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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6667+0.023 EUR
7143+ 0.021 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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6667+0.023 EUR
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12000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2233LT1 MMUN2233LT1 onsemi MMUN22xxLTx_Series.pdf Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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MMUN2233LT1 ONSEMI ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2233LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1060+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1060+0.067 EUR
2160+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
MMUN2233LT1G ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G onsemi DTC143Z_D-2310985.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 158339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+0.18 EUR
22+ 0.13 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.035 EUR
3000+ 0.03 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 16
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 34156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1002701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8929+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 8929
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6212+0.025 EUR
6667+ 0.023 EUR
12000+ 0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 6212
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4525+0.035 EUR
7693+ 0.02 EUR
7875+ 0.018 EUR
8065+ 0.017 EUR
15000+ 0.016 EUR
30000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 4525
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6411+0.024 EUR
6579+ 0.023 EUR
10000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6411
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1541+0.1 EUR
2451+ 0.061 EUR
2476+ 0.059 EUR
4465+ 0.031 EUR
4505+ 0.03 EUR
4525+ 0.028 EUR
7693+ 0.016 EUR
8065+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 1541
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1002701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8929+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 8929
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6173+0.025 EUR
6623+ 0.023 EUR
12000+ 0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 6173
MMUN2234LT1 MMUN2234LT1 onsemi MMUN22xxLTx_Series.pdf Description: TRANS BRT PNP 50V SOT-23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2234LT1 ONSEMI ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2234LT1 - TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI MMUN2234.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1180+0.061 EUR
2825+ 0.025 EUR
3185+ 0.022 EUR
3475+ 0.021 EUR
3680+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI MMUN2234.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1180+0.061 EUR
2825+ 0.025 EUR
3185+ 0.022 EUR
3475+ 0.021 EUR
3680+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 23931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi DTC124X_D-2310949.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 48743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.2 EUR
25+ 0.12 EUR
100+ 0.053 EUR
1000+ 0.037 EUR
3000+ 0.03 EUR
9000+ 0.026 EUR
24000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6803+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 6803
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
911+0.17 EUR
915+ 0.16 EUR
916+ 0.15 EUR
920+ 0.14 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 911
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor 75807911507345dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.043 EUR
6025+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
937+0.17 EUR
1583+ 0.095 EUR
1598+ 0.091 EUR
1656+ 0.084 EUR
3279+ 0.041 EUR
3572+ 0.036 EUR
3624+ 0.034 EUR
6025+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 937
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
920+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
15000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 920
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 81000 Stücke:
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G onsemi DTC123J_D-2310909.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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14+0.21 EUR
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2907+0.054 EUR
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
837+0.19 EUR
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2924+ 0.05 EUR
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45000+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 837
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5820 Stücke:
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16049 Stücke:
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824+0.19 EUR
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2907+ 0.05 EUR
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MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G onsemi dtc115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
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MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G onsemi dtc115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 7880 Stücke:
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MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G onsemi DTC115E_D-2310748.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 10803 Stücke:
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10+0.31 EUR
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3000+ 0.048 EUR
9000+ 0.039 EUR
45000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMUN2237LT1G MMUN2237LT1G ONSEMI MMUN2237.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 275
MMUN2237LT1G MMUN2237LT1G ONSEMI MMUN2237.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
275+0.26 EUR
300+ 0.24 EUR
815+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 275
MMUN2237LT1G MMUN2237LT1G onsemi dtc144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2237LT1G MMUN2237LT1G ON Semiconductor dtc144w-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1032+0.15 EUR
1502+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1032
MMUN2237LT1G MMUN2237LT1G ON Semiconductor dtc144w-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1502+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1502
MMUN2237LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013903365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G onsemi dtc123t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 5652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G onsemi DTC123T_D-2311214.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 53990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
