Suchergebnisse für "IRFBE30" : 11

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IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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Vishay 91118.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
1+1.34 EUR
10+1.18 EUR
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IRFBE30 IRFBE30 Siliconix info-tirfbe30.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFBE30S IR 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFBE30 IRFBE30
Produktcode: 23059
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IR 91118.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
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1+1.83 EUR
10+1.5 EUR
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IRFBE30 International Rectifier/Infineon 91118.pdf description N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRFBE30 irfbe30.pdf description (MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори
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IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори
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IRFBE30PBF Vishay/IR IRFBE30PBF_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Транзистор польовий IRFBE30 Vishay Транзистор польовий IRFBE30 Vishay Vishay Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A IRFBE30.pdf Транзистори польові
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IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
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IRFBE30 description info-tirfbe30.pdf
IRFBE30
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRFBE30PBF Транзисторы
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IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
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IRFBE30S
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFBE30
Produktcode: 23059
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IRFBE30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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(MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори
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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори
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Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Транзистор польовий IRFBE30 Vishay
Транзистор польовий IRFBE30 Vishay
Hersteller: Vishay
Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A IRFBE30.pdf Транзистори польові
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