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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.38W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.8 EUR
451+0.51 EUR
715+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.38W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.8 EUR
451+0.51 EUR
715+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSemi XP2344GN.pdf MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.35 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN YAGEO XSEMI XP2344GN.pdf Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
397+0.58 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
397+0.58 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSEMI XP2530AGY.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
36+0.58 EUR
100+0.39 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY YAGEO XSemi XP2530AGY-3435518.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.58 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2531GY XP2531GY YAGEO XSEMI XP2531GY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
166+1.4 EUR
170+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2531GY XP2531GY YAGEO XSEMI XP2531GY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
166+1.4 EUR
170+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2535GEY XP2535GEY YAGEO XSemi XP2535GEY.pdf MOSFETs N+P MOS 20V 4.6/-3.1A 32/80mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2615GEY XP2615GEY YAGEO XSEMI XP2615GEY.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
295+0.79 EUR
432+0.5 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2906EY XP2906EY YAGEO XSemi XP2906EY.pdf MOSFETs N-MOS 20V 4.7A 35mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N025LN XP2N025LN YAGEO XSemi XP2N025LN.pdf MOSFETs N-MOS 20V 5.7A 25mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N030EN XP2N030EN YAGEO XSemi XP2N030EN.pdf MOSFETs N-MOS 20V 5.3A 30mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N075EN XP2N075EN YAGEO XSEMI XP2N075EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
700+0.33 EUR
1072+0.2 EUR
1197+0.18 EUR
1265+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N075EN XP2N075EN YAGEO XSemi XP2N075EN.pdf MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
11+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N075EN XP2N075EN YAGEO XSEMI XP2N075EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
700+0.33 EUR
1072+0.2 EUR
1197+0.18 EUR
1265+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1 YAGEO XSEMI XP2N1K2EN1.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1 YAGEO XSEMI XP2N1K2EN1.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1 YAGEO XSemi XP2N1K2EN1.pdf MOSFETs N-CH 20V 0.2A SOT-723
auf Bestellung 9282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.45 EUR
15+0.2 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P020YT XP2P020YT YAGEO XSemi XP2P020YT.pdf MOSFETs P-MOS -20V -10.2A 20mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P038N XP2P038N YAGEO XSEMI XP2P038N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.84 EUR
449+0.51 EUR
855+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P038N XP2P038N YAGEO XSemi XP2P038N.pdf MOSFETs P-CH -20V -5A SOT-23
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.32 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P038N XP2P038N YAGEO XSEMI XP2P038N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.84 EUR
449+0.51 EUR
855+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P052N XP2P052N YAGEO XSEMI XP2P052N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
559+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
1084+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P052N XP2P052N YAGEO XSEMI XP2P052N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.73 EUR
559+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
1084+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P052N XP2P052N YAGEO XSemi XP2P052N.pdf MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
12+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI XP2P053N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
596+0.39 EUR
962+0.23 EUR
1086+0.2 EUR
1147+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSemi XP2P053N.pdf MOSFETs P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
12+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI XP2P053N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
596+0.39 EUR
962+0.23 EUR
1086+0.2 EUR
1147+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P9R0LYT XP2P9R0LYT YAGEO XSemi XP2P9R0LYT.pdf MOSFETs P-MOS -20V -15.4A 8mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3601N XP3601N YAGEO XSemi MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+1.33 EUR
238+0.98 EUR
265+0.81 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M YAGEO XSEMI XP3700M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+1.33 EUR
238+0.98 EUR
265+0.81 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M YAGEO XSemi XP3700M.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+0.48 EUR
100+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSemi XP3700MT.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.55 EUR
10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
137+1.7 EUR
176+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
137+1.7 EUR
176+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT YAGEO XSEMI XP3700MT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSemi XP3700YT.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
281+0.82 EUR
412+0.52 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT YAGEO XSEMI XP3700YT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
281+0.82 EUR
412+0.52 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSEMI XP3832CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 3500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
115+2.03 EUR
171+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSemi XP3832CMT.pdf MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.15 EUR
3000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSEMI XP3832CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 3500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
115+2.03 EUR
171+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C011H XP3C011H YAGEO XSemi MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C011M XP3C011M YAGEO XSemi MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C023AMT XP3C023AMT YAGEO XSemi XP3C023AMT.pdf MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C023AMT XP3C023AMT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.71 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C023AMT XP3C023AMT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.71 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N020YT XP3N020YT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.98 EUR
419+0.56 EUR
622+0.35 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N020YT XP3N020YT YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.98 EUR
419+0.56 EUR
622+0.35 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N020YT XP3N020YT YAGEO XSemi XP3N020YT.pdf MOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.38W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
312+0.8 EUR
451+0.51 EUR
715+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.38W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
