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IRF830PBF IRF830PBF
Produktcode: 163342
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Siliconix irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 51 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8301m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 34A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.38 EUR
500+2.20 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF IRF8302MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.38 EUR
500+2.20 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF IRF8302MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.38 EUR
500+2.20 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 4408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8304m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+1.54 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
237+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.32 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 261
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF International Rectifier IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
263+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 263
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830A IRF830A Vishay / Siliconix 91061.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 190-194 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+6.53 EUR
50+5.53 EUR
100+5.03 EUR
250+4.75 EUR
500+4.49 EUR
1000+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+3.19 EUR
100+2.53 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.63 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
93+0.78 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
93+0.78 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
50+1.74 EUR
100+1.68 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Semiconductors 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.06 EUR
100+1.59 EUR
500+1.46 EUR
5000+1.44 EUR
10000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY VISH-S-A0013276618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.10 EUR
50+1.73 EUR
100+1.60 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91061.pdf MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+1.81 EUR
100+1.56 EUR
500+1.46 EUR
2000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.26 EUR
10+2.59 EUR
100+2.22 EUR
250+2.15 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
50+2.34 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.52 EUR
100+2.02 EUR
500+1.61 EUR
2400+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.51 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B IRF830B Fairchild Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
513+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 513
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay Siliconix irf830b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay Semiconductors irf830b.pdf MOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.21 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay irf830b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay irf830b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3 IRF830BPBF-BE3 Vishay / Siliconix irf830b.pdf MOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.56 EUR
100+1.00 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3 IRF830BPBF-BE3 Vishay Siliconix irf830b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF. IRF830BPBF. VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.79 EUR
56+1.29 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
56+1.29 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.62 EUR
100+1.46 EUR
500+1.19 EUR
10000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
50+1.50 EUR
100+1.33 EUR
500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF Vishay irl620.pdf MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0013276606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.55 EUR
181+0.86 EUR
183+0.82 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.55 EUR
181+0.86 EUR
183+0.82 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF
Produktcode: 163342
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irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 51 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF infineon-irf8301m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8301MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 34A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+2.38 EUR
500+2.20 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8302MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+2.38 EUR
500+2.20 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8302MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+2.38 EUR
500+2.20 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 4408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
356+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF infineon-irf8304m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8304MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
394+1.54 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f
IRF8306MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
237+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF 595irf8306mpbf.pdf
IRF8306MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
261+2.32 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 261
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8308MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
263+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 263
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830A description 91061.pdf
IRF830A
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 190-194 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.44 EUR
10+6.53 EUR
50+5.53 EUR
100+5.03 EUR
250+4.75 EUR
500+4.49 EUR
1000+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
54+1.34 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.29 EUR
10+3.19 EUR
100+2.53 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.63 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
93+0.78 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
93+0.78 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.75 EUR
50+1.74 EUR
100+1.68 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+2.06 EUR
100+1.59 EUR
500+1.46 EUR
5000+1.44 EUR
10000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF VISH-S-A0013276618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
184+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.10 EUR
50+1.73 EUR
100+1.60 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.01 EUR
10+1.81 EUR
100+1.56 EUR
500+1.46 EUR
2000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.26 EUR
10+2.59 EUR
100+2.22 EUR
250+2.15 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.05 EUR
50+2.34 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.52 EUR
10+2.52 EUR
100+2.02 EUR
500+1.61 EUR
2400+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.54 EUR
10+2.51 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
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IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF830B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
513+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 513
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Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
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592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
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Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
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Anzahl Preis
592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
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Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
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Anzahl Preis
592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 592
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IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
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592+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830BPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.78 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830BPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.21 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF 2633004.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 846 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF irf830b.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
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Anzahl Preis
256+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
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Anzahl Preis
256+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3 irf830b.pdf
IRF830BPBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.56 EUR
100+1.00 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3 irf830b.pdf
IRF830BPBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF. 2633004.pdf
IRF830BPBF.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
56+1.29 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
56+1.29 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.18 EUR
10+1.62 EUR
100+1.46 EUR
500+1.19 EUR
10000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.48 EUR
50+1.50 EUR
100+1.33 EUR
500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
Hersteller: Vishay
MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF VISH-S-A0013276606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
104+1.55 EUR
181+0.86 EUR
183+0.82 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
104+1.55 EUR
181+0.86 EUR
183+0.82 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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