Suchergebnisse für "9n60" : 157
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FCMT199N60 | ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 208W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60.6A Gate charge: 57nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| FCP099N60E | ONSEMI |
FCP099N60E THT N channel transistors |
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IRFS9N60ATRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| IRFS9N60ATRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| NTHL099N60S5 | ONSEMI |
NTHL099N60S5 THT N channel transistors |
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| STD9N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| 09-054X5X9.0 VA-60 NBR | ORING USZCZELNIENIA TECHNICZNE |
Category: Seals Description: V-ring washer; NBR caoutchouc; Shaft dia: 58÷63mm; L: 9mm; Ø: 54mm Diameter: 54mm Length: 9mm Gasket material: NBR caoutchouc Type of mounting element: V-ring washer Shaft diameter: 58...63mm |
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N-600-2 BK | Bivar |
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2 |
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N-600-2 GY | Bivar |
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2 |
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N-600-2 RD | Bivar |
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2 |
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N-600-2 YW | Bivar |
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2 |
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N-600-2-CI | Bivar |
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2 |
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N-600-2-CI BK | Bivar |
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2 |
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| WMO08N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Power dissipation: 45W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Gate charge: 7.3nC |
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| FCMT199N60 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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| FCP099N60E |
|
Hersteller: ONSEMI
FCP099N60E THT N channel transistors
FCP099N60E THT N channel transistors
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| IRFS9N60ATRLPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IRFS9N60ATRRPBF |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| NTHL099N60S5 |
|
Hersteller: ONSEMI
NTHL099N60S5 THT N channel transistors
NTHL099N60S5 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
| STD9N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 09-054X5X9.0 VA-60 NBR |
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Hersteller: ORING USZCZELNIENIA TECHNICZNE
Category: Seals
Description: V-ring washer; NBR caoutchouc; Shaft dia: 58÷63mm; L: 9mm; Ø: 54mm
Diameter: 54mm
Length: 9mm
Gasket material: NBR caoutchouc
Type of mounting element: V-ring washer
Shaft diameter: 58...63mm
Category: Seals
Description: V-ring washer; NBR caoutchouc; Shaft dia: 58÷63mm; L: 9mm; Ø: 54mm
Diameter: 54mm
Length: 9mm
Gasket material: NBR caoutchouc
Type of mounting element: V-ring washer
Shaft diameter: 58...63mm
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N-600-2 BK |
|
Hersteller: Bivar
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N-600-2 GY |
|
Hersteller: Bivar
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N-600-2 RD |
|
Hersteller: Bivar
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
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Stück im Wert von UAH
| N-600-2 YW |
|
Hersteller: Bivar
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N-600-2-CI |
|
Hersteller: Bivar
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N-600-2-CI BK |
|
Hersteller: Bivar
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
Circuit Board Hardware - PCB Narr-O-Gide 6 in Nylon Natural 94V-2
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Stück im Wert von UAH
| WMO08N60C4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 7.3nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 7.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH