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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
XP6N090N XP6N090N YAGEO XSEMI XP6N090N.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
30+0.6 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSemi XP6NA1R4CXT.pdf MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.2 EUR
10+11.32 EUR
100+9.43 EUR
500+8.32 EUR
1000+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
10+2.33 EUR
100+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI XP6NA1R7CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT YAGEO XSemi XP6NA1R7CMT.pdf MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.39 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSemi XP6NA2R4IT-3367901.pdf MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.8 EUR
10+11.81 EUR
25+10.72 EUR
100+9.86 EUR
250+9.26 EUR
500+8.69 EUR
1000+7.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.89 EUR
50+11.1 EUR
100+9.93 EUR
500+8.76 EUR
1000+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT YAGEO XSEMI XP6NA2R4IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 2400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSEMI XP6NA3R0H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H YAGEO XSemi XP6NA3R0H.pdf MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.74 EUR
100+1.16 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
50+6.79 EUR
100+5.82 EUR
500+5.17 EUR
1000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSEMI XP6NA3R5IT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 3500 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT YAGEO XSemi XP6NA3R5IT-3367870.pdf MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.5 EUR
10+7.13 EUR
25+6.74 EUR
100+5.77 EUR
250+5.46 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSemi XP6NA6R5H-3367833.pdf MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.24 EUR
100+1.55 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H YAGEO XSEMI XP6NA6R5H.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P025H XP6P025H YAGEO XSEMI XP6P025H.pdf Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
11+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSemi XP6P250N-3367902.pdf MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.72 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N YAGEO XSEMI XP6P250N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.93 EUR
100+2.33 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSemi XP70SL1K4AH.pdf MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH YAGEO XSEMI XP70SL1K4AH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70T03GJ XP70T03GJ YAGEO XSemi MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSEMI XP83T03GJB.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJB XP83T03GJB YAGEO XSemi XP83T03GJB-3367897.pdf MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
auf Bestellung 7972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+0.86 EUR
80+0.77 EUR
560+0.65 EUR
2560+0.59 EUR
5040+0.55 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJB YAGEO XSEMI XP83T03GJB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251S
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
80+0.93 EUR
160+0.83 EUR
560+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.55 EUR
10+5.91 EUR
100+4.3 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSemi XP8NA1R2TL.pdf MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.57 EUR
10+5.03 EUR
100+3.59 EUR
500+3.41 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL YAGEO XSEMI XP8NA1R2TL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
10+4.24 EUR
100+3.05 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT YAGEO XSemi XP8NA2R2CXT.pdf MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.87 EUR
10+2.5 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSemi XP9452GG-3435612.pdf MOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.55 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
32+0.56 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSemi XP9561GH-3435402.pdf MOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.36 EUR
100+0.94 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
10+2.12 EUR
100+1.65 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH YAGEO XSEMI XP9561GH.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSEMI XP9561GI.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GI XP9561GI YAGEO XSEMI XP9561GI.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6N090N XP6N090N.pdf
XP6N090N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
26+0.69 EUR
30+0.6 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+13.2 EUR
10+11.32 EUR
100+9.43 EUR
500+8.32 EUR
1000+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R4CXT XP6NA1R4CXT.pdf
XP6NA1R4CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
6+3.41 EUR
10+2.33 EUR
100+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA1R7CMT XP6NA1R7CMT.pdf
XP6NA1R7CMT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.71 EUR
10+2.39 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT-3367901.pdf
XP6NA2R4IT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+13.8 EUR
10+11.81 EUR
25+10.72 EUR
100+9.86 EUR
250+9.26 EUR
500+8.69 EUR
1000+7.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+13.89 EUR
50+11.1 EUR
100+9.93 EUR
500+8.76 EUR
1000+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA2R4IT XP6NA2R4IT.pdf
XP6NA2R4IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 2400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R0H XP6NA3R0H.pdf
XP6NA3R0H
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.73 EUR
10+1.74 EUR
100+1.16 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+8.57 EUR
50+6.79 EUR
100+5.82 EUR
500+5.17 EUR
1000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT.pdf
XP6NA3R5IT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 3500 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA3R5IT XP6NA3R5IT-3367870.pdf
XP6NA3R5IT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+8.5 EUR
10+7.13 EUR
25+6.74 EUR
100+5.77 EUR
250+5.46 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H-3367833.pdf
XP6NA6R5H
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.29 EUR
10+2.24 EUR
100+1.55 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6NA6R5H XP6NA6R5H.pdf
XP6NA6R5H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P025H XP6P025H.pdf
XP6P025H
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
9+2.04 EUR
11+1.67 EUR
100+1.3 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N-3367902.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.94 EUR
10+0.72 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP6P250N XP6P250N.pdf
XP6P250N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+3.54 EUR
10+2.93 EUR
100+2.33 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.83 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70SL1K4AH XP70SL1K4AH.pdf
XP70SL1K4AH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP70SL1K4A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP70T03GJ
XP70T03GJ
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJB XP83T03GJB.pdf
XP83T03GJB
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJB XP83T03GJB-3367897.pdf
XP83T03GJB
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
auf Bestellung 7972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.66 EUR
10+0.86 EUR
80+0.77 EUR
560+0.65 EUR
2560+0.59 EUR
5040+0.55 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJB XP83T03GJB.pdf
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251S
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
9+2.15 EUR
80+0.93 EUR
160+0.83 EUR
560+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+8.55 EUR
10+5.91 EUR
100+4.3 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+7.57 EUR
10+5.03 EUR
100+3.59 EUR
500+3.41 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TL XP8NA1R2TL.pdf
XP8NA1R2TL
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+6.07 EUR
10+4.24 EUR
100+3.05 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXT XP8NA2R2CXT.pdf
XP8NA2R2CXT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.87 EUR
10+2.5 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG-3435612.pdf
XP9452GG
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.74 EUR
10+0.55 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
21+0.84 EUR
32+0.56 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH-3435402.pdf
XP9561GH
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.92 EUR
10+1.36 EUR
100+0.94 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.59 EUR
10+2.12 EUR
100+1.65 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP9561GH XP9561GH.pdf
XP9561GH
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
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XP9561GI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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XP9561GI XP9561GI.pdf
XP9561GI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 2995 Stücke:
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AnzahlPreis
8+2.48 EUR
50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
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1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
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