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IRLR120PBF IRLR120PBF Vishay Semiconductors IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120
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IRLR120PBF IRLR120PBF Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRLR120PBF IRLR120PBF Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRLR120TRLPBF IRLR120TRLPBF Vishay Semiconductors IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120TRL
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Mindestbestellmenge: 2
IRLR120TRLPBF IRLR120TRLPBF Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRLR120TRLPBF IRLR120TRLPBF Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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7+2.62 EUR
10+ 2.14 EUR
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500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLR120TRLPBF IRLR120TRLPBF Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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271+ 0.56 EUR
277+ 0.52 EUR
280+ 0.5 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 269
IRLR120TRLPBF IRLR120TRLPBF Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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252+0.62 EUR
269+ 0.56 EUR
271+ 0.54 EUR
277+ 0.5 EUR
280+ 0.48 EUR
500+ 0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 252
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY IRLR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1932 Stücke:
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65+1.12 EUR
124+ 0.58 EUR
141+ 0.51 EUR
162+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY IRLR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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65+1.12 EUR
124+ 0.58 EUR
141+ 0.51 EUR
162+ 0.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 65
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Vishay Semiconductors IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120TR
auf Bestellung 1963 Stücke:
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2000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 4002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+ 2.14 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.7 EUR
226+ 0.67 EUR
227+ 0.64 EUR
250+ 0.61 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 224
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF Vishay sihlr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.71 EUR
224+ 0.67 EUR
226+ 0.64 EUR
227+ 0.62 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 220
IRLR120TRRPBF IRLR120TRRPBF Vishay Semiconductors IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
auf Bestellung 1563 Stücke:
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2+2.29 EUR
10+ 1.88 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 1 EUR
6000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR130ATF ONSEMI FAIRS17408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRLR130ATF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR130ATM IRLR130ATM Fairchild Semiconductor FAIRS27230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
370+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 370
IRLR130ATM ONSEMI FAIRS27230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRLR130ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR210ATM IRLR210ATM Fairchild Semiconductor FAIRS17412-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 533
IRLR210ATM ONSEMI FAIRS17412-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRLR210ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.7 EUR
6000+ 0.67 EUR
10000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
auf Bestellung 10480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+ 1.23 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.74 EUR
2000+ 0.68 EUR
4000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 22291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
13+ 1.38 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.8 EUR
212+ 0.71 EUR
214+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 195
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+ 0.51 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+ 0.51 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TR Infineon IRLR%2CU2705.pdf N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
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IRLR2705TR Infineon IRLR%2CU2705.pdf N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
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IRLR2705TR Infineon IRLR%2CU2705.pdf N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
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IRLR2705TR Infineon IRLR%2CU2705.pdf N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2705_DataSheet_v01_01_EN-3363685.pdf MOSFET MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
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1000+ 0.52 EUR
3000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+0.31 EUR
6000+ 0.3 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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3000+0.32 EUR
6000+ 0.3 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF INFINEON 695248.pdf Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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314+0.5 EUR
327+ 0.46 EUR
329+ 0.44 EUR
363+ 0.39 EUR
366+ 0.37 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 314
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.55 EUR
300+ 0.5 EUR
307+ 0.47 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.41 EUR
2000+ 0.39 EUR
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF INFINEON 695248.pdf Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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329+0.48 EUR
363+ 0.42 EUR
366+ 0.4 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 329
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 152 Stücke:
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152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 152
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
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152+0.47 EUR
2000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2705_DataSheet_v01_01_EN-3363685.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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3+1.28 EUR
10+ 1.11 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.46 EUR
4000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.49 EUR
6000+ 0.46 EUR
10000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 11258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.36 EUR
4000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.45 EUR
348+ 0.43 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.33 EUR
4000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 347
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR120PBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.83 EUR
10+ 1.53 EUR
100+ 1.27 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.98 EUR
24000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR120PBF sihlr120.pdf
IRLR120PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
170+0.92 EUR
179+ 0.85 EUR
191+ 0.76 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 170
