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IRF830PBF IRF830PBF
Produktcode: 163342
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Siliconix irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 JSMicro Semiconductor IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF IRF8302MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+2.76 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF IRF8302MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+2.76 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF International Rectifier IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
60+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
292+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRF8304MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf8304m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
194+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRF8308MTRPBF International Rectifier IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 6861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.32 EUR
100+2.15 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.86 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
70+1.03 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
70+1.03 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
50+1.55 EUR
100+1.46 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay Semiconductors 91061.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.68 EUR
100+1.62 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 21057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.53 EUR
98+1.43 EUR
105+1.28 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF Vishay 91061.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 21057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.53 EUR
97+1.44 EUR
105+1.29 EUR
500+1.19 EUR
1000+1 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY VISH-S-A0013276618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay Siliconix 91061.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
50+1.51 EUR
100+1.43 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91061.pdf MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.63 EUR
100+1.5 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 617 Stücke:
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1+3.71 EUR
10+2.18 EUR
100+2.08 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.6 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
50+2.05 EUR
100+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 9328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
10+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf830a.pdf MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.87 EUR
500+1.52 EUR
800+1.48 EUR
2400+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay sihf830a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B IRF830B Fairchild Semiconductor FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
420+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRCHILD FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay Siliconix irf830b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay irf830b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF IRF830BPBF Vishay irf830b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.6 EUR
244+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3 IRF830BPBF-BE3 Vishay Siliconix irf830b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF. IRF830BPBF. VISHAY 2633004.pdf Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D8547F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf830.pdf?ci_sign=4ee7c25539855d8a94e92e5f2f2950811f41b112 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
50+1.33 EUR
100+1.31 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.23 EUR
100+1.21 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF Vishay irl620.pdf MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.33 EUR
113+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0013276606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF
Produktcode: 163342
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irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
JHGF: THT
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830 description IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830-ML MOSLEADER TIRF830 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 0.0015 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8302MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
197+2.76 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8302MTRPBF infineon-irf8302m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8302MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
197+2.76 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8304MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
292+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF IRSDS19129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8304mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d20db1d5d
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8304MTRPBF infineon-irf8304m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8304MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f
IRF8306MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
194+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8306MTRPBF 595irf8306mpbf.pdf
IRF8306MTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF8308MTRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
auf Bestellung 10644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
216+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8308MTRPBF IRSDS19130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf8308mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d319d1d61
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 6861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
224+2.42 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.62 EUR
10+2.32 EUR
100+2.15 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.86 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
70+1.03 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
70+1.03 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.41 EUR
50+1.55 EUR
100+1.46 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.64 EUR
10+1.68 EUR
100+1.62 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 21057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+1.53 EUR
98+1.43 EUR
105+1.28 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
153+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF 91061.pdf
IRF830APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 21057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+1.53 EUR
97+1.44 EUR
105+1.29 EUR
500+1.19 EUR
1000+1 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF VISH-S-A0013276618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.41 EUR
50+1.51 EUR
100+1.43 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF-BE3 91061.pdf
IRF830APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.06 EUR
10+1.63 EUR
100+1.5 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.71 EUR
10+2.18 EUR
100+2.08 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.6 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
50+2.05 EUR
100+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASPBF VISH-S-A0013329316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 9328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.02 EUR
10+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.87 EUR
500+1.52 EUR
800+1.48 EUR
2400+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF830B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
420+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830B FAIRS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
IRF830B
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF irf830b.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.5 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF 2633004.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF irf830b.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
242+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF irf830b.pdf
IRF830BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
242+0.6 EUR
244+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF-BE3 irf830b.pdf
IRF830BPBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830BPBF. 2633004.pdf
IRF830BPBF.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D8547F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf830.pdf?ci_sign=4ee7c25539855d8a94e92e5f2f2950811f41b112
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.08 EUR
50+1.33 EUR
100+1.31 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.23 EUR
100+1.21 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irl620.pdf
Hersteller: Vishay
MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+1.33 EUR
113+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF VISH-S-A0013276606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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