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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQPF8N60C FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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Fairchild fqpf8n60c-d.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 255 Stück
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254 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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8N60 BYD
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8N60 FSC TO-220 08+
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8N60C FAIRCHILD
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8N60L
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598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
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8+0.38 EUR
11+0.26 EUR
100+0.18 EUR
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2000+0.12 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.42 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2388 Stücke:
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IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.69 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
30+5.91 EUR
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IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.05 EUR
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120+9.24 EUR
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1020+8.48 EUR
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IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
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IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
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IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 48A
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.32 EUR
10+39.49 EUR
100+34.44 EUR
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IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+4.96 EUR
100+4.95 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.91 EUR
10+5.98 EUR
100+5.03 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+6.71 EUR
510+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.62 EUR
10+5.51 EUR
510+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.23 EUR
9+8.32 EUR
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 30 Amps 600V
auf Bestellung 580 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs TO220 600V 48A GENX3
auf Bestellung 326 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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4+20.59 EUR
5+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
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SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 870 Stücke:
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SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2517 Stücke:
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SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 965 Stücke:
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500+2.9 EUR
1000+2.34 EUR
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SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 770 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.98 EUR
10+15.89 EUR
100+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.56 EUR
10+6.86 EUR
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500+5.33 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.86 EUR
10+7.64 EUR
100+7.23 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.69 EUR
3000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.96 EUR
10+8.27 EUR
100+8.17 EUR
500+6.51 EUR
1000+5 EUR
2000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+5.49 EUR
100+5.3 EUR
500+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics STB18N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+3.33 EUR
100+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+3.03 EUR
100+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+3.2 EUR
100+2.43 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.26 EUR
100+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.84 EUR
10+2.64 EUR
100+1.83 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.87 EUR
50+1.46 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
50+1.46 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.9 EUR
100+1.33 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.12 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD8N60DM2 STD8N60DM2 STMicroelectronics en.DM00184996.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.72 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18N60DM2 STF18N60DM2 STMicroelectronics en.DM00172444.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.75 EUR
10+3.08 EUR
100+2.25 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 255 Stück
1 Stück - stock Köln
254 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60
Hersteller: BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60
Hersteller: FSC
TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60L
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Hersteller: Dialight
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
auf Bestellung 11858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.38 EUR
11+0.26 EUR
100+0.18 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.42 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.42 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.14 EUR
10+6.88 EUR
510+6.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.69 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf
IXFH48N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.05 EUR
10+10.07 EUR
120+9.24 EUR
510+8.69 EUR
1020+8.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF
IXFN48N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+46.32 EUR
10+39.49 EUR
100+34.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.76 EUR
10+4.96 EUR
100+4.95 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3-TRL
Hersteller: IXYS
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.91 EUR
10+5.98 EUR
100+5.03 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH28N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.16 EUR
10+6.71 EUR
510+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGH48N60A3
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.62 EUR
10+5.51 EUR
510+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.37 EUR
10+6.86 EUR
120+6.83 EUR
510+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.23 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
30+7.58 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.23 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
30+7.58 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.15 EUR
10+8.62 EUR
120+8.43 EUR
510+8.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGP48N60A3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.66 EUR
10+4.59 EUR
100+4.54 EUR
500+4.45 EUR
1000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.59 EUR
5+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.59 EUR
5+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+26.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.12 EUR
10+24.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.39 EUR
10+4.19 EUR
100+3.15 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.48 EUR
5000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.05 EUR
10+4.89 EUR
100+4.63 EUR
500+4.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.64 EUR
10+4.36 EUR
100+3.27 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.84 EUR
10+5.91 EUR
100+5.28 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.45 EUR
10+5.77 EUR
100+5.33 EUR
500+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.98 EUR
10+15.89 EUR
100+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.56 EUR
10+6.86 EUR
100+5.68 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.86 EUR
10+7.64 EUR
100+7.23 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.69 EUR
3000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.96 EUR
10+8.27 EUR
100+8.17 EUR
500+6.51 EUR
1000+5 EUR
2000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.47 EUR
10+5.49 EUR
100+5.3 EUR
500+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.01 EUR
10+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60DM2 STB18N60DM2.pdf
STB18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+3.33 EUR
100+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.12 EUR
10+3.03 EUR
100+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.35 EUR
10+3.2 EUR
100+2.43 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STB28N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.44 EUR
10+4.26 EUR
100+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.84 EUR
10+2.64 EUR
100+1.83 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
50+1.46 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
50+1.46 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.57 EUR
10+1.9 EUR
100+1.33 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.12 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD8N60DM2 en.DM00184996.pdf
STD8N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+1.72 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18N60DM2 en.DM00172444.pdf
STF18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.75 EUR
10+3.08 EUR
100+2.25 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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