Suchergebnisse für "IRF640" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF
Produktcode: 42934
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 149 Stück
10 Stück - stock Köln
139 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Produktcode: 116935
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: SMD
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 SLKOR en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001 ON Semiconductor IRF640ACP001
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+1.86 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NL International Rectifier IRF640.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.85 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 34045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.55 EUR
50+1.22 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.72 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 15504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+2.11 EUR
25+0.96 EUR
100+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 277
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 38210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.83 EUR
100+1.71 EUR
200+0.78 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.48 EUR
8000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 145784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.93 EUR
171+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
4000+0.52 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 145784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.99 EUR
158+0.9 EUR
171+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
4000+0.5 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
1600+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.92 EUR
1600+0.85 EUR
2400+0.81 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+1.88 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 33022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.44 EUR
100+1.19 EUR
800+0.84 EUR
2400+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.2 EUR
137+1.03 EUR
156+0.87 EUR
181+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.73 EUR
1600+0.69 EUR
2400+0.63 EUR
4000+0.6 EUR
5600+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.73 EUR
1600+0.69 EUR
2400+0.63 EUR
4000+0.6 EUR
5600+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.07 EUR
156+0.91 EUR
181+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.2 EUR
137+1.03 EUR
200+0.87 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.81 EUR
100+1.57 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.49 EUR
93+1.52 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.58 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay / Siliconix sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+1.51 EUR
100+1.23 EUR
500+1.15 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640S Siliconix sihf640s.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.2 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
50+2.9 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.85 EUR
100+1.71 EUR
1000+1.69 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N
Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description
IRF640N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF
Produktcode: 42934
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 149 Stück
10 Stück - stock Köln
139 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSPBF
Produktcode: 116935
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: SMD
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
235+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001
Hersteller: ON Semiconductor
IRF640ACP001
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+1.86 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NL IRF640.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NLPBF description irf640npbf.pdf
IRF640NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+1.85 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 34045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.55 EUR
50+1.22 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.72 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 15504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.13 EUR
10+2.11 EUR
25+0.96 EUR
100+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
277+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 277
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 38210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
98+1.83 EUR
100+1.71 EUR
200+0.78 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.48 EUR
8000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 145784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.93 EUR
171+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
4000+0.52 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 145784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+1.99 EUR
158+0.9 EUR
171+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
4000+0.5 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NS description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
65+1.11 EUR
81+0.89 EUR
100+0.81 EUR
250+0.72 EUR
800+0.61 EUR
1600+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.92 EUR
1600+0.85 EUR
2400+0.81 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.96 EUR
10+1.88 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 33022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.44 EUR
100+1.19 EUR
800+0.84 EUR
2400+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.2 EUR
137+1.03 EUR
156+0.87 EUR
181+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.73 EUR
1600+0.69 EUR
2400+0.63 EUR
4000+0.6 EUR
5600+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.73 EUR
1600+0.69 EUR
2400+0.63 EUR
4000+0.6 EUR
5600+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
137+1.07 EUR
156+0.91 EUR
181+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.2 EUR
137+1.03 EUR
200+0.87 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+1.81 EUR
100+1.57 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+2.49 EUR
93+1.52 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF sihf640.pdf
Hersteller: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
93+1.58 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+1.51 EUR
100+1.23 EUR
500+1.15 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
550+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
550+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 550
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640S description sihf640s.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.74 EUR
50+2.9 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+1.85 EUR
100+1.71 EUR
1000+1.69 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]