312+0.8 EUR
451+0.51 EUR
715+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.8 EUR
10+0.35 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2344GN XP2344GN.pdf
XP2344GN
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
247+1.01 EUR
397+0.58 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
247+1.01 EUR
397+0.58 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY.pdf
XP2530AGY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.88 EUR
36+0.58 EUR
100+0.39 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2530AGY XP2530AGY-3435518.pdf
XP2530AGY
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.88 EUR
10+0.58 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2531GY XP2531GY.pdf
XP2531GY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.54 EUR
166+1.4 EUR
170+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2531GY XP2531GY.pdf
XP2531GY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2531 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.54 EUR
166+1.4 EUR
170+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2535GEY XP2535GEY.pdf
XP2535GEY
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N+P MOS 20V 4.6/-3.1A 32/80mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2615GEY XP2615GEY.pdf
XP2615GEY
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XP2615 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+1.14 EUR
295+0.79 EUR
432+0.5 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2906EY XP2906EY.pdf
XP2906EY
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 20V 4.7A 35mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N025LN XP2N025LN.pdf
XP2N025LN
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 20V 5.7A 25mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N030EN XP2N030EN.pdf
XP2N030EN
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-MOS 20V 5.3A 30mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N075EN XP2N075EN.pdf
XP2N075EN
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.6 EUR
700+0.33 EUR
1072+0.2 EUR
1197+0.18 EUR
1265+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N075EN XP2N075EN.pdf
XP2N075EN
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.49 EUR
11+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N075EN XP2N075EN.pdf
XP2N075EN
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N075E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
419+0.6 EUR
700+0.33 EUR
1072+0.2 EUR
1197+0.18 EUR
1265+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1.pdf
XP2N1K2EN1
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1.pdf
XP2N1K2EN1
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2N1K2EN1 XP2N1K2EN1.pdf
XP2N1K2EN1
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 20V 0.2A SOT-723
auf Bestellung 9282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.45 EUR
15+0.2 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P020YT XP2P020YT.pdf
XP2P020YT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-MOS -20V -10.2A 20mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P038N XP2P038N.pdf
XP2P038N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
297+0.84 EUR
449+0.51 EUR
855+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P038N XP2P038N.pdf
XP2P038N
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -5A SOT-23
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.73 EUR
10+0.32 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P038N XP2P038N.pdf
XP2P038N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
297+0.84 EUR
449+0.51 EUR
855+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P052N XP2P052N.pdf
XP2P052N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.73 EUR
559+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
1084+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P052N XP2P052N.pdf
XP2P052N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P052 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
347+0.73 EUR
559+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
1084+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P052N XP2P052N.pdf
XP2P052N
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
12+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P053N XP2P053N.pdf
XP2P053N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.69 EUR
596+0.39 EUR
962+0.23 EUR
1086+0.2 EUR
1147+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P053N XP2P053N.pdf
XP2P053N
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
12+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P053N XP2P053N.pdf
XP2P053N
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+0.69 EUR
596+0.39 EUR
962+0.23 EUR
1086+0.2 EUR
1147+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP2P9R0LYT XP2P9R0LYT.pdf
XP2P9R0LYT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-MOS -20V -15.4A 8mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3601N
XP3601N
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+1.33 EUR
238+0.98 EUR
265+0.81 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+1.33 EUR
238+0.98 EUR
265+0.81 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700M XP3700M.pdf
XP3700M
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.08 EUR
10+0.48 EUR
100+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.55 EUR
10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
137+1.7 EUR
176+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
137+1.7 EUR
176+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700MT XP3700MT.pdf
XP3700MT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+1.09 EUR
281+0.82 EUR
412+0.52 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3700YT XP3700YT.pdf
XP3700YT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+1.09 EUR
281+0.82 EUR
412+0.52 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3832CMT XP3832CMT.pdf
XP3832CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 3500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.43 EUR
115+2.03 EUR
171+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3832CMT XP3832CMT.pdf
XP3832CMT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.58 EUR
10+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.15 EUR
3000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3832CMT XP3832CMT.pdf
XP3832CMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 3500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.43 EUR
115+2.03 EUR
171+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C011H
XP3C011H
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C011M
XP3C011M
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C023AMT XP3C023AMT.pdf
XP3C023AMT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.76 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C023AMT
XP3C023AMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.71 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3C023AMT
XP3C023AMT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.71 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N020YT
XP3N020YT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.98 EUR
419+0.56 EUR
622+0.35 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N020YT
XP3N020YT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.98 EUR
419+0.56 EUR
622+0.35 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N020YT XP3N020YT.pdf
XP3N020YT
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH