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BSS606N H6327 BSS606N H6327 Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
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4+0.83 EUR
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BSS606N-P 603N. TECH PUBLIC Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFET N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
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21+0.84 EUR
25+ 0.71 EUR
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500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.31 EUR
2000+ 0.28 EUR
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10000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
2000+ 0.22 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
2000+ 0.22 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.45 EUR
348+ 0.43 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.32 EUR
2000+ 0.31 EUR
4000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 347
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSS63 BSS63 onsemi DS_488_BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4 Stücke:
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BSS63 BSS63 Fairchild Semiconductor PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 0.2A, 100V, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8876+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 8876
BSS63 ONSEMI PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14958 Stücke:
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BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA BSS63.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
341+ 0.21 EUR
807+ 0.089 EUR
1092+ 0.065 EUR
1155+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 218
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA BSS63.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
341+ 0.21 EUR
807+ 0.089 EUR
1092+ 0.065 EUR
1155+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 218
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+ 0.069 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
58+ 0.3 EUR
119+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia BSS63-2937517.pdf Bipolar Transistors - BJT BSS63/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 8922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.084 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.045 EUR
6000+ 0.039 EUR
12000+ 0.035 EUR
18000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3485
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.4 EUR
641+ 0.24 EUR
1478+ 0.098 EUR
2110+ 0.066 EUR
3022+ 0.044 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 395
BSS63,215 BSS63,215 Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1478+0.11 EUR
2110+ 0.071 EUR
3031+ 0.048 EUR
9000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1478
BSS63-QR BSS63-QR Nexperia USA Inc. BSS63-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
55+ 0.32 EUR
113+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
BSS63-QR BSS63-QR Nexperia USA Inc. BSS63-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Bss630 HBE Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 179020.0,63; 0034.1514 Fuse: fast-acting; 630mA Bss630
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
41+ 0.44 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 4882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.092 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM bss63ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AHZGT116 BSS63AHZGT116 ROHM bss63ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AT116 BSS63AT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT BSS63A is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier.
auf Bestellung 8332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS63AT116 BSS63AT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSS63AT116 BSS63AT116 Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.27 EUR
602+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 581
BSS63AT116 BSS63AT116 Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1931+0.081 EUR
1942+ 0.078 EUR
2273+ 0.064 EUR
3000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1931
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1875+ 0.038 EUR
1975+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1875+ 0.038 EUR
1975+ 0.036 EUR
12000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G BSS63LT1G onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.059 EUR
6000+ 0.056 EUR
9000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63LT1G BSS63LT1G onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 18280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
73+ 0.24 EUR
136+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSS63LT1G BSS63LT1G onsemi BSS63LT1_D-2310634.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
auf Bestellung 23468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.1 EUR
1000+ 0.06 EUR
3000+ 0.058 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G ONS bss63lt1-d.pdf Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.47 EUR
10+ 1.3 EUR
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3437+0.045 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.027 EUR
45000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3437
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G BSS63LT1G ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3461+0.045 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.027 EUR
45000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
BSS64,215 NXP BSS64.pdf NPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia USA Inc. BSS64.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia USA Inc. BSS64.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia BSS64-2937734.pdf Bipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
991+0.16 EUR
1052+ 0.14 EUR
1354+ 0.1 EUR
3000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 991
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.55 EUR
485+ 0.31 EUR
539+ 0.27 EUR
991+ 0.14 EUR
1000+ 0.13 EUR
1073+ 0.12 EUR
1354+ 0.091 EUR
3000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 285
BSS64,215 BSS64,215 NEXPERIA PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.087 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64,215 Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.087 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64,215 NEXPERIA PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS64AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT 64AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.092 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS64AHZGT116 BSS64AHZGT116 ROHM bss64ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606N H6327 Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf
BSS606N H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
auf Bestellung 7807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.83 EUR
10+ 0.71 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.32 EUR
2000+ 0.29 EUR
10000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS606N-P 603N.
