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IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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Vishay 91118.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 St.
1+1.13 EUR
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IRFBE30 IRFBE30 Siliconix info-tirfbe30.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10
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IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay Semiconductors tf-irfbe30lpbf.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 17920 Stücke:
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1+5.74 EUR
10+2.62 EUR
100+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+2.01 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
43+1.69 EUR
50+1.46 EUR
100+1.3 EUR
250+1.1 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
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1+4.38 EUR
10+2.82 EUR
100+2.13 EUR
2000+2.11 EUR
5000+2.08 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.24 EUR
50+3.07 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.24 EUR
50+3.07 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 496 Stücke:
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57+2.46 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 87 Stücke:
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60+2.42 EUR
61+2.31 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.55 EUR
58+2.44 EUR
100+1.91 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 57
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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53+2.77 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.55 EUR
58+2.44 EUR
100+1.91 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.46 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.43 EUR
100+2.01 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.42 EUR
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IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 VISHAY 91118.pdf Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.22 EUR
28+2.65 EUR
50+2.19 EUR
100+2.03 EUR
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay Semiconductors sihfbe30.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
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1+5.79 EUR
10+3.41 EUR
100+2.94 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.35 EUR
50+3.47 EUR
100+3.1 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.23 EUR
44+3.18 EUR
100+2.79 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.62 EUR
55+2.54 EUR
100+2.32 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.23 EUR
44+3.18 EUR
100+2.79 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay Semiconductors doc?98731 MOSFETs 800V 4.1A 125W
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.36 EUR
10+4.86 EUR
100+3.45 EUR
500+2.78 EUR
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IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S IR 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRFBE30 Vishay Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 3 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.3 EUR
10+3.96 EUR
100+2.96 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.CD00003038.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+2.45 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30
Produktcode: 23059
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IR 91118.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30 Vishay / Siliconix 91118.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF VISHAY tf-irfbe30lpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF VISHAY doc?98731 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 International Rectifier/Infineon 91118.pdf description N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 irfbe30.pdf description (MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFBE30PBF Vishay/IR IRFBE30PBF_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 St.
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 description info-tirfbe30.pdf
IRFBE30
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 17920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.74 EUR
10+2.62 EUR
100+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
43+1.69 EUR
50+1.46 EUR
100+1.3 EUR
250+1.1 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.38 EUR
10+2.82 EUR
100+2.13 EUR
2000+2.11 EUR
5000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.24 EUR
50+3.07 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.24 EUR
50+3.07 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.46 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+2.42 EUR
61+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.55 EUR
58+2.44 EUR
100+1.91 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+2.77 EUR
61+2.32 EUR
100+1.99 EUR
250+1.61 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.55 EUR
58+2.44 EUR
100+1.91 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.46 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.38 EUR
10+2.43 EUR
100+2.01 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
28+2.65 EUR
50+2.19 EUR
100+2.03 EUR
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.79 EUR
10+3.41 EUR
100+2.94 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+4.35 EUR
50+3.47 EUR
100+3.1 EUR
250+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.23 EUR
44+3.18 EUR
100+2.79 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+3.62 EUR
55+2.54 EUR
100+2.32 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.23 EUR
44+3.18 EUR
100+2.79 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF doc?98731
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V 4.1A 125W
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.36 EUR
10+4.86 EUR
100+3.45 EUR
500+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRFBE30
Hersteller: Vishay
Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.3 EUR
10+3.96 EUR
100+2.96 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5NK80Z en.CD00003038.pdf
STP5NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.91 EUR
10+2.45 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30
Produktcode: 23059
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description 91118.pdf
IRFBE30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 description 91118.pdf
IRFBE30
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF doc?98731
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 description 91118.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 description irfbe30.pdf
(MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH