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IRF830PBF IRF830PBF
Produktcode: 163342
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Siliconix irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 42 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 IRF830 Vishay info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 IRF830 Siliconix info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 IRF830 JSMicro Semiconductor info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF IRF8302MTRPBF Infineon Technologies infineonirf8302mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+2.76 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF International Rectifier IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
60+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies infineonirf8304mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF International Rectifier IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 6861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
32+2.27 EUR
42+1.72 EUR
60+1.2 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.1 EUR
10+2.94 EUR
100+2.29 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.81 EUR
73+1.91 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.32 EUR
48+1.5 EUR
60+1.2 EUR
100+1.09 EUR
250+0.96 EUR
500+0.87 EUR
750+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Semiconductors 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+2.18 EUR
100+1.53 EUR
500+1.32 EUR
10000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY VISH-S-A0019267819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.85 EUR
65+2.15 EUR
100+1.74 EUR
250+1.44 EUR
500+1.22 EUR
750+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2 EUR
74+1.91 EUR
105+1.29 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.02 EUR
73+1.93 EUR
104+1.3 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.78 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91061.pdf MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+2.18 EUR
100+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 VISHAY 91061.pdf Description: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.52 EUR
100+1.99 EUR
500+1.74 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.45 EUR
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IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
50+2.48 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.72 EUR
1600+1.6 EUR
2400+1.53 EUR
4000+1.46 EUR
5600+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.99 EUR
500+1.62 EUR
800+1.5 EUR
2400+1.44 EUR
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IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
10+3.23 EUR
100+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830B IRF830B Fairchild Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
349+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 349
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IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B ON Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
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IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay doc91520.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay doc91520.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
84+0.86 EUR
102+0.71 EUR
105+0.69 EUR
108+0.66 EUR
150+0.64 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.59 EUR
100+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.91 EUR
5000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4 EUR
50+1.96 EUR
100+1.76 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.17 EUR
160+0.87 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.77 EUR
126+1.11 EUR
160+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.85 EUR
125+1.12 EUR
161+0.83 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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IRF830PBF
Produktcode: 163342
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irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 42 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF infineonirf8302mdatasheetv0101en.pdf
IRF8302MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
197+2.76 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
242+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF infineonirf8304mdatasheetv0101en.pdf
IRF8304MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f
IRF8306MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
161+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF 595irf8306mpbf.pdf
IRF8306MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8308MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 6861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
32+2.27 EUR
42+1.72 EUR
60+1.2 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.1 EUR
10+2.94 EUR
100+2.29 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.81 EUR
73+1.91 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
48+1.5 EUR
60+1.2 EUR
100+1.09 EUR
250+0.96 EUR
500+0.87 EUR
750+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.63 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+2.18 EUR
100+1.53 EUR
500+1.32 EUR
10000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF VISH-S-A0019267819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+2.85 EUR
65+2.15 EUR
100+1.74 EUR
250+1.44 EUR
500+1.22 EUR
750+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+2 EUR
74+1.91 EUR
105+1.29 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.02 EUR
73+1.93 EUR
104+1.3 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.78 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.63 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+2.18 EUR
100+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF830A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.52 EUR
100+1.99 EUR
500+1.74 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.98 EUR
50+2.48 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.72 EUR
1600+1.6 EUR
2400+1.53 EUR
4000+1.46 EUR
5600+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.99 EUR
500+1.62 EUR
800+1.5 EUR
2400+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.98 EUR
10+3.23 EUR
100+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF830B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
349+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 349
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
IRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
IRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
IRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF doc91520.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
188+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF doc91520.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF 2633004.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
84+0.86 EUR
102+0.71 EUR
105+0.69 EUR
108+0.66 EUR
150+0.64 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.97 EUR
10+1.59 EUR
100+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.91 EUR
5000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4 EUR
50+1.96 EUR
100+1.76 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
124+1.17 EUR
160+0.87 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
82+1.77 EUR
126+1.11 EUR
160+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+1.85 EUR
125+1.12 EUR
161+0.83 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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