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IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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Vishay 91118.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 Siliconix 91118.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
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IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay Semiconductors tf-irfbe30lpbf.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 741 Stücke:
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFBE30PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 91118.pdf N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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88+1.62 EUR
89+1.54 EUR
114+1.15 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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79+1.72 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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93+1.47 EUR
119+1.11 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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78+1.75 EUR
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IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
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1+4.08 EUR
10+1.87 EUR
100+1.57 EUR
500+1.46 EUR
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2000+1.28 EUR
5000+1.27 EUR
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
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20+3.59 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay Semiconductors sihfbe30.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
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10+2.45 EUR
100+2.29 EUR
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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60+2.37 EUR
79+1.74 EUR
100+1.57 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.42 EUR
57+2.39 EUR
100+2.06 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.42 EUR
57+2.39 EUR
100+2.06 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.34 EUR
80+1.72 EUR
100+1.55 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay Semiconductors MOSFETs 800V 4.1A 125W
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.54 EUR
100+3.22 EUR
500+3.04 EUR
800+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S IR 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRFBE30 Vishay Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+15.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+3.71 EUR
100+2.76 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.CD00003038.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+2.18 EUR
100+2.06 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30
Produktcode: 23059
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IR 91118.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30 Vishay / Siliconix 91118.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF VISHAY tf-irfbe30lpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF VISHAY tf-irfbe30lpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 Stück
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 description 91118.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
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IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 18006 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.66 EUR
10+2.18 EUR
100+2.13 EUR
500+1.92 EUR
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IRFBE30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
38+1.9 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
38+1.9 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.97 EUR
10+2.11 EUR
100+2.09 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.55 EUR
93+1.47 EUR
119+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+1.62 EUR
89+1.54 EUR
114+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+1.81 EUR
79+1.72 EUR
102+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.55 EUR
93+1.47 EUR
119+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+1.84 EUR
78+1.75 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.08 EUR
10+1.87 EUR
100+1.57 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.28 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.05 EUR
10+2.45 EUR
100+2.29 EUR
500+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+2.37 EUR
79+1.74 EUR
100+1.57 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+4.42 EUR
57+2.39 EUR
100+2.06 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+4.42 EUR
57+2.39 EUR
100+2.06 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+2.34 EUR
80+1.72 EUR
100+1.55 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V 4.1A 125W
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.44 EUR
10+4.54 EUR
100+3.22 EUR
500+3.04 EUR
800+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S
Hersteller: IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRFBE30
Hersteller: Vishay
Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
STB7NK80ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.91 EUR
10+3.71 EUR
100+2.76 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5NK80Z en.CD00003038.pdf
STP5NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.73 EUR
10+2.18 EUR
100+2.06 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30
Produktcode: 23059
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description 91118.pdf
IRFBE30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 description 91118.pdf
IRFBE30
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30LPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF sihfbe30.pdf
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH