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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRF630NPBF Produktcode: 15961
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 09.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 JHGF: THT |
verfügbar: 159 Stück
2 Stück - stock Köln
157 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Harris Corporation |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | ST MICROELECTRONICS |
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auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | HARRIS |
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auf Bestellung 11535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 5888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 5894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | HARRIS |
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auf Bestellung 10820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | IR |
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auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630A_CP001 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 128430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630A_CP001 | FAIRCHILD | IRF630A_CP001 |
auf Bestellung 45755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630A_CP001 | FAIRCHILD | IRF630A_CP001 |
auf Bestellung 177675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630N | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 23.3nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 23.3nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 135888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 135894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NS | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.4nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.4nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 4082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay |
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auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay |
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auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay |
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auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay |
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auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF | Vishay |
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auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF630PBF | Vishay |
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auf Bestellung 847 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630S | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 4967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRLPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRRPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630STRRPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF630A | FSC |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF630B | Fairchild |
auf Bestellung 10005 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF630NPBF Produktcode: 15961
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 159 Stück
2 Stück - stock Köln
157 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
157 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.36 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
45+ | 1.61 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.97 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
45+ | 1.61 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.62 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.89 EUR |
50+ | 1.39 EUR |
100+ | 1.25 EUR |
500+ | 0.99 EUR |
1000+ | 0.97 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
353+ | 1.43 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.71 EUR |
10+ | 1.34 EUR |
100+ | 1.20 EUR |
500+ | 1.00 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 3.35 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF630
IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
391+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 1.31 EUR |
126+ | 1.25 EUR |
140+ | 1.08 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.68 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
126+ | 1.30 EUR |
127+ | 1.24 EUR |
141+ | 1.08 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
IRF630 | ![]() |
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Hersteller: HARRIS
IRF630
IRF630
auf Bestellung 10820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
391+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.66 EUR |
10+ | 4.27 EUR |
100+ | 3.88 EUR |
IRF630A_CP001 |
auf Bestellung 128430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
701+ | 0.72 EUR |
IRF630A_CP001 |
Hersteller: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
IRF630A_CP001
auf Bestellung 45755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
810+ | 0.75 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
IRF630A_CP001 |
Hersteller: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
IRF630A_CP001
auf Bestellung 177675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
810+ | 0.75 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
IRF630N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.71 EUR |
IRF630N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.08 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.10 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.10 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.20 EUR |
10+ | 1.17 EUR |
100+ | 1.06 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
auf Bestellung 4370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.75 EUR |
50+ | 1.31 EUR |
100+ | 1.17 EUR |
500+ | 0.92 EUR |
1000+ | 0.84 EUR |
2000+ | 0.77 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
282+ | 0.58 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 135888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
233+ | 0.70 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
625+ | 0.26 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 0.53 EUR |
2000+ | 0.51 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
724+ | 0.84 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 135894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
178+ | 0.92 EUR |
227+ | 0.69 EUR |
242+ | 0.63 EUR |
500+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.47 EUR |
5000+ | 0.45 EUR |
10000+ | 0.43 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 0.53 EUR |
2000+ | 0.51 EUR |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
282+ | 0.58 EUR |
286+ | 0.55 EUR |
IRF630NS | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.83 EUR |
IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.63 EUR |
IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.63 EUR |
IRF630NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
206+ | 0.76 EUR |
211+ | 0.72 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.54 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.54 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.06 EUR |
50+ | 1.49 EUR |
100+ | 1.33 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
1000+ | 1.05 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.08 EUR |
10+ | 1.16 EUR |
100+ | 1.06 EUR |
500+ | 1.05 EUR |
10000+ | 1.04 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
133+ | 1.23 EUR |
185+ | 0.85 EUR |
198+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.71 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
175+ | 0.93 EUR |
187+ | 0.84 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
184+ | 0.89 EUR |
197+ | 0.80 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 1.24 EUR |
175+ | 0.90 EUR |
187+ | 0.81 EUR |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 1.28 EUR |
143+ | 1.10 EUR |
IRF630PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.45 EUR |
10+ | 1.05 EUR |
10000+ | 1.02 EUR |
IRF630S |
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Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.61 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
250+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.04 EUR |
10+ | 1.99 EUR |
100+ | 1.74 EUR |
500+ | 1.42 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
2000+ | 1.19 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.08 EUR |
50+ | 1.99 EUR |
100+ | 1.79 EUR |
500+ | 1.44 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
94+ | 1.75 EUR |
95+ | 1.67 EUR |
111+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.15 EUR |
1000+ | 0.99 EUR |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
94+ | 1.75 EUR |
95+ | 1.67 EUR |
111+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.15 EUR |
1000+ | 0.99 EUR |
IRF630STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.08 EUR |
10+ | 2.62 EUR |
IRF630STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.38 EUR |
10+ | 2.34 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
800+ | 1.29 EUR |
2400+ | 1.19 EUR |
IRF630STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.08 EUR |
10+ | 2.62 EUR |
IRF630STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.50 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
800+ | 1.31 EUR |
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC |
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630A |
![]() |
Hersteller: FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF630B |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
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