Suchergebnisse für "IRFBE30" : 14

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IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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Vishay 91118.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 Stück
1+1.13 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 Siliconix 91118.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.4 EUR
250+1.24 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 91118.pdf N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
50+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFBE30S IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S IR 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRFBE30 Vishay Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+15.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30
Produktcode: 23059
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IR 91118.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
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IRFBE30PBF
Produktcode: 15766
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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IRFBE30 description 91118.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.4 EUR
250+1.24 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
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IRFBE30PBF 91118.pdf
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
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IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
50+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.56 EUR
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IRFBE30PBF Транзисторы
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IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFBE30S
Hersteller: IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30S
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор IRFBE30
Hersteller: Vishay
Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBE30
Produktcode: 23059
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IRFBE30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH