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FQPF8N60C FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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Fairchild fqpf8n60c-d.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 303 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.26 EUR
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8N60 BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
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8N60 FSC TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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8N60C FAIRCHILD
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8N60L
auf Bestellung 7002 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFT Fairchaild fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFT ONS fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.01 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS media-3321463.pdf MOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2424 Stücke:
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1+10.4 EUR
10+6.88 EUR
510+6.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.35 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
120+5.92 EUR
510+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS media-3319352.pdf MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 463 Stücke:
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1+12.28 EUR
10+7.94 EUR
120+6.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS media-3323038.pdf description MOSFET Modules 600V 48A
auf Bestellung 118 Stücke:
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1+48.45 EUR
10+41.32 EUR
100+36.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+5.1 EUR
100+4.7 EUR
500+4.17 EUR
1000+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf IGBTs IGBT
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.92 EUR
10+6.34 EUR
100+5.12 EUR
500+4.54 EUR
800+4.49 EUR
2400+4.31 EUR
4800+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS media-3323495.pdf IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.55 EUR
10+7.96 EUR
120+7.69 EUR
510+7.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.18 EUR
10+7.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.25 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
25+7.45 EUR
30+7.34 EUR
90+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.25 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
25+7.45 EUR
30+7.34 EUR
90+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS media-3322724.pdf IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.76 EUR
10+8.24 EUR
120+7.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS media-3320052.pdf IGBTs 30 Amps 600V
auf Bestellung 699 Stücke:
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IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs TO220 600V 48A GENX3
auf Bestellung 219 Stücke:
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS media-3321660.pdf IGBTs 48 Amps 600V
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SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 881 Stücke:
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2000+2.53 EUR
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SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 518 Stücke:
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SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 422 Stücke:
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1+8.5 EUR
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SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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500+5.49 EUR
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SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.2 EUR
10+17.95 EUR
100+16.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.16 EUR
10+7.18 EUR
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500+5.58 EUR
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2500+4.73 EUR
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SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.8 EUR
10+7.8 EUR
100+6.9 EUR
1000+6.58 EUR
3000+5.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+7.04 EUR
100+5.68 EUR
500+5.32 EUR
2000+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+6.65 EUR
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500+4.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics STB18N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.48 EUR
100+2.43 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.76 EUR
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STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.12 EUR
100+2.27 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.5 EUR
100+2.64 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.74 EUR
10+4.54 EUR
100+3.22 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.69 EUR
2000+2.62 EUR
5000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.69 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.86 EUR
28+2.57 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
28+2.57 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.88 EUR
100+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD8N60DM2 STD8N60DM2 STMicroelectronics en.DM00184996.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.69 EUR
100+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 303 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60
Hersteller: BYD
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60
Hersteller: FSC
TO-220 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8N60L
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Hersteller: Fairchaild
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Hersteller: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60P media-3321463.pdf
IXFH18N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
120+5.92 EUR
510+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH28N60P3 media-3319352.pdf
IXFH28N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+12.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N60P description media-3323038.pdf
IXFN48N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.52 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3 media-3323854.pdf
IXGA48N60A3
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.98 EUR
10+5.1 EUR
100+4.7 EUR
500+4.17 EUR
1000+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Hersteller: IXYS
IGBTs IGBT
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.92 EUR
10+6.34 EUR
100+5.12 EUR
500+4.54 EUR
800+4.49 EUR
2400+4.31 EUR
4800+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N60B3D1 media-3323495.pdf
IXGH28N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.55 EUR
10+7.96 EUR
120+7.69 EUR
510+7.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60A3 media-3323854.pdf
IXGH48N60A3
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.18 EUR
10+7.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.25 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
25+7.45 EUR
30+7.34 EUR
90+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.25 EUR
9+7.98 EUR
10+7.54 EUR
25+7.45 EUR
30+7.34 EUR
90+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60B3D1 media-3322724.pdf
IXGH48N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.76 EUR
10+8.24 EUR
120+7.25 EUR
510+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.48 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
120+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.48 EUR
9+8.32 EUR
10+7.86 EUR
120+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 media-3320052.pdf
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.04 EUR
10+10.16 EUR
120+9.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP48N60A3 media-3323854.pdf
IXGP48N60A3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.15 EUR
10+4.66 EUR
100+4.44 EUR
500+4.35 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.22 EUR
5+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+26.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+23.22 EUR
5+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXGR48N60C3D1 media-3321660.pdf
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.97 EUR
10+19.68 EUR
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SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.69 EUR
10+4.38 EUR
100+3.29 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.53 EUR
5000+2.46 EUR
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SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.4 EUR
10+5.3 EUR
100+4.84 EUR
500+4.35 EUR
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SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.93 EUR
10+4.56 EUR
100+3.41 EUR
500+3.04 EUR
1000+2.45 EUR
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SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.5 EUR
10+6.2 EUR
100+5.53 EUR
500+4.82 EUR
2000+4.72 EUR
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SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.95 EUR
10+6.71 EUR
100+5.88 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.17 EUR
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SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.2 EUR
10+17.95 EUR
100+16.37 EUR
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SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.16 EUR
10+7.18 EUR
100+6.27 EUR
500+5.58 EUR
1000+4.79 EUR
2500+4.73 EUR
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SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.8 EUR
10+7.8 EUR
100+6.9 EUR
1000+6.58 EUR
3000+5.47 EUR
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SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.45 EUR
10+7.04 EUR
100+5.68 EUR
500+5.32 EUR
2000+4.59 EUR
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SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.73 EUR
10+6.65 EUR
100+5.88 EUR
500+4.79 EUR
1000+4.65 EUR
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SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.49 EUR
10+6.07 EUR
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STB18N60DM2 STB18N60DM2.pdf
STB18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.66 EUR
10+3.48 EUR
100+2.43 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.76 EUR
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STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.19 EUR
10+3.12 EUR
100+2.27 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.56 EUR
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STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.05 EUR
10+3.5 EUR
100+2.64 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.66 EUR
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STB28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STB28N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.74 EUR
10+4.54 EUR
100+3.22 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.69 EUR
2000+2.62 EUR
5000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.92 EUR
10+2.69 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.32 EUR
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STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
28+2.57 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
28+2.57 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+1.88 EUR
100+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STD8N60DM2 en.DM00184996.pdf
STD8N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.39 EUR
10+1.69 EUR
100+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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