IRLR120PBF sihlr120.pdf
IRLR120PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
179+0.88 EUR
191+ 0.79 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 179
IRLR120TRLPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120TRL
auf Bestellung 6478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.29 EUR
10+ 1.88 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.98 EUR
24000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR120TRLPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRLR120TRLPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.62 EUR
10+ 2.14 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLR120TRLPBF sihlr120.pdf
IRLR120TRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
269+0.58 EUR
271+ 0.56 EUR
277+ 0.52 EUR
280+ 0.5 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 269
IRLR120TRLPBF sihlr120.pdf
IRLR120TRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
252+0.62 EUR
269+ 0.56 EUR
271+ 0.54 EUR
277+ 0.5 EUR
280+ 0.48 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.43 EUR
3000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 252
IRLR120TRPBF IRLR120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
124+ 0.58 EUR
141+ 0.51 EUR
162+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
IRLR120TRPBF IRLR120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
124+ 0.58 EUR
141+ 0.51 EUR
162+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
IRLR120TRPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR120TR
auf Bestellung 1963 Stücke:
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2+2.22 EUR
10+ 1.85 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.13 EUR
2000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR120TRPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR120TRPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 4002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.62 EUR
10+ 2.14 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLR120TRPBF sihlr120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
224+0.7 EUR
226+ 0.67 EUR
227+ 0.64 EUR
250+ 0.61 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 224
IRLR120TRPBF sihlr120.pdf
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
220+0.71 EUR
224+ 0.67 EUR
226+ 0.64 EUR
227+ 0.62 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 220
IRLR120TRRPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.29 EUR
10+ 1.88 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 1 EUR
6000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR130ATF FAIRS17408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLR130ATF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR130ATM FAIRS27230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR130ATM
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
370+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 370
IRLR130ATM FAIRS27230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLR130ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR210ATM FAIRS17412-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR210ATM
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
533+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 533
IRLR210ATM FAIRS17412-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLR210ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.7 EUR
6000+ 0.67 EUR
10000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
auf Bestellung 10480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.47 EUR
10+ 1.23 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.74 EUR
2000+ 0.68 EUR
4000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLR2703TRPBF irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 22291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.69 EUR
13+ 1.38 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLR2703TRPBF INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2703TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
195+0.8 EUR
212+ 0.71 EUR
214+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 195
IRLR2703TRPBF INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2703TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.54 EUR
4000+ 0.51 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.54 EUR
4000+ 0.51 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
212+0.74 EUR
214+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 212
IRLR2703TRPBF infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2703TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2705TR IRLR%2CU2705.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRLR2705TR IRLR%2CU2705.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRLR2705TR IRLR%2CU2705.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRLR2705TR IRLR%2CU2705.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 28A 55V 68W 0.040Ω IRLR2705 smd TIRLR2705
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRLR2705TRLPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.43 EUR
15+ 1.23 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLR2705TRLPBF Infineon_IRLR2705_DataSheet_v01_01_EN-3363685.pdf
IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 30360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+0.98 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.52 EUR
3000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLR2705TRLPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.54 EUR
6000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.31 EUR
6000+ 0.3 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.32 EUR
6000+ 0.3 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
314+0.5 EUR
327+ 0.46 EUR
329+ 0.44 EUR
363+ 0.39 EUR
366+ 0.37 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 314
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
282+0.55 EUR
300+ 0.5 EUR
307+ 0.47 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.41 EUR
2000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 282
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2705TRLPBF infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2705TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
329+0.48 EUR
363+ 0.42 EUR
366+ 0.4 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 329
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
2000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
auf Bestellung 43958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.28 EUR
10+ 1.11 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.46 EUR
4000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.49 EUR
6000+ 0.46 EUR
10000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 11258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.28 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2705TRPBF infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.36 EUR
4000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRLR2705TRPBF infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR2705TRPBF infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
347+0.45 EUR
348+ 0.43 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.33 EUR
4000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 347
IRLR2705TRPBF infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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