20+ 0.14 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.037 EUR
3000+ 0.028 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G onsemi dtc123t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G ONSEMI 2337928.pdf Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6667+0.023 EUR
7143+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6667+0.023 EUR
7043+ 0.021 EUR
12000+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
MMUN2233LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
MMUN2233LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2233LT1 ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2233LT1G MMUN2233.PDF
MMUN2233LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1060+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
MMUN2233LT1G MMUN2233.PDF
MMUN2233LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1060+0.067 EUR
2160+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
MMUN2233LT1G dtc143z-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMUN2233LT1G dtc143z-d.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2233LT1G DTC143Z_D-2310985.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 158339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+0.18 EUR
22+ 0.13 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.035 EUR
3000+ 0.03 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 16
MMUN2233LT1G dtc143z-d.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 34156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2233LT1G 2353985.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2233LT1G 2353985.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2451+ 0.061 EUR
2476+ 0.059 EUR
4465+ 0.031 EUR
4505+ 0.03 EUR
4525+ 0.028 EUR
7693+ 0.016 EUR
8065+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 1541
MMUN2233LT1G 2353985.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2233LT1G dtc143z-d.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2233LT1G dtc143z-d.pdf
MMUN2233LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6623+ 0.023 EUR
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MMUN2234LT1 MMUN22xxLTx_Series.pdf
MMUN2234LT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS BRT PNP 50V SOT-23
Packaging: Bulk
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MMUN2234LT1 ONSMS14410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1 - TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78000 Stücke:
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MMUN2234LT1G MMUN2234.PDF
MMUN2234LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 4160 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1180+0.061 EUR
2825+ 0.025 EUR
3185+ 0.022 EUR
3475+ 0.021 EUR
3680+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
MMUN2234LT1G MMUN2234.PDF
MMUN2234LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1180+0.061 EUR
2825+ 0.025 EUR
3185+ 0.022 EUR
3475+ 0.021 EUR
3680+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 23931 Stücke:
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MMUN2234LT1G DTC124X_D-2310949.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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15+0.2 EUR
25+ 0.12 EUR
100+ 0.053 EUR
1000+ 0.037 EUR
3000+ 0.03 EUR
9000+ 0.026 EUR
24000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6803+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 6803
MMUN2234LT1G 2337927.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
911+0.17 EUR
915+ 0.16 EUR
916+ 0.15 EUR
920+ 0.14 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 911
MMUN2234LT1G 75807911507345dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3624+0.043 EUR
6025+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
937+0.17 EUR
1583+ 0.095 EUR
1598+ 0.091 EUR
1656+ 0.084 EUR
3279+ 0.041 EUR
3572+ 0.036 EUR
3624+ 0.034 EUR
6025+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 937
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
920+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
15000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 920
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MMUN2234LT1G 2337927.pdf
MMUN2234LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2235LT1G DTC123J_D-2310909.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 35607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+0.21 EUR
20+ 0.15 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.037 EUR
3000+ 0.032 EUR
9000+ 0.023 EUR
45000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 81588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2907+0.054 EUR
4445+ 0.034 EUR
5465+ 0.027 EUR
9000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2907
MMUN2235LT1G 2353819.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
837+0.19 EUR
1226+ 0.12 EUR
2924+ 0.05 EUR
4740+ 0.029 EUR
5748+ 0.023 EUR
9000+ 0.016 EUR
45000+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 837
MMUN2235LT1G 2353819.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
824+0.19 EUR
1219+ 0.12 EUR
2907+ 0.05 EUR
4445+ 0.031 EUR
5465+ 0.025 EUR
9000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 824
MMUN2236LT1G dtc115e-d.pdf
MMUN2236LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2236LT1G dtc115e-d.pdf
MMUN2236LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 7880 Stücke:
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MMUN2236LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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MMUN2237LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
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MMUN2237LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
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MMUN2237LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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MMUN2237LT1G dtc144w-d.pdf
MMUN2237LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1502+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1032
MMUN2237LT1G dtc144w-d.pdf
MMUN2237LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMUN2237LT1G ONSM-S-A0013903365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 276000 Stücke:
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MMUN2238LT1G dtc123t-d.pdf
MMUN2238LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 5652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2238LT1G DTC123T_D-2311214.pdf
MMUN2238LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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Anzahl Preis ohne MwSt
14+0.21 EUR
20+ 0.14 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.037 EUR
3000+ 0.028 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MMUN2238LT1G dtc123t-d.pdf
MMUN2238LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MMUN2238LT1G 2337928.pdf
MMUN2238LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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