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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.9 EUR
50+1.63 EUR
100+1.42 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY IRFIZ48G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
50+1.49 EUR
100+1.42 EUR
250+1.33 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
111+0.64 EUR
200+0.61 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
112+0.64 EUR
126+0.57 EUR
132+0.54 EUR
250+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
108+0.67 EUR
135+0.53 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY IRFL9014-DTE.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
250+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY IRFL9110PBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
89+0.81 EUR
96+0.75 EUR
116+0.62 EUR
127+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY sihfp048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
32+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
19+3.83 EUR
25+3.47 EUR
50+3.23 EUR
100+3.03 EUR
125+2.97 EUR
250+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY IRFP064PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
1000+3.39 EUR
2500+3.03 EUR
5000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.76 EUR
100+1.6 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY IRFP150PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
22+3.35 EUR
24+3.06 EUR
27+2.7 EUR
50+2.49 EUR
100+2.33 EUR
125+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
19+3.96 EUR
25+3.69 EUR
50+3.5 EUR
100+3.32 EUR
125+3.27 EUR
200+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
28+2.57 EUR
31+2.37 EUR
34+2.14 EUR
50+2.03 EUR
100+1.93 EUR
125+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
24+2.99 EUR
26+2.76 EUR
50+2.57 EUR
100+2.4 EUR
125+2.35 EUR
250+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY IRFP260.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
25+3.2 EUR
50+3.03 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY irfp264.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.78 EUR
16+4.62 EUR
25+4.19 EUR
50+3.93 EUR
100+3.7 EUR
125+3.62 EUR
375+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBF IRFP340PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F0EEE10126143&compId=IRFP340.pdf?ci_sign=dd0167b57f594821b66506409051635df87d75a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.18 EUR
29+2.5 EUR
125+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBF IRFP350PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A48DCDEB8F40D2&compId=IRFP350.pdf?ci_sign=42c456cab931f6c67622fcc61c2717bb182595b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
26+2.85 EUR
500+2.59 EUR
5000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP440PBF IRFP440PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F301B67F1E143&compId=IRFP440.pdf?ci_sign=3aa4bec6fb06777b7fca835240631b66cb6b1d6a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
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IRFP450APBF IRFP450APBF VISHAY IRFP450A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF VISHAY irfp450lc.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP450PBF IRFP450PBF VISHAY irfp450.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY irfp460a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY IRFP460LCPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
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Case: TO247AC
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On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B5E6DEDCD8469&compId=IRFP9140PBF.pdf?ci_sign=fe63890bc8f752c1803a1a8c1398b9d0e0f79383 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
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Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY IRFP9240PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
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IRFPC40PBF IRFPC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9049E27BB76143&compId=IRFPC40.pdf?ci_sign=b5f63bdd85d075ad87e42ff3aee6625f712f6d08 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFPC50APBF VISHAY IRFPC50APBF THT N channel transistors
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IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBEF4E54D974600D5&compId=irfpc50.pdf?ci_sign=c6a27018a247a1b8ad7bf50f193d820b129afd09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
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IRFPC60LCPBF VISHAY irfpc60lc.pdf IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
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IRFPC60PBF IRFPC60PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0B5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfpc60.pdf?ci_sign=22340fbe8e01e0b60cc7372290316b84cbe0a5d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
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13+5.56 EUR
25+4.52 EUR
1000+4.2 EUR
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IRFPE40PBF IRFPE40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6A45732B6469&compId=IRFPE40PBF.pdf?ci_sign=2be6a196c5aa1e767fdd8423399d3019f87a0cc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
25+2.96 EUR
100+2.47 EUR
200+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
50+2.56 EUR
100+2.45 EUR
125+2.42 EUR
250+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.25 EUR
25+4.03 EUR
75+3.76 EUR
100+3.7 EUR
200+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY IRFPG30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
23+3.13 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY IRFPG50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
26+2.76 EUR
29+2.5 EUR
50+2.37 EUR
100+2.26 EUR
250+2.2 EUR
500+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFR014PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
150+0.53 EUR
300+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
97+0.74 EUR
122+0.59 EUR
150+0.54 EUR
300+0.51 EUR
375+0.49 EUR
525+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
525+0.49 EUR
1050+0.47 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
98+0.74 EUR
118+0.61 EUR
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310PBF VISHAY sihfr310.pdf IRFR310PBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFR320PBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320TRLPBF VISHAY sihfr320.pdf IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
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IRFR420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF SMD N channel transistors
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IRFR420TRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
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IRFR430APBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430APBF SMD N channel transistors
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47+1.54 EUR
142+0.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
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IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY IRFR9024PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFR9110PBF SMD P channel transistors
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180+0.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY IRFR9220PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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60+1.2 EUR
65+1.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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65+1.12 EUR
250+0.97 EUR
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6000+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15
IRFIBF20GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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Anzahl Preis
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.9 EUR
50+1.63 EUR
100+1.42 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ48GPBF IRFIZ48G.pdf
IRFIZ48GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
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Anzahl Preis
40+1.82 EUR
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
50+1.49 EUR
100+1.42 EUR
250+1.33 EUR
500+1.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476
IRFL014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
111+0.64 EUR
200+0.61 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8
IRFL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
112+0.64 EUR
126+0.57 EUR
132+0.54 EUR
250+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919
IRFL210TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
108+0.67 EUR
135+0.53 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF description IRFL9014-DTE.pdf
IRFL9014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
250+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF description IRFL9110PBF.pdf
IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
89+0.81 EUR
96+0.75 EUR
116+0.62 EUR
127+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048RPBF sihfp048.pdf
IRFP048RPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
32+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970
IRFP054PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
19+3.83 EUR
25+3.47 EUR
50+3.23 EUR
100+3.03 EUR
125+2.97 EUR
250+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064PBF IRFP064PBF.pdf
IRFP064PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
1000+3.39 EUR
2500+3.03 EUR
5000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86
IRFP140PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.76 EUR
100+1.6 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150PBF IRFP150PBF.pdf
IRFP150PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
22+3.35 EUR
24+3.06 EUR
27+2.7 EUR
50+2.49 EUR
100+2.33 EUR
125+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
19+3.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3
IRFP240PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929
IRFP244PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
28+2.57 EUR
31+2.37 EUR
34+2.14 EUR
50+2.03 EUR
100+1.93 EUR
125+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
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25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP254PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7
IRFP254PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
24+2.99 EUR
26+2.76 EUR
50+2.57 EUR
100+2.4 EUR
125+2.35 EUR
250+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBF description IRFP260.pdf
IRFP260PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
25+3.2 EUR
50+3.03 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF irfp264.pdf
IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.78 EUR
16+4.62 EUR
25+4.19 EUR
50+3.93 EUR
100+3.7 EUR
125+3.62 EUR
375+3.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F0EEE10126143&compId=IRFP340.pdf?ci_sign=dd0167b57f594821b66506409051635df87d75a1
IRFP340PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.18 EUR
29+2.5 EUR
125+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A48DCDEB8F40D2&compId=IRFP350.pdf?ci_sign=42c456cab931f6c67622fcc61c2717bb182595b7
IRFP350PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
26+2.85 EUR
500+2.59 EUR
5000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F301B67F1E143&compId=IRFP440.pdf?ci_sign=3aa4bec6fb06777b7fca835240631b66cb6b1d6a
IRFP440PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
26+2.8 EUR
36+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450APBF IRFP450A.pdf
IRFP450APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
21+3.45 EUR
25+3.03 EUR
50+2.76 EUR
100+2.57 EUR
500+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450LCPBF description irfp450lc.pdf
IRFP450LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
20+3.58 EUR
25+2.86 EUR
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450PBF irfp450.pdf
IRFP450PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
33+2.22 EUR
45+1.62 EUR
100+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460APBF irfp460a.pdf
IRFP460APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF.pdf
IRFP460LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B5E6DEDCD8469&compId=IRFP9140PBF.pdf?ci_sign=fe63890bc8f752c1803a1a8c1398b9d0e0f79383
IRFP9140PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
25+2.96 EUR
27+2.66 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
250+1.89 EUR
375+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9240PBF IRFP9240PBF.pdf
IRFP9240PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9049E27BB76143&compId=IRFPC40.pdf?ci_sign=b5f63bdd85d075ad87e42ff3aee6625f712f6d08
IRFPC40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.11 EUR
20+3.62 EUR
25+3.05 EUR
50+2.8 EUR
125+2.5 EUR
250+2.26 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBF
Hersteller: VISHAY
IRFPC50APBF THT N channel transistors
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.16 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBEF4E54D974600D5&compId=irfpc50.pdf?ci_sign=c6a27018a247a1b8ad7bf50f193d820b129afd09
IRFPC50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
17+4.28 EUR
50+3.79 EUR
100+3.58 EUR
250+3.3 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBF irfpc60lc.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.75 EUR
21+3.4 EUR
1250+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0B5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfpc60.pdf?ci_sign=22340fbe8e01e0b60cc7372290316b84cbe0a5d1
IRFPC60PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
25+4.52 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6A45732B6469&compId=IRFPE40PBF.pdf?ci_sign=2be6a196c5aa1e767fdd8423399d3019f87a0cc5
IRFPE40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
25+2.96 EUR
100+2.47 EUR
200+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9
IRFPE50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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24+3.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c
IRFPF50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBF IRFPG30.pdf
IRFPG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd
IRFPG40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBF IRFPG50PBF.pdf
IRFPG50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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500+2.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF sihfr014.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR014PBF SMD N channel transistors
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209+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6
IRFR024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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96+0.75 EUR
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300+0.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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97+0.74 EUR
122+0.59 EUR
150+0.54 EUR
300+0.51 EUR
375+0.49 EUR
525+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
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120+0.6 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
525+0.49 EUR
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3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
IRFR1N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
98+0.74 EUR
118+0.61 EUR
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104
IRFR210PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
128+0.56 EUR
138+0.52 EUR
525+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220PBF description irfr220_IRFU220.pdf
IRFR220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.46 EUR
75+0.96 EUR
150+0.47 EUR
300+0.43 EUR
525+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR224PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08
IRFR224PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
116+0.62 EUR
133+0.54 EUR
143+0.5 EUR
300+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310PBF sihfr310.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR310PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320PBF sihfr320.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR320PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320TRLPBF sihfr320.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.88 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFR420APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
50+1.45 EUR
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
83+0.86 EUR
88+0.81 EUR
150+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420PBF sihfr420.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR420PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
132+0.54 EUR
140+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF sihfr430.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
50+1.43 EUR
75+0.96 EUR
150+0.52 EUR
525+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF IRFR9024PBF.pdf
IRFR9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
66+1.1 EUR
75+0.96 EUR
89+0.81 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
150+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF IRFR9220PBF.pdf
IRFR9220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
65+1.11 EUR
83+0.87 EUR
90+0.8 EUR
525+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
250+0.97 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.67 EUR
4000+0.55 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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