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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SMBJ48A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMBJ48A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 48 V, 77.4 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 53.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 61.3V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 48V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 77.4V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMPH6250SQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMPH6250SQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMPH6250SQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMPH6250SQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMG4800LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMG4800LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DGD05463FN-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD05463FN-7 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V bis 14VtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 463ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DGD05473FN-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD05473FN-7 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V-14VtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DGD0590FU-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030 Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DGD0590FU-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030 Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN10H220LE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AP64501QSP-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP64501QSP-13 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 3.8-40Vin, 0.8-40Vout, 3Aout, HSOIC-8tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 570kHz euEccn: NLR Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 800mV IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5A Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC Schaltfrequenz, typ.: 570kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 3.8V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 5A usEccn: EAR99 Wirkungsgrad: 85% Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 3856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMTH8001STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 2203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMTH10H1M7STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
auf Bestellung 1256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMTH8001STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 2203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMTH10H1M7STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
auf Bestellung 1256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DTH8L06DNC-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DTH8L06DNC-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 70 ns, 120 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 120A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 70ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMNH4005SCT | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AP7335-WG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP7335-WG-7 - LDO-REGLER EINST 5V 0.3A -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 85°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Einstellbar hazardous: false Eingangsspannung, max.: 6V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 800mV Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsstrom, max.: 300mA euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: SOT-25 rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 Ausgangsspannung, max.: 5V Nominelle feste Ausgangsspannung: - Ausgangsspannung, min.: 800mV Dropout-Spannung Vdo: 170mV Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom, max.: 300mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN4020LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN4020LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMAJ64A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMAJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 71.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 78.6V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 64V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMAJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 103V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMAJ64CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMAJ64CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Bidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 71.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 78.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 64V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMAJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 103V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 277 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMAJ64A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMAJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 71.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 78.6V isCanonical: N Sperrspannung: 64V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMAJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 103V |
auf Bestellung 4810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMCJ64A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 71.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 78.6V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 64V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 103V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMCJ64A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 71.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 78.6V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 64V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 103V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMAJ64CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMAJ64CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Bidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 71.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 78.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 64V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMAJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 103V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZT52HC24WF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52HC24WF-7 - Zener-Diode, 24 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52HCxxWF Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 24V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LM4040D30FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM4040D30FTA - Spannungsreferenz, Shunt - fest, 20ppm/°C, 3V, 1%, -40 bis 125°C, SOT-23-3, LM4040tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 3.03V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.97V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 20ppm/°C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LM4040 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, fest Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LM4040D30FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM4040D30FTA - Spannungsreferenz, Shunt - fest, 20ppm/°C, 3V, 1%, -40 bis 125°C, SOT-23-3, LM4040tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 3.03V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.97V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 20ppm/°C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LM4040 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, fest Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXTN4004KQTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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D5V0L1B2TQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D5V0L1B2TQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 275 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOD-523 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 275mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FMMT451TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT451TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FMMT451TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT451TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FCX495TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FCX495TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FMMT495TC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT495TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ZXTN10150DZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN10150DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FMMT495TC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT495TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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B130LB-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B130LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 40A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 445mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: B130L productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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B130B-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B130B-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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B130B-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B130B-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AP9101CAK-CPTRG1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP9101CAK-CPTRG1 - Akkuschutz, Auto-Wake-Up, 1 Zelle, Lithium-Ionen-/Lithium-Polymer-Akku, 1.5V bis 5.5Vin, SOT-25tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Zellen: 1Cells IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 Abschaltstrom: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Batterie-/Akkuschutz: Strom-/Spannungsüberladung, übermäßige Strom-/Spannungs-Entladung, Kurzschluss productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 95 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMTH10H010SCT | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP2023UFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP2023UFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 730mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP2039UFDE4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 690mW Bauform - Transistor: X2-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP2039UFDE4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 690mW Bauform - Transistor: X2-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMCJ22A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ22A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 24.4V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 27V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 22V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 35.5V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SMBJ48A-13-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ48A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 48 V, 77.4 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 53.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 61.3V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 48V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 77.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMBJ48A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 48 V, 77.4 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 53.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 61.3V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 48V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 77.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMPH6250SQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMPH6250SQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMPH6250SQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMPH6250SQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMG4800LFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMG4800LFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DGD05463FN-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD05463FN-7 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V bis 14V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 96ns