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSS606NH6327XTSA1 Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 55440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.83 EUR
10+ 0.7 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.25 EUR
10000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
auf Bestellung 22226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+0.84 EUR
25+ 0.71 EUR
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BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.31 EUR
2000+ 0.28 EUR
5000+ 0.27 EUR
10000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 bss606n_2.2.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.27 EUR
2000+ 0.22 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 bss606n_2.2.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.27 EUR
2000+ 0.22 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 bss606n_2.2.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
347+0.45 EUR
348+ 0.43 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.32 EUR
2000+ 0.31 EUR
4000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 347
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 38421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS606NH6327XTSA1 bss606n_2.2.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63 DS_488_BSS63.pdf
BSS63
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
BSS63 PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS63
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: 0.2A, 100V, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8876+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 8876
BSS63 PHGLS19433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
218+0.33 EUR
341+ 0.21 EUR
807+ 0.089 EUR
1092+ 0.065 EUR
1155+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 218
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
218+0.33 EUR
341+ 0.21 EUR
807+ 0.089 EUR
1092+ 0.065 EUR
1155+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 218
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.075 EUR
6000+ 0.069 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63,215 BSS63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.44 EUR
58+ 0.3 EUR
119+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSS63,215 BSS63-2937517.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BSS63/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 8922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.44 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.084 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS63,215 NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS63,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3485+0.045 EUR
6000+ 0.039 EUR
12000+ 0.035 EUR
18000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3485
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
395+0.4 EUR
641+ 0.24 EUR
1478+ 0.098 EUR
2110+ 0.066 EUR
3022+ 0.044 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 395
BSS63,215 bss63.pdf
BSS63,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1478+0.11 EUR
2110+ 0.071 EUR
3031+ 0.048 EUR
9000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1478
BSS63-QR BSS63-Q.pdf
BSS63-QR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+0.46 EUR
55+ 0.32 EUR
113+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
BSS63-QR BSS63-Q.pdf
BSS63-QR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Bss630
Hersteller: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 179020.0,63; 0034.1514 Fuse: fast-acting; 630mA Bss630
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS63AHZGT116 datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.63 EUR
41+ 0.44 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS63AHZGT116 datasheet?p=BSS63AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AHZGT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 4882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.62 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.092 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AHZGT116 bss63ahzgt116-e.pdf
BSS63AHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63AT116 datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BSS63A is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier.
auf Bestellung 8332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.56 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS63AT116 datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS63AT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.58 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSS63AT116 bss63at116-e.pdf
BSS63AT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
581+0.27 EUR
602+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 581
BSS63AT116 bss63at116-e.pdf
BSS63AT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1931+0.081 EUR
1942+ 0.078 EUR
2273+ 0.064 EUR
3000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1931
BSS63LT1G BSS63LT1G.PDF
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1875+ 0.038 EUR
1975+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G BSS63LT1G.PDF
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1400+0.051 EUR
1550+ 0.046 EUR
1875+ 0.038 EUR
1975+ 0.036 EUR
12000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.059 EUR
6000+ 0.056 EUR
9000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 18280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.35 EUR
73+ 0.24 EUR
136+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSS63LT1G BSS63LT1_D-2310634.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
auf Bestellung 23468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+0.34 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.1 EUR
1000+ 0.06 EUR
3000+ 0.058 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSS63LT1G 2160727.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
Hersteller: ONS
Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.47 EUR
10+ 1.3 EUR
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3437+0.045 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.027 EUR
45000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3437
BSS63LT1G 2160727.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3461+0.045 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.027 EUR
45000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
BSS64,215 BSS64.pdf
Hersteller: NXP
NPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS64,215 BSS64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.63 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS64,215 BSS64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 BSS64-2937734.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.67 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
991+0.16 EUR
1052+ 0.14 EUR
1354+ 0.1 EUR
3000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 991
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
285+0.55 EUR
485+ 0.31 EUR
539+ 0.27 EUR
991+ 0.14 EUR
1000+ 0.13 EUR
1073+ 0.12 EUR
1354+ 0.091 EUR
3000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 285
BSS64,215 PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS64,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.087 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 1745557166529442bss64.pdf
BSS64,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.087 EUR
9000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS64,215 PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS64,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS64AHZGT116 datasheet?p=BSS64AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS64AHZGT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 64AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.64 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.092 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS64AHZGT116 bss64ahzgt116-e.pdf
BSS64AHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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