Suchergebnisse für "IRF510" : 53

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF510PBF IRF510PBF
Produktcode: 44439
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Fairchild irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 200 St.
200 St. - erwartet
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
97+0.74 EUR
107+0.67 EUR
115+0.63 EUR
250+0.57 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.22 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 17971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.12 EUR
130+1.07 EUR
149+0.89 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.11 EUR
139+0.99 EUR
250+0.87 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.11 EUR
131+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.11 EUR
131+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.12 EUR
129+1.07 EUR
148+0.9 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.17 EUR
100+0.89 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.66 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S Siliconix N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.63 EUR
69+1.05 EUR
83+0.86 EUR
100+0.79 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 14396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.4 EUR
100+1.11 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.39 EUR
145+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.8 EUR
104+1.34 EUR
145+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.4 EUR
143+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.77 EUR
103+1.34 EUR
143+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.42 EUR
110+1.26 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.1 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1.14 EUR
800+0.98 EUR
2400+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.97 EUR
100+0.92 EUR
500+0.91 EUR
2400+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.1 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF510PBF Vishay MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
82+0.88 EUR
85+0.85 EUR
93+0.78 EUR
110+0.65 EUR
250+0.53 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS DIGILENT Category: Development kits - accessories
Description: Components kit
Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET
Type of accessories for development kits: components kit
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+141.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 IRF510
Produktcode: 30002
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Siliconix irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF
Produktcode: 186965
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf510.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 STMicroelectronics irf510.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 IRF510 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 IRF510 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRL Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRR Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF
Produktcode: 44439
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 200 St.
200 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
97+0.74 EUR
107+0.67 EUR
115+0.63 EUR
250+0.57 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+1.22 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 17971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.12 EUR
130+1.07 EUR
149+0.89 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+1.11 EUR
139+0.99 EUR
250+0.87 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+1.11 EUR
131+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+1.11 EUR
131+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.12 EUR
129+1.07 EUR
148+0.9 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.43 EUR
10+1.17 EUR
100+0.89 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.66 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
69+1.05 EUR
83+0.86 EUR
100+0.79 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 14396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.97 EUR
10+1.4 EUR
100+1.11 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
104+1.39 EUR
145+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+2.8 EUR
104+1.34 EUR
145+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+1.4 EUR
143+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.77 EUR
103+1.34 EUR
143+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
101+1.42 EUR
110+1.26 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.1 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1.14 EUR
800+0.98 EUR
2400+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+1.97 EUR
100+0.92 EUR
500+0.91 EUR
2400+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.1 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF510PBF
Hersteller: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
82+0.88 EUR
85+0.85 EUR
93+0.78 EUR
110+0.65 EUR
250+0.53 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS
Hersteller: DIGILENT
Category: Development kits - accessories
Description: Components kit
Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET
Type of accessories for development kits: components kit
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+141.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510
Produktcode: 30002
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf510.pdf
IRF510
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF
Produktcode: 186965
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf510.pdf

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRL
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRR
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH