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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRF830PBF Produktcode: 163342
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Siliconix |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 JHGF: THT |
auf Bestellung 51 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF830 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF830-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF8301MTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8301MTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF8302MTRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8302MTRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8308MTRPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830A | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 190-194 Tag (e) |
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IRF830ALPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830ALPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF830ALPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ALPBF | Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830ALPBF | Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830APBF | Vishay |
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auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830APBF | Vishay |
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auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830APBF | Vishay |
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auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830APBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 3880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ASPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ASPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830ASTRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ASTRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830ASTRLPBF | Vishay |
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auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830ASTRLPBF | Vishay |
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auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830B | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830B | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830B | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 4519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830B | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830B | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830BPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830BPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830BPBF | Vishay |
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auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830BPBF | Vishay |
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auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830BPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830BPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830BPBF. | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF830PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF830PBF | Vishay |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Vishay |
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auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1051 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830PBF | Vishay |
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auf Bestellung 4891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF | Vishay |
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auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF830PBF | Vishay |
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auf Bestellung 4891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF830PBF Produktcode: 163342
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 51 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830 | ![]() |
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auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.71 EUR |
IRF830-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.25 EUR |
IRF8301MTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF8301MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 34A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 34A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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255+ | 2.38 EUR |
500+ | 2.20 EUR |
1000+ | 2.00 EUR |
IRF8301MTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF8302MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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255+ | 2.38 EUR |
500+ | 2.20 EUR |
1000+ | 2.00 EUR |
IRF8302MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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255+ | 2.38 EUR |
500+ | 2.20 EUR |
1000+ | 2.00 EUR |
IRF8304MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 4408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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356+ | 1.42 EUR |
IRF8304MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
394+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.42 EUR |
1000+ | 1.29 EUR |
IRF8306MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
237+ | 2.14 EUR |
IRF8306MTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
261+ | 2.32 EUR |
500+ | 2.14 EUR |
1000+ | 1.95 EUR |
IRF8308MTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
263+ | 1.92 EUR |
IRF830A | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 190-194 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.44 EUR |
10+ | 6.53 EUR |
50+ | 5.53 EUR |
100+ | 5.03 EUR |
250+ | 4.75 EUR |
500+ | 4.49 EUR |
1000+ | 3.84 EUR |
IRF830ALPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
IRF830ALPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
1000+ | 0.99 EUR |
IRF830ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.29 EUR |
10+ | 3.19 EUR |
100+ | 2.53 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
1000+ | 1.71 EUR |
2000+ | 1.67 EUR |
IRF830ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.62 EUR |
2000+ | 1.54 EUR |
IRF830ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.63 EUR |
2000+ | 1.55 EUR |
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.75 EUR |
50+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.68 EUR |
500+ | 1.56 EUR |
1000+ | 1.47 EUR |
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.99 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.59 EUR |
500+ | 1.46 EUR |
5000+ | 1.44 EUR |
10000+ | 1.38 EUR |
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
184+ | 0.88 EUR |
IRF830APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.10 EUR |
50+ | 1.73 EUR |
100+ | 1.60 EUR |
500+ | 1.56 EUR |
IRF830APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.01 EUR |
10+ | 1.81 EUR |
100+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.46 EUR |
2000+ | 1.38 EUR |
IRF830ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.26 EUR |
10+ | 2.59 EUR |
100+ | 2.22 EUR |
250+ | 2.15 EUR |
500+ | 1.94 EUR |
1000+ | 1.69 EUR |
2000+ | 1.62 EUR |
IRF830ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.05 EUR |
50+ | 2.34 EUR |
100+ | 2.17 EUR |
IRF830ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.62 EUR |
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.52 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
100+ | 2.02 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
2400+ | 1.51 EUR |
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 9339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.54 EUR |
10+ | 2.51 EUR |
100+ | 2.03 EUR |
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830B |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
513+ | 0.99 EUR |
IRF830B |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
592+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
IRF830B |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
IRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
592+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
IRF830B |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
IRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
592+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
IRF830B |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
IRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
592+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
IRF830BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.78 EUR |
50+ | 1.32 EUR |
100+ | 1.18 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.85 EUR |
2000+ | 0.78 EUR |
IRF830BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
MOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.21 EUR |
100+ | 1.05 EUR |
500+ | 0.88 EUR |
1000+ | 0.77 EUR |
IRF830BPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
256+ | 0.63 EUR |
IRF830BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
256+ | 0.63 EUR |
IRF830BPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.56 EUR |
100+ | 1.00 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.77 EUR |
2500+ | 0.72 EUR |
5000+ | 0.70 EUR |
IRF830BPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.78 EUR |
IRF830BPBF. |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.62 EUR |
100+ | 1.46 EUR |
500+ | 1.19 EUR |
10000+ | 1.16 EUR |
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.48 EUR |
50+ | 1.50 EUR |
100+ | 1.33 EUR |
500+ | 1.20 EUR |
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.76 EUR |
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
104+ | 1.55 EUR |
181+ | 0.86 EUR |
183+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF830PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
104+ | 1.55 EUR |
181+ | 0.86 EUR |
183+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
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