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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
XP60SA290DIT XP60SA290DIT YAGEO XSemi XP60SA290DIT-3450364.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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XP60SA290DIT XP60SA290DIT YAGEO XSEMI XP60SA290DIT.pdf Description: MOSFET N CH 600V 13.3A TO-220CF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SA380DIT XP60SA380DIT YAGEO XSemi XP60SA380DIT-3450306.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SC380DH XP60SC380DH YAGEO XSemi XP60SC380DH-3450471.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSemi XP60SL115DR-3367891.pdf MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+3.57 EUR
100+3.41 EUR
500+2.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSEMI XP60SL115DR.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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XP60SL115DR XP60SL115DR YAGEO XSEMI XP60SL115DR.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
50+4.06 EUR
100+3.7 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSEMI XP60SL600DH.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH YAGEO XSemi XP60SL600DH-3367867.pdf MOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+2.16 EUR
3000+1.67 EUR
6000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
50+1.43 EUR
100+1.3 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSemi XP65AN1K2IT-3367904.pdf MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.8 EUR
100+1.62 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI XP65SL190DI.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.32 EUR
50+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSemi XP65SL190DI-3367838.pdf MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.73 EUR
10+2.99 EUR
100+2.75 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.43 EUR
2500+2.38 EUR
5000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI XP65SL190DI.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL380DH XP65SL380DH YAGEO XSEMI XP65SL380DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL380DH XP65SL380DH YAGEO XSEMI XP65SL380DH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL380DH XP65SL380DH YAGEO XSemi XP65SL380DH-3367863.pdf MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+3.01 EUR
100+2.09 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.6 EUR
3000+1.52 EUR
6000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH-HF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH-HF.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH-HF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+3.64 EUR
100+2.9 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSemi XP6677GH_HF-3367796.pdf MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.64 EUR
100+2.92 EUR
250+2.69 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.08 EUR
3000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH YAGEO XSEMI XP6677GH-HF.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6932MT XP6932MT YAGEO XSEMI XP6932MT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.78W (Ta), 2.08W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6A100M XP6A100M YAGEO XSemi MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI 4018017.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
30+0.6 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSemi XP6NA1R4CXT-3367909.pdf MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+3.78 EUR
100+2.71 EUR
250+2.69 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.2 EUR
10+11.32 EUR
100+9.43 EUR
500+8.32 EUR
1000+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
10+2.33 EUR
100+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSemi XP6NA1R7CMT-3367831.pdf MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.55 EUR
100+1.8 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSemi XP6NA2R4IT-3367901.pdf MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.8 EUR
10+11.81 EUR
25+10.72 EUR
100+9.86 EUR
250+9.26 EUR
500+8.69 EUR
1000+7.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.89 EUR
50+11.1 EUR
100+9.93 EUR
500+8.76 EUR
1000+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0024 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSemi XP6NA3R0H-3367892.pdf MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.31 EUR
10+2.34 EUR
100+1.62 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSemi XP6NA3R5IT-3367870.pdf MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.5 EUR
10+7.13 EUR
25+6.74 EUR
100+5.77 EUR
250+5.46 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
50+6.79 EUR
100+5.82 EUR
500+5.17 EUR
1000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0035 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSemi XP6NA6R5H-3367833.pdf MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.24 EUR
100+1.55 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P025H XP6P025H YAGEO XSEMI XP6P025H.pdf Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
11+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSemi XP6P250N-3367902.pdf MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.72 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SA290DIT XP60SA290DIT-3450364.pdf
XP60SA290DIT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SA290DIT XP60SA290DIT.pdf
XP60SA290DIT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N CH 600V 13.3A TO-220CF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SA380DIT XP60SA380DIT-3450306.pdf
XP60SA380DIT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SC380DH XP60SC380DH-3450471.pdf
XP60SC380DH
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL115DR XP60SL115DR-3367891.pdf
XP60SL115DR
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.56 EUR
10+3.57 EUR
100+3.41 EUR
500+2.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL115DR XP60SL115DR.pdf
XP60SL115DR
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL115DR XP60SL115DR.pdf
XP60SL115DR
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.83 EUR
50+4.06 EUR
100+3.7 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH.pdf
XP60SL600DH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.62 EUR
11+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP60SL600DH XP60SL600DH-3367867.pdf
XP60SL600DH
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.71 EUR
10+2.16 EUR
3000+1.67 EUR
6000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.68 EUR
50+1.43 EUR
100+1.3 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT-3367904.pdf
XP65AN1K2IT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.06 EUR
10+1.8 EUR
100+1.62 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65AN1K2IT XP65AN1K2IT.pdf
XP65AN1K2IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.32 EUR
50+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL190DI XP65SL190DI-3367838.pdf
XP65SL190DI
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.73 EUR
10+2.99 EUR
100+2.75 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.43 EUR
2500+2.38 EUR
5000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL190DI XP65SL190DI.pdf
XP65SL190DI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL380DH XP65SL380DH.pdf
XP65SL380DH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL380DH XP65SL380DH.pdf
XP65SL380DH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP65SL380DH XP65SL380DH-3367863.pdf
XP65SL380DH
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.36 EUR
10+3.01 EUR
100+2.09 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.6 EUR
3000+1.52 EUR
6000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH-HF.pdf
XP6677GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH-HF.pdf
XP6677GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH-HF.pdf
XP6677GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.38 EUR
10+3.64 EUR
100+2.9 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH_HF-3367796.pdf
XP6677GH
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.4 EUR
10+3.64 EUR
100+2.92 EUR
250+2.69 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.08 EUR
3000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6677GH XP6677GH-HF.pdf
XP6677GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6932MT XP6932MT.pdf
XP6932MT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.78W (Ta), 2.08W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6A100M
XP6A100M
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N 4018017.pdf
XP6N090N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
30+0.6 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT-3367909.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.53 EUR
10+3.78 EUR
100+2.71 EUR
250+2.69 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.2 EUR
10+11.32 EUR
100+9.43 EUR
500+8.32 EUR
1000+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
10+2.33 EUR
100+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT-3367831.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.68 EUR
10+2.55 EUR
100+1.8 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT-3367901.pdf
XP6NA2R4IT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.8 EUR
10+11.81 EUR
25+10.72 EUR
100+9.86 EUR
250+9.26 EUR
500+8.69 EUR
1000+7.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.89 EUR
50+11.1 EUR
100+9.93 EUR
500+8.76 EUR
1000+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0024 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H-3367892.pdf
XP6NA3R0H
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.31 EUR
10+2.34 EUR
100+1.62 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT-3367870.pdf
XP6NA3R5IT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.5 EUR
10+7.13 EUR
25+6.74 EUR
100+5.77 EUR
250+5.46 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.57 EUR
50+6.79 EUR
100+5.82 EUR
500+5.17 EUR
1000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0035 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H-3367833.pdf
XP6NA6R5H
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+2.24 EUR
100+1.55 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P025H XP6P025H.pdf
XP6P025H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
11+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N-3367902.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.72 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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