Suchergebnisse für "IRF630" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 264 Stück
2 Stück - stock Köln
262 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
69+1.05 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
69+1.05 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.41 EUR
10+1.15 EUR
100+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 10820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.77 EUR
189+0.74 EUR
197+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001 FAIRCHILD IRF630A_CP001
auf Bestellung 45755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001 FAIRCHILD IRF630A_CP001
auf Bestellung 177675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.62 EUR
100000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.95 EUR
25+0.99 EUR
100+0.83 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.51 EUR
289+0.48 EUR
292+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 282
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.47 EUR
25+1.07 EUR
100+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.31 EUR
116+1.21 EUR
250+1.12 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.44 EUR
264+0.53 EUR
274+0.49 EUR
292+0.44 EUR
311+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 274
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.82 EUR
184+0.76 EUR
217+0.62 EUR
222+0.58 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.62 EUR
25+0.93 EUR
100+0.91 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.83 EUR
25+1.58 EUR
100+1.55 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.27 EUR
117+1.2 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.32 EUR
111+1.26 EUR
114+1.18 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+2.15 EUR
100+1.69 EUR
500+1.41 EUR
800+1.16 EUR
2400+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+2.24 EUR
100+1.73 EUR
800+1.22 EUR
2400+1.14 EUR
4800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF
Produktcode: 15961
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 264 Stück
2 Stück - stock Köln
262 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
69+1.05 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
69+1.05 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.15 EUR
100+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
301+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 10820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
301+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
188+0.77 EUR
189+0.74 EUR
197+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
301+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001
Hersteller: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
auf Bestellung 45755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
665+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001
Hersteller: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
auf Bestellung 177675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
665+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.62 EUR
100000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
82+0.88 EUR
101+0.71 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.95 EUR
25+0.99 EUR
100+0.83 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
284+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
593+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
593+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 593
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
282+0.51 EUR
289+0.48 EUR
292+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 282
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
286+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
368+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NS description irf630n.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
106+0.67 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.85 EUR
10+1.47 EUR
25+1.07 EUR
100+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
111+1.31 EUR
116+1.21 EUR
250+1.12 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.44 EUR
264+0.53 EUR
274+0.49 EUR
292+0.44 EUR
311+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
185+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
274+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 274
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.82 EUR
184+0.76 EUR
217+0.62 EUR
222+0.58 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.31 EUR
10+1.62 EUR
25+0.93 EUR
100+0.91 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630S sih630s.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.85 EUR
10+1.83 EUR
25+1.58 EUR
100+1.55 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
110+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+1.27 EUR
117+1.2 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
110+1.32 EUR
111+1.26 EUR
114+1.18 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.1 EUR
10+2.15 EUR
100+1.69 EUR
500+1.41 EUR
800+1.16 EUR
2400+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.24 EUR
10+2.24 EUR
100+1.73 EUR
800+1.22 EUR
2400+1.14 EUR
4800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
f24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FP en.CD00000701.pdf
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]