Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT

Hersteller: N/A
06+

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220

Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML TIRF630 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: TI
BGA

Hersteller: FSC

Hersteller: Fairchild

Hersteller: FAIRCHILD
f24

Hersteller: ST
TO-220

Hersteller: ST
00+ TO-220

Hersteller: ST
09+ SON-8

Hersteller: IR
TO-263

Hersteller: ST
SMD-220

Hersteller: MOT

Hersteller: TI
BGA

Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/19
Montage: THT

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Montage: THT

Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm   IRF630.pdf Транзистори польові

Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=9A@T=25C, Id=5.7A@T=100C, Rds=0.34 R@Vgs=10V, P=72W, -55 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: STM
N-кан. MOSFET 200V, 9A, 0.35Ом, 30Вт, TO-220FP (PowerMesh II) Транзистори

Hersteller: STM
9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Транзистори

TO-220AB Транзистори

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 82, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Транзистори

Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори

Hersteller: STM
IRF630PBF IRF630 N-кан. MOSFET 200V, 9A, 0.35Ом, 75Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори