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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF820PBF IRF820PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+0.73 EUR
120+0.6 EUR
130+0.55 EUR
250+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
100+1.29 EUR
250+1.2 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
59+1.23 EUR
69+1.05 EUR
100+0.98 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.5 EUR
53+1.37 EUR
100+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.14 EUR
750+1.1 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
47+1.54 EUR
53+1.37 EUR
57+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.1 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
120+0.6 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
100+0.99 EUR
250+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
100+0.74 EUR
250+0.72 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
200+1.22 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.1 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
250+0.91 EUR
500+0.82 EUR
750+0.76 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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25+2.97 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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17+4.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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35+2.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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36+2.03 EUR
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61+1.19 EUR
100+1.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
71+1.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE20PBF VISHAY 91117.pdf IRFBE20PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
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43+1.67 EUR
80+0.89 EUR
2000+0.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.4 EUR
250+1.24 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
50+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
61+1.17 EUR
70+1.03 EUR
77+0.93 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
50+1.63 EUR
250+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 5.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
100+0.89 EUR
250+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBF VISHAY sihfd420.pdf IRFD420PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
42+1.72 EUR
54+1.34 EUR
70+1.03 EUR
100+0.96 EUR
200+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
73+0.99 EUR
100+0.85 EUR
200+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBF IRFD9210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
94+0.77 EUR
139+0.51 EUR
200+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY IRFD9220PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
100+0.93 EUR
250+0.8 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY IRFI540G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 48W
Gate charge: 72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
73+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
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33+2.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY IRFI644G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1421 Stücke:
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30+2.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY IRFI830G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
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34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
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500+1.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY IRFI840GPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
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22+3.36 EUR
32+2.25 EUR
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100+1.92 EUR
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1000+1.44 EUR
2000+1.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY IRFI9530G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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100+1.3 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
750+1.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
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35+2.09 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
100+0.93 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY IRFI9Z34G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
100+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY IRFIB6N60A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
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23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
55+1.32 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917
IRF820PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
99+0.73 EUR
120+0.6 EUR
130+0.55 EUR
250+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
100+1.29 EUR
250+1.2 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
59+1.23 EUR
69+1.05 EUR
100+0.98 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
53+1.37 EUR
100+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.14 EUR
750+1.1 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
47+1.54 EUR
53+1.37 EUR
57+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.1 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6
IRF9510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520S.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46
IRF9610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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60+1.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
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57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
500+0.9 EUR
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2000+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.1 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
250+0.91 EUR
500+0.82 EUR
750+0.76 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
65+1.11 EUR
72+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
52+1.4 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0
IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
34+2.16 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70
IRFB17N50LPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.92 EUR
20+3.62 EUR
50+3.22 EUR
100+3 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5
IRFB18N50KPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa
IRFBC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
75+0.97 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060
IRFBC40LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
49+1.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45
IRFBC40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE20PBF 91117.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFBE20PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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42+1.73 EUR
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100+1.4 EUR
250+1.24 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
50+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55
IRFBF20SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
61+1.17 EUR
70+1.03 EUR
77+0.93 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33
IRFBF30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
50+1.63 EUR
250+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710
IRFBG20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 5.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
100+0.89 EUR
250+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBF sihfd420.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFD420PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBF IRFD9014PBF.pdf
IRFD9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
42+1.72 EUR
54+1.34 EUR
70+1.03 EUR
100+0.96 EUR
200+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c
IRFD9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
73+0.99 EUR
100+0.85 EUR
200+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422
IRFD9210PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
94+0.77 EUR
139+0.51 EUR
200+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBF IRFD9220PBF.pdf
IRFD9220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
100+0.93 EUR
250+0.8 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540GPBF IRFI540G.pdf
IRFI540GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 48W
Gate charge: 72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
73+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df
IRFI630GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.32 EUR
100+1.26 EUR
250+1.2 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb
IRFI640GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
46+1.57 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBF IRFI644G.pdf
IRFI644GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
50+1.43 EUR
100+1.39 EUR
250+1.32 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5
IRFI740GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.12 EUR
52+1.4 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBF IRFI830G.pdf
IRFI830GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF IRFI840GPBF.pdf
IRFI840GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
32+2.25 EUR
50+2.12 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9530GPBF IRFI9530G.pdf
IRFI9530GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
60+1.2 EUR
65+1.1 EUR
100+1 EUR
250+0.92 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532
IRFI9540GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea
IRFI9630GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
44+1.63 EUR
52+1.39 EUR
100+1.3 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
750+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9634GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340
IRFI9634GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
100+0.93 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34G.pdf
IRFI9Z34GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
100+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60A.pdf
IRFIB6N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560
IRFIBC30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd
IRFIBE30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
55+1.32 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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