Ausgabeverzögerung: 463ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DGD05463FN-7 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V bis 14V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 96ns
Ausgabeverzögerung: 463ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DGD05473FN-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD05473FN-7 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V-14V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 23ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD05473FN-7 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V-14V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 23ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DGD0590FU-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DGD0590FU-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 17ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LE-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LVT-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LVT-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN10H220LE-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AP64501QSP-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP64501QSP-13 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 3.8-40Vin, 0.8-40Vout, 3Aout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 570kHz
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 800mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Schaltfrequenz, typ.: 570kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 5A
usEccn: EAR99
Wirkungsgrad: 85%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AP64501QSP-13 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 3.8-40Vin, 0.8-40Vout, 3Aout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 570kHz
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 800mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Schaltfrequenz, typ.: 570kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 5A
usEccn: EAR99
Wirkungsgrad: 85%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH8001STLW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH10H1M7STLW-13 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH8001STLW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH10H1M7STLW-13 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 1400 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTH8L06DNC-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DTH8L06DNC-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 70 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 120A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 70ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DTH8L06DNC-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 70 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 120A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 70ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMNH4005SCT |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AP7335-WG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7335-WG-7 - LDO-REGLER EINST 5V 0.3A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 6V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 800mV
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-25
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 800mV
Dropout-Spannung Vdo: 170mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP7335-WG-7 - LDO-REGLER EINST 5V 0.3A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 6V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 800mV
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOT-25
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 800mV
Dropout-Spannung Vdo: 170mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN4020LFDE-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN4020LFDE-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN61D8LVTQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN61D8LVTQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN61D8LVT-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN61D8LVT-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMAJ64A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMAJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMAJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMAJ64CA-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMAJ64CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Bidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SMAJ64CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Bidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMAJ64A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMAJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: N
Sperrspannung: 64V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
Description: DIODES INC. - SMAJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: N
Sperrspannung: 64V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMCJ64A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMCJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMCJ64A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMCJ64A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMAJ64CA-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMAJ64CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Bidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SMAJ64CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMAJ, Bidirektional, 64 V, 103 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 71.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 78.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 64V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMAJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 103V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BZT52HC24WF-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52HC24WF-7 - Zener-Diode, 24 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52HCxxWF Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BZT52HC24WF-7 - Zener-Diode, 24 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52HCxxWF Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| LM4040D30FTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM4040D30FTA - Spannungsreferenz, Shunt - fest, 20ppm/°C, 3V, 1%, -40 bis 125°C, SOT-23-3, LM4040
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.03V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.97V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - LM4040D30FTA - Spannungsreferenz, Shunt - fest, 20ppm/°C, 3V, 1%, -40 bis 125°C, SOT-23-3, LM4040
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.03V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.97V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| LM4040D30FTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM4040D30FTA - Spannungsreferenz, Shunt - fest, 20ppm/°C, 3V, 1%, -40 bis 125°C, SOT-23-3, LM4040
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.03V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.97V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - LM4040D30FTA - Spannungsreferenz, Shunt - fest, 20ppm/°C, 3V, 1%, -40 bis 125°C, SOT-23-3, LM4040
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.03V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.97V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXTN4004KQTC |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| D5V0L1B2TQ-7 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L1B2TQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 275 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 275mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D5V0L1B2TQ-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 275 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 275mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FMMT451TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT451TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FMMT451TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FMMT451TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT451TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FMMT451TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FCX495TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FCX495TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - FCX495TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FMMT495TC |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT495TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - FMMT495TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZXTN10150DZTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN10150DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN10150DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FMMT495TC |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT495TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - FMMT495TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| B130LB-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B130LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 445mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B130L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - B130LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 445mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B130L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| B130B-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B130B-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - B130B-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| B130B-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B130B-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - B130B-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AP9101CAK-CPTRG1 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP9101CAK-CPTRG1 - Akkuschutz, Auto-Wake-Up, 1 Zelle, Lithium-Ionen-/Lithium-Polymer-Akku, 1.5V bis 5.5Vin, SOT-25
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Zellen: 1Cells
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Abschaltstrom: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Strom-/Spannungsüberladung, übermäßige Strom-/Spannungs-Entladung, Kurzschluss
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - AP9101CAK-CPTRG1 - Akkuschutz, Auto-Wake-Up, 1 Zelle, Lithium-Ionen-/Lithium-Polymer-Akku, 1.5V bis 5.5Vin, SOT-25
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Zellen: 1Cells
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
Abschaltstrom: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Strom-/Spannungsüberladung, übermäßige Strom-/Spannungs-Entladung, Kurzschluss
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH10H010SCT |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2023UFDF-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2023UFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2039UFDE4-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2039UFDE4-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMCJ22A-13-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ22A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 27V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMCJ22A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 27V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


























