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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
IRL3103 IRL3103
Produktcode: 7965 		IR irl3103.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 20
Idd,A: 61
Rds(on), Ohm: 0.013
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
1+0.54 EUR
IRL3103 IRL3103
Produktcode: 189656 		JSMicro Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 220 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303D1S IRL3303D1S
Produktcode: 79756 		IR IRL3303STRR-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0.026
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 5 Stück
1+1.68 EUR
IRL3705NPBF IRL3705NPBF
Produktcode: 24017 		IR irl3705n-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 412 Stück
1+0.84 EUR
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF
Produktcode: 113435 		IR irl3705zpbf-222332.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 113 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 35005 		IR irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 20 Stück
1+1.94 EUR
10+ 1.65 EUR
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923 		VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803PBF IRL3803PBF
Produktcode: 28690 		IR irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 23 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.2 EUR
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Infineon Technologies irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 163572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
586+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 586
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
41+ 1.77 EUR
43+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
41+ 1.77 EUR
43+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+ 2.53 EUR
100+ 2.01 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf description MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+ 2.38 EUR
100+ 1.97 EUR
250+ 1.95 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.34 EUR
122+ 1.23 EUR
133+ 1.09 EUR
250+ 1.04 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.77 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 116
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NPBF IR irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+ 5.5 EUR
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.33 EUR
123+ 1.22 EUR
133+ 1.08 EUR
250+ 1.03 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.77 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 116
IRL3705NSPBF Infineon Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 description Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.3 EUR
10+ 9.94 EUR
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 1613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+ 1.94 EUR
100+ 1.88 EUR
800+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.33 EUR
1600+ 0.84 EUR
2400+ 0.8 EUR
5600+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF Infineon Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+11.78 EUR
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.6 EUR
101+ 1.49 EUR
109+ 1.32 EUR
200+ 1.24 EUR
500+ 1.18 EUR
1600+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 97
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.34 EUR
1600+ 0.84 EUR
2400+ 0.8 EUR
5600+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705Z International Rectifier irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf description MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.46 EUR
10000+ 1.34 EUR
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.1 EUR
50+ 2.49 EUR
100+ 2.05 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF International Rectifier IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
330+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 330
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.72 EUR
107+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.11 EUR
80+ 1.88 EUR
100+ 1.54 EUR
200+ 1.4 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 74
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 502 Stücke:
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+1.3 EUR
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IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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79+ 1.9 EUR
100+ 1.63 EUR
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500+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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96+1.63 EUR
102+ 1.47 EUR
103+ 1.4 EUR
125+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+1.31 EUR
1600+ 1.26 EUR
2400+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 96
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3716L International Rectifier N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
Anzahl je Verpackung: 11 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRL3803 International Rectifier irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.5 EUR
33+ 2.23 EUR
36+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
33+ 2.23 EUR
36+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf description MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+ 2.5 EUR
100+ 2.16 EUR
250+ 2.15 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.65 EUR
2000+ 1.6 EUR
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.57 EUR
50+ 2.87 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.7 EUR
2000+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3103
Produktcode: 7965		 irl3103.pdf
IRL3103
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 20
Idd,A: 61
Rds(on), Ohm: 0.013
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.54 EUR
IRL3103
Produktcode: 189656
IRL3103
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 220 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303D1S
Produktcode: 79756		 IRL3303STRR-datasheet.pdf
IRL3303D1S
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0.026
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 5 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
IRL3705NPBF
Produktcode: 24017		 description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 412 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.84 EUR
IRL3705ZPBF
Produktcode: 113435		 description irl3705zpbf-222332.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 113 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3713PBF
Produktcode: 35005		 description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 20 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.94 EUR
10+ 1.65 EUR
IRL3713PBF
Produktcode: 198923		 description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803PBF
Produktcode: 28690		 description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 23 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.2 EUR
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516
IRL3103STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 163572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
586+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 586
IRL3705N description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705N description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
41+ 1.77 EUR
43+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
41+ 1.77 EUR
43+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.04 EUR
10+ 2.53 EUR
100+ 2.01 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL3705NPBF description Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
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2+2.69 EUR
10+ 2.38 EUR
100+ 1.97 EUR
250+ 1.95 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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116+1.34 EUR
122+ 1.23 EUR
133+ 1.09 EUR
250+ 1.04 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.77 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 116
IRL3705NPBF description INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1135 Stücke:
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IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
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1+6.22 EUR
10+ 5.5 EUR
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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125+1.24 EUR
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IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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116+1.33 EUR
123+ 1.22 EUR
133+ 1.08 EUR
250+ 1.03 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.77 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 116
IRL3705NSPBF description Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
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1+10.3 EUR
10+ 9.94 EUR
IRL3705NSTRLPBF Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
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2+2.01 EUR
10+ 1.94 EUR
100+ 1.88 EUR
800+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1133 Stücke:
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IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.33 EUR
1600+ 0.84 EUR
2400+ 0.8 EUR
5600+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRL3705NSTRLPBF Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
auf Bestellung 227 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+11.78 EUR
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1706 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
97+1.6 EUR
101+ 1.49 EUR
109+ 1.32 EUR
200+ 1.24 EUR
500+ 1.18 EUR
1600+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 97
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.34 EUR
1600+ 0.84 EUR
2400+ 0.8 EUR
5600+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705Z irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705ZPBF description Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.92 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.46 EUR
10000+ 1.34 EUR
IRL3705ZPBF description irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.1 EUR
50+ 2.49 EUR
100+ 2.05 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL3705ZPBF description IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL3705ZPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
330+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 330
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+1.72 EUR
107+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
74+2.11 EUR
80+ 1.88 EUR
100+ 1.54 EUR
200+ 1.4 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 74
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
80+1.95 EUR
90+ 1.66 EUR
106+ 1.35 EUR
500+ 1.15 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 80
IRL3705ZPBF description INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZSTRLPBF Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.82 EUR
10+ 2.41 EUR
100+ 2.01 EUR
800+ 1.63 EUR
4800+ 1.55 EUR
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+3.57 EUR
10+ 2.97 EUR
100+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+2 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.3 EUR
1600+ 1.25 EUR
2400+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+2.07 EUR
79+ 1.9 EUR
100+ 1.63 EUR
200+ 1.51 EUR
500+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
96+1.63 EUR
102+ 1.47 EUR
103+ 1.4 EUR
125+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
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IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 502 Stücke:
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IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRL3713 description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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IRL3713 description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3716L
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
Anzahl je Verpackung: 11 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
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11+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRL3803 irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3803PBF description irl3803.pdf
IRL3803PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 36 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
29+2.5 EUR
33+ 2.23 EUR
36+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRL3803PBF description irl3803.pdf
IRL3803PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
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29+2.5 EUR
33+ 2.23 EUR
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IRL3803PBF description Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf
IRL3803PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
auf Bestellung 2569 Stücke:
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1+3.43 EUR
10+ 2.5 EUR
100+ 2.16 EUR
250+ 2.15 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.65 EUR
2000+ 1.6 EUR
IRL3803PBF description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3203 Stücke:
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5+3.57 EUR
50+ 2.87 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.7 EUR
2000+ 1.61 EUR
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