8 EUR |
100+ | 6.9 EUR |
1000+ | 6.58 EUR |
3000+ | 5.47 EUR |
SIHP068N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.45 EUR |
10+ | 7.04 EUR |
100+ | 5.68 EUR |
500+ | 5.32 EUR |
2000+ | 4.59 EUR |
SIHP28N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.73 EUR |
10+ | 6.65 EUR |
100+ | 5.88 EUR |
500+ | 4.79 EUR |
1000+ | 4.65 EUR |
SIHP38N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.49 EUR |
10+ | 6.07 EUR |
STB18N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.66 EUR |
10+ | 3.48 EUR |
100+ | 2.43 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 1.8 EUR |
2000+ | 1.76 EUR |
STB18N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.19 EUR |
10+ | 3.12 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
500+ | 1.85 EUR |
1000+ | 1.63 EUR |
2000+ | 1.56 EUR |
STB18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.05 EUR |
10+ | 3.5 EUR |
100+ | 2.64 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
1000+ | 1.74 EUR |
2000+ | 1.66 EUR |
STB28N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.74 EUR |
10+ | 4.54 EUR |
100+ | 3.22 EUR |
500+ | 2.87 EUR |
1000+ | 2.69 EUR |
2000+ | 2.62 EUR |
5000+ | 2.43 EUR |
STB28N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.92 EUR |
10+ | 2.69 EUR |
100+ | 1.92 EUR |
500+ | 1.55 EUR |
1000+ | 1.45 EUR |
2000+ | 1.32 EUR |
STD18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
28+ | 2.57 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
STD18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
28+ | 2.57 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
STD18N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.6 EUR |
10+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.39 EUR |
500+ | 1.24 EUR |
1000+ | 1.12 EUR |
2500+ | 1.01 EUR |
5000+ | 0.97 EUR |
STD8N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.39 EUR |
10+ | 1.69 EUR |
100+ | 1.23 EUR |
500+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.88 EUR |
2500+ | 0.79 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
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