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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF
Produktcode: 22061
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IR infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2301 St.
  • 2301 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+0.58 EUR
10+0.49 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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IR irlr120npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 454 St.
  • 454 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF
Produktcode: 122892
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IR infineon-irlr2705-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 64 St.
  • 64 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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Китай infineon-irlr2905-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
auf Bestellung: 1829 St.
  • 1829 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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IR irlr2905pbf-datashet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 132 St.
  • 132 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.96 EUR
10+0.86 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z IRLR2905Z
Produktcode: 4031
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Infineon irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.82 EUR
10+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z China IRLR2905Z China
Produktcode: 211511
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Китай Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Montage: SMD
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZPBF (DPAK) IRLR3110ZPBF (DPAK)
Produktcode: 48508
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410PBF IRLR3410PBF
Produktcode: 105980
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IR irlr3410-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 21 St.
  • 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.06 EUR
10+0.95 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBF (Transistor) IRLR3410TRLPBF (Transistor)
Produktcode: 89552
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IR irlr3410pbf-223115.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
1+16.66 EUR
10+14.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PBF IRLR3636PBF
Produktcode: 105188
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IR irlr3636pbf-938042-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,054 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3779/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 45 St.
  • 45 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF
Produktcode: 222246
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Toohong irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 1966 St.
  • 1966 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF
Produktcode: 35240
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IR irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.94 EUR
10+1.77 EUR
100+1.62 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBF IRLR8743PBF
Produktcode: 31850
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IR irlr8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356719c7e26ff description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 113 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 26.11.2026
1+2.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014 Vishay Siliconix N-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 TIRLR014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014N Siliconix N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014 TIRLR014n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 31A
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 14530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+1.65 EUR
100+1.36 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
9000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
75+1.92 EUR
150+1.71 EUR
525+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.69 EUR
85+2.08 EUR
106+1.63 EUR
150+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.59 EUR
125+1.42 EUR
150+1.17 EUR
525+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Description: VISHAY - IRLR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
130+1.8 EUR
175+1.23 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.59 EUR
124+1.38 EUR
150+1.13 EUR
525+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+1.73 EUR
100+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.81 EUR
4000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
142+1.64 EUR
164+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
142+1.64 EUR
164+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024N Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024N Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024N HXY MOSFET HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N-HXY TIRLR024n HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JGSEMI JGSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JGSEMI JGSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JGSEMI JGSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON 107914.pdf Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON 107914.pdf Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRLPBF International Rectifier HiRel Products infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
auf Bestellung 64553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.4 EUR
24000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.37 EUR
191+0.9 EUR
241+0.69 EUR
274+0.58 EUR
277+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.74 EUR
274+0.64 EUR
277+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110 smd Siliconix N-MOSFET 4.3A 100V 25W 0.54Ω IRLR110 TIRLR110
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF IRLR110PBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.74 EUR
75+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY VISH-S-A0013857023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
138+1.69 EUR
186+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF
Produktcode: 22061
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description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2301 St.
  • 2301 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.58 EUR
10+0.49 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 454 St.
  • 454 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF
Produktcode: 122892
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infineon-irlr2705-datasheet-en.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 64 St.
  • 64 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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description infineon-irlr2905-datasheet-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
auf Bestellung: 1829 St.
  • 1829 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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description irlr2905pbf-datashet.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 132 St.
  • 132 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.96 EUR
10+0.86 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z
Produktcode: 4031
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irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905Z
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.82 EUR
10+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z China
Produktcode: 211511
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IRLR2905Z China
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
Montage: SMD
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZPBF (DPAK)
Produktcode: 48508
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IRLR3110ZPBF (DPAK)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.15 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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description irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
IRLR3114ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410PBF
Produktcode: 105980
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description irlr3410-datasheet.pdf
IRLR3410PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 21 St.
  • 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.06 EUR
10+0.95 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBF (Transistor)
Produktcode: 89552
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irlr3410pbf-223115.pdf
IRLR3410TRLPBF (Transistor)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+16.66 EUR
10+14.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PBF
Produktcode: 105188
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description irlr3636pbf-938042-datasheet.pdf
IRLR3636PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,054 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3779/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 45 St.
  • 45 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.33 EUR
10+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR7833TRPBF
Produktcode: 222246
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irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3
IRLR7833TRPBF
Hersteller: Toohong
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 1966 St.
  • 1966 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR7833TRPBF
Produktcode: 35240
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3
IRLR7833TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.94 EUR
10+1.77 EUR
100+1.62 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8743PBF
Produktcode: 31850
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irlr8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356719c7e26ff
IRLR8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 113 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 26.11.2026
AnzahlPrivatkunde
1+2.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014 Vishay
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 TIRLR014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014N
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014 TIRLR014n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 31A
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 14530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+1.65 EUR
100+1.36 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
9000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
75+1.92 EUR
150+1.71 EUR
525+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.69 EUR
85+2.08 EUR
106+1.63 EUR
150+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+1.59 EUR
125+1.42 EUR
150+1.17 EUR
525+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.59 EUR
130+1.8 EUR
175+1.23 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+1.59 EUR
124+1.38 EUR
150+1.13 EUR
525+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF sihlr014.pdf
IRLR014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF sihlr014.pdf
IRLR014TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.28 EUR
10+1.73 EUR
100+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.81 EUR
4000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF sihlr014.pdf
IRLR014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF sihlr014.pdf
IRLR014TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF sihlr014.pdf
IRLR014TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF VISH-S-A0013857005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
142+1.64 EUR
164+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014TRPBF VISH-S-A0013857005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+2.68 EUR
142+1.64 EUR
164+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024N description
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024N description
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024N HXY MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N-HXY TIRLR024n HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JGSEMI
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JGSEMI
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JGSEMI
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTR JSMICRO
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR TIRLR024n JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRLPBF 107914.pdf
IRLR024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRLPBF 107914.pdf
IRLR024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRLPBF infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
747+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
auf Bestellung 64553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.82 EUR
10+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.4 EUR
24000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.37 EUR
191+0.9 EUR
241+0.69 EUR
274+0.58 EUR
277+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
314+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
241+0.74 EUR
274+0.64 EUR
277+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110 smd
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.3A 100V 25W 0.54Ω IRLR110 TIRLR110
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF IRLR110.pdf
IRLR110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF sihlr110.pdf
IRLR110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
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IRLR110PBF VISH-S-A0013857023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR110PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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